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佳恩半導體IGBT項目科技成果達到國際先進水平

青島佳恩半導體有限公司 ? 來源:青島佳恩半導體有限公司 ? 2025-01-08 14:16 ? 次閱讀

日前,中科知慧(北京)科技成果評價有限公司組織專家,對青島佳恩半導體有限公司完成的“IGBT1200V40A 芯片的研究與應用”項目科技成果進行了評審。專家組審閱了相關資料評價認為,該成果技術在該領域達到國際先進水平。

該項目突破了1.6μm槽柵微場截止技術、110μm超薄芯片技術等難點,優化了IGBT正面MOS結構,并采用無機非金屬材料作為IGBT背面電極,顯著提升了芯片的耐壓能力、電流承載能力和開關速度,同時降低了導通電阻和開關損耗。

技術亮點

1、簡化了IGBT制造工藝,采用低阻N+(100)硅拋光片作為村底,通過6層光刻板技術省去了源區光刻工藝,有效降低了制造成本。

2、對IGBT正面深溝槽刻蝕及溝槽櫥氧化工藝進行了優化改進,改善了溝懵硅形貌問題,提高了產品可靠性及良品率,并通過縮小了元胞尺寸,提升了電流密度。

3、IGBT背面使用鎳酸鑭透明氧化物制作導電緩沖層,通過高溫燕發工藝提升了加工效率和良品率,降低了電流擴散層厚度和生產成本。

該項目擁有多項自主知識產權,產生了良好的經濟效益和社會效益具有廣闊的推廣應用前景。這是團隊共同努力的結晶,也是我們在半導體領域不斷追求卓越的又一里程碑。讓我們繼續攜手并進,開創更加輝煌的未來!

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原文標題:熱烈祝賀佳恩半導體IGBT項目—科技成果獲評“國際先進水平”

文章出處:【微信號:JNsemi,微信公眾號:青島佳恩半導體有限公司】歡迎添加關注!文章轉載請注明出處。

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