以下文章來源于慧智微電子 ，作者小慧

01如何僅通過EM仿真SNP文件獲取傳輸線特征阻抗?

Q：請(qǐng)問目前通過EM仿真得到傳輸線的SNP文件，僅有這個(gè)的情況下能仿真得到傳輸線的特征阻抗嗎？

A：一般來講，只在這個(gè)端口加Term，然后設(shè)置這個(gè)Term的阻抗為Zo, 之后掃描Zo, 看什么時(shí)候，這個(gè)端口的反射系數(shù)最小。這時(shí)候的Zo，就是特征阻抗。(但是需要考慮其它的端口怎么連接--這是一個(gè)問題)。如果是兩端口，兩個(gè)端口的連接傳輸線是一樣的。那就加兩個(gè)Term，兩個(gè)Term的阻抗都設(shè)置為Zo.....

Q：好的，謝謝你，我這就去試試。

02電源芯片耗散功率與結(jié)溫關(guān)系的探討

Q：請(qǐng)問下有人了解，電源芯片這個(gè)耗散功率是在結(jié)溫150°C下算出來的嗎？

A：不是，超過結(jié)溫，pn結(jié)損壞。

Q：那他這個(gè)耗散功率是，結(jié)溫多少的時(shí)候測(cè)出來的？

A：最大結(jié)溫一般是晶元廠測(cè)出來的吧。實(shí)際上使用器件也不關(guān)心結(jié)溫多少，也很難測(cè)出來。只要散熱夠好就ok。做什么產(chǎn)品啊，這么糾結(jié)功耗與結(jié)溫的關(guān)系。

Q：因?yàn)樗唤o了個(gè)耗散功率，想算他的熱阻，之前一版85度時(shí)電源自保護(hù)了，所以想先預(yù)算一下。

A：你說的這個(gè)耗散功率應(yīng)該是滿載工作時(shí)的最大熱耗。

可靠性考慮，半導(dǎo)體芯片針對(duì)結(jié)溫(TJ)規(guī)定了安全上限，通常為150°C(有時(shí)為175°C)。

裸芯片，結(jié)溫可以用顯微紅外熱像儀測(cè)試。封裝好的芯片熱阻，可以用熱阻測(cè)試儀（如t3ster）測(cè)試。

Q：好的，謝謝，多找了幾份規(guī)格書反推了一下，有的是125度，有的是150度。所以按150度推算熱阻系數(shù)保守一點(diǎn)。

03包絡(luò)阻抗、基波阻抗與二次諧波阻抗的差異

Q：請(qǐng)問大家一個(gè)問題，包絡(luò)阻抗是什么意思，和我們的基波阻抗，二次諧波阻抗區(qū)別在哪？

A：我理解包絡(luò)阻抗應(yīng)該是雙音信號(hào)或?qū)拵盘?hào)才有的概念，基波阻抗和諧波阻抗不論單音雙音和寬帶都要考慮。譬如有兩個(gè)雙音信號(hào)f1和f2，那它們的包絡(luò)阻抗就是(f1-f2)和(f2-f1)頻點(diǎn)處的阻抗，是寬帶信號(hào)記憶效應(yīng)的主要來源，可以參考下慧智微公眾號(hào)之前有篇講記憶效應(yīng)的文章。

Q：?好的，謝謝哥，我看下文章。

04功率檢測(cè)器指標(biāo)與插入損耗的關(guān)系

Q：有人了解功率檢測(cè)器指標(biāo)嗎，這個(gè)檢測(cè)的準(zhǔn)確度（dB）是對(duì)主路的的插入損耗嗎？

A：圖片里這是耦合功率再經(jīng)過檢波電路后的規(guī)格。

“有人了解功率檢測(cè)器指標(biāo)嗎，這個(gè)檢測(cè)的準(zhǔn)確度（dB）是對(duì)主路的的插入損耗嗎？”這里的檢測(cè)準(zhǔn)確度應(yīng)該是這樣理解：在檢測(cè)電壓為0.65v時(shí)，對(duì)應(yīng)的輸出功率在25dBm+-0.5dB。

Q：一下子就懂了，感謝大佬。

05電源線對(duì)ACLR影響分析及改進(jìn)措施

Q：B5 Tx走線這里包地沒做好的話，會(huì)被影響到ACLR嗎？

A：會(huì)，靠電源這么近的嘛，要多打低孔了哦。

Q：ACLR直接掉到20了。

A：這些是什么線？

A：旁邊電源啊。

A：不會(huì)有耦合嗎？

就算地連起來了也會(huì)有影響，VBAT線應(yīng)該可以網(wǎng)上移動(dòng)一點(diǎn)，然后中間打地孔呢。

Q：ok，叫人改一下，感謝大佬。

A：記得電源線和那個(gè)孔之前一定要用地孔隔開，要不還會(huì)被影響

Q：好的，為啥會(huì)被電源線影響啊？B5Tx 800MHz。

A：電能轉(zhuǎn)磁能唄。

A：電源有噪聲。

Q：是把E-UTRA1的底噪抬太高了嗎？

A：不是底噪。差的電源在被抽取電流的時(shí)候，會(huì)產(chǎn)生紋波。

Q：多謝大佬們解惑。

06功率檢測(cè)電路設(shè)計(jì)與仿真中的關(guān)鍵因素探討

Q：有人了解功率檢測(cè)電路的運(yùn)行規(guī)則嗎？是不是 PA 正常工作的時(shí)候不開啟，當(dāng) PA 出現(xiàn)異常就檢測(cè)功率(??ω??)?

A：回環(huán)檢測(cè)功率，CLPC校準(zhǔn)，WIFI是這么用的。

Q：太深?yuàn)W，沒太明白。

A：你就當(dāng)這個(gè)det當(dāng)成一個(gè)二極管。

Q：但設(shè)計(jì)的時(shí)候，不需要考慮檢測(cè)電路對(duì)這個(gè)的影響嗎？我仿真出來，加了檢測(cè)電路直接調(diào)了幾個(gè) dB。

A：那說明det吸收的功率太大，電路問題。

A：檢波器嗎？檢波器的話可以耦合一個(gè)線圈出來。

Q：這是我參考的電路，主要的影響還是這個(gè)耦合電容的問題，電容太小，檢測(cè)的電壓變化不大，電容太大，檢測(cè)的電壓正常，但對(duì)主路的影響很大。

A：主路耦合出來。

Q：耦合電容不行嗎？

A：做檢波器是為了做包絡(luò)跟蹤嗎？

Q：wifi-pa的功率檢測(cè)，是不是包括跟蹤的話，不是特別清楚。

A：一般0.5dB，放在級(jí)間。

Q：我是吧級(jí)間和這個(gè)放在一起仿真，但損耗太大了，要不就是檢測(cè)的功率，不太對(duì)。

A：電路問題，自己想想。

Q：有沒有那種講關(guān)于這個(gè)功率檢波電路的資料什么的，感覺我現(xiàn)在已經(jīng)暈了。

A：有個(gè)log det的。好像，ieee搜一下。

Q：okok，多謝大佬。

07ADS模板仿真FT與Fmax遇到的問題及解決方法

Q：有大佬用過ADS模板仿真ft與fmax，替換掉原來bjt，后沒有仿真結(jié)果呢？

A：好好研究，沒啥問題。

Q：啊？

A：看看下面的公式，分析下ADS怎么仿真ft和fmax的，你就知道為啥沒數(shù)據(jù)了。

Q：嗯嗯好嘛，從這個(gè)X開始就沒數(shù)據(jù)了。

A：哎，你把原理圖的頻率設(shè)置高一點(diǎn)，300g。

Q：好嘛，多謝多謝。

08如何在芯片測(cè)試中去嵌PCB影響并精確評(píng)估芯片性能

Q：咨詢一下各位大佬，一般芯片測(cè)試都是要焊接在PCB上去測(cè)試，但這會(huì)引入PCB的影響（比如損耗等），怎么能在測(cè)試中盡可能去除PCB的影響、只考察芯片本身的性能呢？

A：去嵌，你可以在你測(cè)試的PCB上做TRL校準(zhǔn)的校準(zhǔn)件然后測(cè)試的時(shí)候用TRL校準(zhǔn)去嵌就可以測(cè)試到芯片端面了。

A：去嵌入，AFR會(huì)方便一點(diǎn)。

Q：類似于這樣的原理是嗎？PCB板相當(dāng)于這里的誤差盒？

我看《微波工程》這里講TRL校準(zhǔn)是可以將校準(zhǔn)件和被測(cè)件級(jí)聯(lián)，就是構(gòu)造成3個(gè)二端口網(wǎng)絡(luò)的級(jí)聯(lián)，但實(shí)際的芯片是和PCB板焊在一起（PCB板上還可能有接地通孔），我就是不懂那這樣的話PCB板怎么做校準(zhǔn)件呢？

A：一般會(huì)按照PCB專門做一塊校準(zhǔn)板。

你這種夾具不好拆裝的，那就是做前處理比較合適，做個(gè)TRL校準(zhǔn)板。

Q：哦哦，好吧感覺我自己好像想復(fù)雜了。

A：你要做一塊一摸一樣的pcb做你的校準(zhǔn)件的，國外好像有人專門做這個(gè)的。

A：看看xiaoning ye的文章吧，講的很清楚。

Q：好的多謝各位大俠。

09負(fù)載牽引與功率效率圓分析及匹配策略

Q：求問：負(fù)載牽引得到的功率圓和效率圓為什么會(huì)錯(cuò)開，而不是重疊在一起。

A：好問題！

A：膝點(diǎn)電壓吧？

A：對(duì)的。

Q：可以展開一下嗎？大佬

A：從負(fù)載線的角度考慮唄。

Q：這個(gè)膝點(diǎn)電壓和模集里的過驅(qū)動(dòng)電壓是一個(gè)意思么？

A：顯然不是。

Q：應(yīng)該是i-v曲線里的那個(gè)Vknee吧？

A：膝點(diǎn)電壓是Vds的電流開啟電壓，過驅(qū)動(dòng)電壓是Vgs的電流開啟電壓。

A：就是功率管從線性區(qū)進(jìn)入飽和區(qū)的拐點(diǎn)電壓。

Q：前輩能詳細(xì)講講嗎？效率和功率圓怎么分析的。

A：那這數(shù)值上不就是過驅(qū)動(dòng)電壓么，就是飽和區(qū)那個(gè)分界電壓?jiǎn)h。哦沒事了，CMOS對(duì)線性飽和區(qū)的定義和模電不一樣。

A：負(fù)載線匹配得最大功率，共軛匹配得最大效率，牽引的阻抗不同，在Smith圓上的位置不同。

A：共軛匹配不是最大功率傳輸嗎？還是我記錯(cuò)了。

Q：不是吧共軛匹配不是s11 s22最好嗎？

A：是最大功率傳輸，所以增益應(yīng)該是最大的。

A：共軛是讓功率最大化傳輸。

Q：嗷嗷但是小信號(hào)增益最大的話輸出功率也會(huì)最大嗎？

A：不會(huì)啊，這個(gè)共軛的阻抗大概率不是loadpull負(fù)載線出來的Zopt。

A：Zopt應(yīng)該是最大功率。

A：解釋功率圓心和效率圓心不重合的原因：

A：之前看到的一張圖：

Q：對(duì)于單級(jí)PA，高功率=高增益吧；power match獲得的最大輸出功率點(diǎn)，就是最高增益點(diǎn)？所以這里的A和B說法有矛盾嗎？當(dāng)然，高功率不等于高效率；

A：這張圖很明顯了，

這就是負(fù)載調(diào)制

看了一下12年，NXP給我們的培訓(xùn)資料。

Q：是的，這張圖上，小功率下，共軛匹配下增益和輸出功率比power match的要大；但是飽和輸出時(shí)，比不上power match的輸出功率；

A：個(gè)人理解負(fù)載調(diào)制是個(gè)廣泛的說法，這里的調(diào)制和doherty的負(fù)載調(diào)制不是一個(gè)東西。

A：簡(jiǎn)單來說，負(fù)載調(diào)制就是電流源控制電壓源端口看到的負(fù)載。

A：最大功率和最大PAE的圓心一般不會(huì)重合的，這個(gè)圖就能說明問題。

A：因?yàn)镻AE考慮了增益，而功率就只考慮了功率本。

A：對(duì)滴。

A：單級(jí)負(fù)載牽引增益對(duì)效率還是有點(diǎn)影響，有可能某個(gè)阻抗點(diǎn)的增益高輸出功率也比最大功率小不了多少，那那個(gè)點(diǎn)的效率就比最大功率點(diǎn)的效率高。

A：是這樣滴。

A：強(qiáng)。

A：老司機(jī)啊！

A：謬贊了各位，我只是之前想過。

10自行設(shè)計(jì)片內(nèi)電感能否優(yōu)化尺寸和Q值？

Q：有自己畫過片內(nèi)電感的同志嘛，請(qǐng)問自己畫的同樣感值的情況下能否比pdk自帶的面積小些，Q值高些？

A：什么頻段的？低頻的話好像用pdk里的說不定更準(zhǔn)些。

Q：2.4G，Pdk里的面積好大啊，tsmc65nm中電感外面還包圍著其他東西。

A：可能就是因?yàn)檫@樣才準(zhǔn)吧pdk自帶了一些處理，自己繞應(yīng)該也可以，不過可能自諧振頻率會(huì)比較低看形狀和線寬了，應(yīng)該有幾nH了吧。

Q：3.5n，Pdk的感覺也不是很準(zhǔn)，和理想的ind和R串聯(lián)的模型不是很等效。

A：看你帶寬多少了，自己繞一個(gè)也行。

Q：帶寬80M，藍(lán)牙頻段。

A：有沒有可能是你這個(gè)等效太簡(jiǎn)單了，肯定pdk的準(zhǔn)啊20G以下都是實(shí)測(cè)出來的數(shù)據(jù)。

Q：啊，這樣子啊，那我打算用片外的了。

A：實(shí)際電感的等效模型很復(fù)雜的。

Q：是的，跟我算的有差距。

A：你也沒考慮寄生電容吧？

Q：沒有的，我就用串聯(lián)電阻等效的。

A：那么長的線圈走線寄生電容也不小的，片外的話就得考慮鍵合線的影響。

Q：感謝各位，Q值大一些就行，我主要是Q值對(duì)我的電路影響太大了，片內(nèi)的3.5n的電感Q值才14.5，面積還賊大356×365。

A：那就片外其實(shí)這個(gè)頻率片上電感能有十幾的Q就不錯(cuò)了，線寬都得二十um吧。

A：片上電感Q值15基本極限了。

A：那不至于，毫米波能20+。

A：對(duì)Q值要求很高，用鍵合線比較好。

Q：電感小一點(diǎn)能15以上，電感越大Q值越小。

A：pdk里能有14.5已經(jīng)不錯(cuò)了。

Q：是的。

11在諧波測(cè)試中，是否需要使用外部濾波器來濾除主頻？

Q：請(qǐng)問各位老師，在做諧波測(cè)試時(shí)，是否需要在頻譜儀前使用外部濾波器，把主頻濾除掉？按道理頻譜儀里面也有濾波器，用外部濾波器測(cè)試前后，諧波差異30dB，是不是可以判斷主頻的確在頻譜儀里面混出諧波了？

這是我用到的高通濾波器。

A：主頻肯定要濾掉的，不然主頻進(jìn)到頻譜儀里面，產(chǎn)生非線性，這個(gè)諧波能量就不一定是你這產(chǎn)品產(chǎn)生的，有可能是頻譜儀帶來的。如果你的主頻功率大，進(jìn)到頻譜儀里面，過載也會(huì)產(chǎn)生很多非線性。

A：單機(jī)+高通濾波器，中間最好再加一個(gè)隔離器。

Q：我的主頻是2.4G，頻譜儀只打4～8G看諧波，依然會(huì)有主頻在頻譜儀里面混出諧波意思是頻譜儀里面的濾波器，在Freq Range里面并不能完全把主頻能量抑制嗎？謝謝各位老師

GPT還是需要改善呀

測(cè)試諧波時(shí)，需不需要加高通濾波器，把主頻濾掉?

測(cè)試諧波時(shí)，通常不需要加高通濾波器來濾掉主頻信號(hào)。諧波是指在電力系統(tǒng)中，由于非線性負(fù)載的存在，電流和電壓波形發(fā)生畸變，產(chǎn)生頻率為基波頻率整數(shù)倍的額外頻率分量。這些頻率分量就是諧波。

在測(cè)試諧波時(shí)，我們通常關(guān)注的是這些額外的頻率分量，而不是基波頻率分量。因此，測(cè)試設(shè)備(如頻譜分析儀、諧波分析儀等)本身就會(huì)包含高通濾波器，用于濾除基波頻率以下的信號(hào)，只顯示諧波頻率分量。

高通濾波器的截止頻率設(shè)置通常會(huì)高于所關(guān)注的諧波頻率范圍，以確保只顯示諧波分量。例如，如果關(guān)注的是50Hz電網(wǎng)頻率的諧波，高通濾波器的截止頻率可能會(huì)設(shè)置在50Hz以上，比如100Hz或更高。

在實(shí)際測(cè)試中，確保測(cè)試設(shè)備正確設(shè)置，并選擇合適的諧波分析功能，就可以直接獲取諧波頻率分量的信息，而不需要額外添加高通濾波器。

所以說，在做RE，RSE等認(rèn)證測(cè)試時(shí)，是需要增加陷波器，把主頻濾除，以免在頻譜儀中混出其他雜散頻點(diǎn)對(duì)嗎？

A：有條件最好用腔體的帶阻濾波器。

A：GPT回答的這個(gè)，濾波器應(yīng)該不能覆蓋到你這種高頻的吧？這個(gè)就只陷掉主頻，窄帶陷波器，其他的高低頻雜散才能看到，如果用高通濾波器，低頻的雜散就看不出來了。

A：頻譜儀主頻不飽和的前提下動(dòng)態(tài)也有80左右，你是諧波抑制很大的話需要濾掉主頻再看，頻譜儀里面按頻率劃分為幾段 ，頻率低的只有低通 ，其他段有YIG電調(diào)濾波器，最好是不指望用頻譜儀的。

Q：明白了，感謝各位的指導(dǎo)！