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湖南靜芯推出4路單向深回掃型帶集成超強VCC防護靜電保護器件SEUCS236T5V4UA

靜芯微 ? 來源:jf_65561982 ? 作者:jf_65561982 ? 2025-01-09 14:32 ? 次閱讀

【新品發布】湖南靜芯推出4路單向深回掃型帶集成超強VCC防護靜電保護器件SEUCS236T5V4UA

湖南靜芯推出4路單向深回掃型超強VCC防護靜電保護器件SEUCS236T5V4UA。SEUCS236T5V4UA共有4個IO引腳,一個超強VCC保護引腳,可同時保護四條數據信號線和一條電源信號線免受ESD(靜電放電)引起的干擾而損壞,可適用于DP2.0/2.1、SIM卡和10/100/1000以太網接口的信號線防護。根據IEC61000-4-2規范,SEUCS236T5V4UA可提供高達±30kV(接觸放電)、±30kV(空氣放電)的ESD保護。

深回掃型ESD介紹

回掃特性ESD防護器件具有超小封裝體積、超低鉗位電壓、超低結電容特性,相比常規工藝 TVS防護效果更優,且不影響信號完整性,可更有效保護高速數據接口免受瞬態過電壓的影響,為相關電子產品設備加固防護,提升消費者使用體驗。

常規型ESD的電壓會隨著IPP(峰值脈沖電流)的增加而等比例增加,呈現出一個較為線性的增長趨勢。而深回掃型ESD器件在當電壓達到VT(觸發電壓)后會瞬間將兩端的鉗位電壓拉低,進入一個小于工作電壓VRWM的較低電壓VHOLD,之后隨著電流的增加電壓逐漸增大。

其相較于常規ESD器件的優點有:

更低的鉗位電壓:在相同的IPP下,帶回掃ESD的VC(鉗位電壓)比常規ESD器件低30%以上。

更低的漏電流:這類ESD器件具有更低的漏電流,有助于降低設備的功耗,實現更節能的設計。

更深的應用范圍:帶回掃ESD的優異性能使其適用于更深的領域,如低壓移動電子設備、汽車電子工業控制等對ESD保護要求較高的場合。

wKgZO2d_bMmAZz_nAAApvOPQC7g152.png

wKgZPGd_bNSAey0gAAA2pqRElY8957.png

圖1 ESD特性曲線圖對比

通過對比常規ESD和帶回掃ESD的特性曲線圖及其優點,可以看出帶回掃ESD在ESD保護方面具有更出色的性能和應用前景。

SEUCS236T5V4UA介紹

SEUCS236T5V4UA是湖南靜芯研發的一款超低電容深回掃型4路單向帶超強VCC保護的ESD靜電保護器件,可適用于DP2.0/2.1、SIM卡和10/100/1000以太網等接口的信號線防護。與其他的深回掃型ESD保護器件不一樣的是,SEUCS236T5V4UA共有4個IO引腳,一個超強VCC保護引腳,可同時保護四條數據信號線和一條電源信號線免受過應力事件的干擾。

wKgZPGd_bOqATp97AACR5ha3fyY613.png

圖2SEUCS236T5V4UA引腳配置圖

SEUCS236T5V4UA的工作電壓為3.3V,IO-GND的鉗位電壓為5.6V,電容為0.7pF,根據IEC61000-4-5標準可承受高達14A(8/20μs)的峰值脈沖電流;VCC -GND的鉗位電壓為12.5V,電容為220pF,根據IEC61000-4-5標準可承受高達27A(8/20μs)的峰值脈沖電流。根據IEC 61000-4-2 (ESD)規范,SEUCS236T5V4UA可用于提供高達±30kV(接觸放電),±30kV(空氣放電)的ESD保護。

該器件的相關曲線圖及參數如下所示。

wKgZPGd_bP-AEfMaAAAxm-LMhiQ966.png wKgZPGd_bRGANqgsAAA1NgwYHgI431.png
IO-GND 8/20μs浪涌曲線 VCC-GND 8/20μs浪涌曲線
wKgZPGd_bR6AOLMsAAA3x3OmbPA660.png wKgZPGd_bSmAFfkIAAA5ScdKYIs679.png
IO-GND結電容曲線 VCC-GND結電容曲線
wKgZPGd_bTaAag6_AAA1LIABiAk315.png wKgZO2d_bT-ARJDHAAAqoFAOpfc339.png
IO-GND IV曲線 VCC-GND IV曲線

表1 SEUCS236T5V4UA相關曲線圖

At TA = 25℃ unless otherwise noted

Parameter Symbol Conditions Min. Typ. Max. Units
Reverse Stand-off Voltage VRWM 5.0 V
Reverse Breakdown Voltage VBR IT=1mA,IO-GND 5.5 7.1 V
IT=1mA,VCC-GND 5.5 6.9 V
Reverse Leakage Current IR VRWM=5.0V 0.1 uA
Clamping Voltage VCL IPP=1A; tp=8/20us;
Pin1,3,4,6 to Pin2
1.5 2.5 V
VCL IPP=14A; tp=8/20us;
Pin1,3,4,6 to Pin2
5.6 6.5 V
VCL IPP=1A; tp=8/20us;
Pin5 to Pin2
7.5 9.5 V
VCL IPP=27A; tp=8/20us;
Pin5 to Pin2
12.5 15.0 V
Junction Capacitance CJ I/O to GND; VR=0V; f=1MHz 0.7 1.0 pF
Between I/O; VR=0V; f=1MHz 0.3 0.5
VCC-GND; VR=0V; f=1MHz 220 250

表2 SEUCS236T5V4UA電氣特性表

應用示例

下圖是湖南靜芯推出兩種SEUCS236T5V4UA相關的DP2.0應用方案。DP2.0協議最大支持16K的超強分辨率和80Gbps的原始帶寬。DP接口的八個引腳組成四個數據傳輸通道,這種四通道配置以每通道20Gbps的速度傳輸數據,在使用四個通道時速度可達80Gbps。

由于接口在傳輸大量內容時數據線需要經常插拔,在熱插拔的過程中有可能因為消費者的觸摸或金屬引腳短接引發靜電放電(ESD)等問題,因此選擇電容低至0.14pF的分立式深回掃型ESD器件SEUCS2X3V1B或電容低至0.18pF的集成式深回掃型ESD器件SEUCS10F3V4B對數據傳輸引腳進行保護。

附屬通道的差分信號引腳(AUC_CH(n/p))、熱插拔檢測引腳(Hot Plug)、接頭電源引腳(DP_PWR)、電源回路引腳(DP_PWR Return)和地引腳(GND)可以采用本文介紹的超低電容深回掃型4路單向帶超強VCC保護的ESD靜電保護器件SEUCS236T5V4UA進行防護,可同時保護4條信號線和1條電源線。

方案一:

wKgZPGd_bVKAKlKOAABQFbaaX-0886.png

圖3 DP2.0應用方案一

方案二:

wKgZO2d_bVyAFcY4AABY1socV_g295.png

圖4 DP2.0應用方案二

總結與結論

SEUCS236T5V4UA是湖南靜芯研發的4路單向深回掃型超強VCC防護靜電保護器件,擁有低電容低鉗位電壓的優異性能,可適用于多種帶VCC引腳的主流數據接口的信號線防護。

湖南靜芯深回掃型系列ESD器件工作電壓涵蓋1.0~38V,電流涵蓋4~30A,電容最低至0.1pF,封裝涵蓋CSP、FC及各類封裝形式。同時推出22V&33V TDS平緩浪涌抑制器,可用于保護工作電壓為20V、24V、28V、36V的系統,具有精準且恒定的觸發電壓、優異的鉗位性能及穩定的溫度特性,可為系統提供更全面保護。結合TDS器件與深回掃ESD優勢,湖南靜芯是國內首家推出USB4.0完整解決方案的公司,詳情可以參考:“湖南靜芯推出USB4.0&PD3.0的ESD&EOS防護完整解決方案100W+80G/120G”與“湖南靜芯推出USB4.0&PD3.1的ESD&EOS防護完整解決方案140W&180W+80G/120G”等文章。

審核編輯 黃宇

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