森國科推出的1200V/25A IGBT(選型：KG025N120LD-R)適用于逆變焊機、不間斷電源和電磁加熱器等方面。新款IGBT的魯棒性和耐用性極強，當實際電流是標準電流的四倍時無閂鎖效應，短路時間極短，僅5μs，最大工作結溫擴大到175℃，有助于延長產品的使用壽命。

IGBT芯片的溝槽柵場截止技術，進一步減小了正向導通時飽和壓降值，優化了器件開關性能，在提高性能同時可使芯片做的更薄，有利于滿足逆變頻率高達20~30kHz的情況下，控制變壓器體積，更便于運輸搬運。

性能特點

最大結溫：TJ =175°C

低集電極發射極飽和電壓

易于并聯使用

VCE(sat)正溫度系數

低熱阻

高魯棒性

競爭優勢

軟開關能力

高效率

適用于高電壓、大電流應用

應用領域

電焊機

不間斷電源

電磁加熱器

最大額定數值

深圳市森國科科技股份有限公司是一家專業從事功率器件、模塊，功率IC的高新科技企業。功率器件主要包括碳化硅二極管、碳化硅MOSFET、IGBT，功率芯片主要包括功率器件驅動芯片、無刷電機驅動芯片兩大類。公司總部在深圳市南山區，在深圳、成都、蘇州設有研發及運營中心。公司研發人員占比超過70%，研究生以上學歷占比50%，來自聯發科、海思、比亞迪微電子、羅姆、華潤上華等機構，囊括清華大學、電子科技大學、西安電子科技大學、西北工業大學等微電子專業知名院校。

森國科碳化硅產品線為650V和1200V 碳化硅二極管、碳化硅MOSFET、SiC二極管模塊、SiC MOSFET 模塊，該產品系列廣泛應用于新能源汽車、光伏逆變器、充電樁電源模塊、礦機電源、通信設備電源、5G微基站電源、服務器電源、工業電源、快充電源、軌道交通電源等。森國科碳化硅產品采用6寸車規級晶圓，具有高耐溫，高頻，高效，高壓特性，已穩步進入國內汽車三電、主流大功率電源、光風儲逆變器、充電樁電源模塊等上市公司供應鏈。

森國科功率IC采用先進的高壓特色工藝，包括功率管及模塊的驅動、BLDC及FOC電機的驅動。經過5年的發展，該產品線的團隊在BCD工藝，UHV工藝、數模混合、電機驅動算法方面有深厚的積累。功率器件驅動芯片，已經大規模量產中低壓系列，即將推出高壓系列。在電機驅動芯片方面，已經推出單相BLDC散熱風扇電機系列和三相BLDC電機驅動系列。

森國科在中金資本、北汽產投、藍思科技、凌霄股份、中科海創等股東的助力下，以低成本創新為己任，努力為客戶提供高性價比的綠色“芯”動力，成為全球領先的功率半導體公司!