選擇性沉積技術可以分為按需沉積與按需材料工藝兩種形式。

隨著芯片制造技術的不斷進步，制造更小、更快且能效更高的芯片具很大的挑戰(zhàn)，尤其是全環(huán)繞柵極（Gate-All-Around， GAA）晶體管和更先進的CEFT晶體管，為了進一步優(yōu)化，一種名為選擇性沉積的技術應運而生。這項技術通過精確控制材料在特定區(qū)域內的沉積過程來實現(xiàn)這一目標，并主要分為按需沉積（DoD， Deposition on Demand）與按需材料工藝（MoD， Material on Demand）兩種形式。

按需沉積（DoD）

DoD工藝的核心在于能夠精準地將材料沉積到需要的地方，同時避免非目標區(qū)域受到不必要的覆蓋。

表面準備：首先對基板進行徹底清潔及預處理，確保后續(xù)沉積過程中的材料能夠良好附著。

抑制層的選擇性：接著，在不需要沉積材料的地方施加一層保護性的抑制層，以防止材料在此處沉積。（一） 抑制金屬與氧化物：硫醇、炔烴、芳香胺（二） 抑制氧化物/硫化物與其他氧化物/硫化物：羧酸、β-二酮（三） 抑制氧化物與金屬：甲氧基硅烷

選擇性沉積：利用技術，在已經準備好的表面上準確地沉積所需材料。

抑制層移除：最后一步是去除之前添加的抑制層，完成整個沉積流程的同時保持結構完整無損。

按需材料工藝（MoD）

MoD工藝則專注于根據(jù)不同需求，在指定位置上沉積多種類型的材料，例如鎢（W）或鉬（Mo），從而創(chuàng)建出更為復雜且功能強大的互連結構。其具體實施步驟如下：

1.原始材料引入：開始時先沉積一層基礎材料，比如鎢或鉬。

2.表面清潔：隨后清除表面存在的任何雜質，保證接下來要沉積的材料能夠牢固結合。

3.抑制層應用與表面預備：同樣采用抑制層技術來限制材料僅在預定區(qū)域內沉積。

4.選擇性ALD沉積：再次運用ALD技術，這次是為了給銅互連增加一層鎢或鉬作為襯墊，增強導電性能。

5.抑制層移除：最后階段同樣是移除所有多余的抑制層，確保最終形成的互連結構既緊密又可靠。