此前，2024年11月27-28日，上海貝嶺參加由蓋世汽車主辦的第五屆汽車電驅(qū)動及關(guān)鍵技術(shù)大會。本次展會，上海貝嶺展示了汽車電子相關(guān)產(chǎn)品及應(yīng)用方案。

BELLING

產(chǎn)品推薦

一、“IGBT+FRD” 組合1

「BELLING」

BLQG200T120是1200V 200A的IGBT DIE，該產(chǎn)品是基于貝嶺Trench-FS Gen5技術(shù)平臺，具有開關(guān)損耗低，高可靠性和強短路魯棒性的特點。其正面采用虛擬trench和有效trench的搭配，來優(yōu)化器件的電容和電荷參數(shù)，實現(xiàn)低開關(guān)損耗和快速開關(guān)特性。背面采用多次H FS工藝，優(yōu)化器件的抗EMI能力，同時芯片具有強短路能力。終端采用優(yōu)化的場板場限環(huán)終端，保證器件最高工作結(jié)溫175℃以及高可靠性。

BLQG200T120特性

VCE最低1200V，持續(xù)電流200A @100℃，最高脈沖電流400A

VCE (sat)@Vge=15V，僅1.85V，導(dǎo)通壓降低，導(dǎo)通損耗低

工作結(jié)溫范圍：-40~175℃

通過AEC-Q101認證，滿足車規(guī)需求

BLK105N120 為FRD DIE，該款芯片與IGBT配套，采用壽命控制技術(shù)，具有較低的反向恢復(fù)電流和反向恢復(fù)時間。

BLK105N120特性

VBR最低1200V，正向?qū)娏?00A@100℃

正向?qū)▔航?.0V@200A，Tc=25℃

工作結(jié)溫范圍：-40~175℃

通過AEC-Q101認證，滿足車規(guī)需求

“BLQG200T120+ BLK105N120”典型應(yīng)用

通過不同的并聯(lián)封裝，可實現(xiàn)在800V平臺新能源汽車不同功率的拖動電機驅(qū)動。

二、“IGBT+FRD” 組合2

「BELLING」

BLQG275T75為IGBT DIE，該產(chǎn)品是基于貝嶺Trench-FS Gen7 技術(shù)平臺，具有正向壓降小、開關(guān)速度快，開關(guān)損耗低、高可靠性等特點。其采用第七代微溝槽柵技術(shù)，優(yōu)化了導(dǎo)通壓降和開關(guān)損耗，實現(xiàn)更好的輸出特性及高可靠性。采用優(yōu)化的多層場截止技術(shù)，改善了器件在不同母線電壓和柵電阻下的短路表現(xiàn)。采用優(yōu)化的結(jié)終端技術(shù)，實現(xiàn)175℃的最高工作溫度、高可靠性以及強魯棒性。

該款芯片完成全面的車規(guī)認證，特別為工作頻率在5 至20kHz的硬開關(guān)電路設(shè)計，主要面向新能源汽車應(yīng)用市場。該芯片針對電動汽車驅(qū)動應(yīng)用特點特別優(yōu)化損耗分布，優(yōu)化正溫度系數(shù)，使得該芯片易于并聯(lián)使用，保證了產(chǎn)品的易拓展性，可通過不同封裝形式滿足不同功率等級的應(yīng)用。

BLQG275T75F特性

VCE 最低750V，持續(xù)電流275A@100℃，最高脈沖電流550A

VCE (sat )@Vge=15V，僅1.4V，導(dǎo)通壓降低，導(dǎo)通損耗低

工作結(jié)溫范圍：-55~175℃

通過AEC-Q101認證，滿足車規(guī)需求

BLQK275N75 為FRD DIE，該款芯片與IGBT配套，采用壽命控制技術(shù)，具有較低的反向恢復(fù)電流和反向恢復(fù)時間。

BLQK275N75特性

VBR最低750V，正向?qū)娏?75A@100℃

正向?qū)▔航?.56V@150A，Tc=25℃

工作結(jié)溫范圍-40~175℃

通過AEC-Q101認證，滿足車規(guī)需求

“BLQG275T75F+ BLQK275N75”典型應(yīng)用

以TO-247PLUS 單管封裝可廣泛應(yīng)用于最高40kW的汽車主驅(qū)逆變器，適合A0級和A00級純電動汽車。

以HPD等形式的750V IGBT功率模塊可廣泛應(yīng)用于最高120kW的汽車主驅(qū)逆變器，適合A級純電動及混合動力汽車。

三、SiC MOSFET系列

「BELLING」

BLQC75N120、BLQC40N120、BLQC16N120、BLQC13N120均為N溝道增強型平面MOSFET，采用第三代半導(dǎo)體材料——碳化硅，具有低導(dǎo)通電阻、低電容和柵極電荷、優(yōu)異的開關(guān)性能等優(yōu)點。與硅相比，該器件可以為電力電子系統(tǒng)應(yīng)用提供更高的效率、更快的工作頻率和更緊湊的系統(tǒng)尺寸。

BLQC75N120特性

VDS 最低1200V，持續(xù)電流40A，30A @100℃，最高脈沖電流80A

RDS(ON)典型值75mΩ@15V、50mΩ@20V，導(dǎo)通電阻低

開關(guān)損耗低

工作結(jié)溫范圍：-40~175℃

100% 雪崩測試

通過AEC-Q101認證，滿足車規(guī)需求

典型應(yīng)用：

OBC

DCDC

空調(diào)電子壓縮機

開關(guān)電源

BLQC40N120特性

VDS 最低1200V，持續(xù)電流70A，50A@100℃，最高脈沖電流160A

RDS(ON)典型值40mΩ@15V、26mΩ@20V，導(dǎo)通電阻低

開關(guān)損耗低

結(jié)工作溫范圍：-40~175℃

100% 雪崩測試

通過AEC-Q101認證，滿足車規(guī)需求

典型應(yīng)用：

OBC

DCDC

空調(diào)電子壓縮機

充電樁

BLQC16N120特性

VDS 最低1200V，持續(xù)電流120A，85A@100℃，最高脈沖電流300A

RDS(ON)典型值16mΩ@18V、14.5mΩ@20V，導(dǎo)通電阻低

開關(guān)損耗低

工作結(jié)溫范圍：-40~175℃

100% 雪崩測試

通過AEC-Q101認證，滿足車規(guī)需求

典型應(yīng)用：

主驅(qū)

OBC

充電樁

BLQC13N120特性

VDS 最低1200V，持續(xù)電流152A，108A@100℃，最高脈沖電流310A

RDS(ON)典型值13mΩ@18V、10mΩ@20V，導(dǎo)通電阻低

開關(guān)損耗低

工作結(jié)溫范圍：-40~175℃

100% 雪崩測試

通過AEC-Q101認證，滿足車規(guī)需求

典型應(yīng)用：

主驅(qū)

OBC

充電樁

四、功率模塊系列

「BELLING」

BLQGMS820T75FEDL7

BLQGMS820T75FEDL7是一款非常緊湊的六單元IGBT HPD模塊，采用貝嶺第7代溝槽柵場阻止層結(jié)構(gòu)；具有極低的VCE (sat)，正溫系數(shù)，優(yōu)化的柵電荷和米勒電容；具有強的抗EMI能力和短路能力。

BLQGMS820T75FEDL7特性：

采用貝嶺第7代溝槽柵場阻止層結(jié)構(gòu)

VCES最低750V，持續(xù)電流820A，450A@80℃，最高脈沖電流1640A

VCE (sat)@Vge=15V，僅1.2V@25℃，具有極低的VCE (sat)，正溫系數(shù)，優(yōu)化的柵電荷和米勒電容

具有強的抗EMI能力和短路能力

典型應(yīng)用：

適用于電動汽車和混動汽車的逆變主驅(qū)，以及電機驅(qū)動等應(yīng)用。

BLGMF600T120FCDS4

BLGMF600T120FCDS4是基于貝嶺第四代先進的溝槽場截止技術(shù)（T-FS4）的IGBT半橋模組（E3），并集成了一個NTC溫度傳感器。其具有低VCE (sat)、優(yōu)化的開關(guān)性能等特點。

BLGMF600T120FCDS4特性：

采用貝嶺第4代溝槽柵場阻止層結(jié)構(gòu)

VCES最低1200V，持續(xù)電流1200A，600A@80℃，最高脈沖電流1200A

VCE (sat)@Vge=15V，僅1.75V@25℃，具有低VCE (sat)，正溫系數(shù)，優(yōu)良的開關(guān)性能

具有高可靠性，強短路能力

典型應(yīng)用：

適用于大功率逆變器，風(fēng)力發(fā)電，工業(yè)焊機，以及工業(yè)UPS系統(tǒng)等應(yīng)用

IGBT是適用于電機驅(qū)動器、UPS 的器件

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