近日，GaN行業迎來了一項重要突破，一家名為遠山半導體的企業宣布成功研發出新一代高壓氮化鎵功率器件，其電壓等級高達3300V。這一消息于10月18日由“泰克科技”官方微信發布。

遠山半導體的產品線現涵蓋700V、1200V、1700V及3300V等多個規格的藍寶石基氮化鎵功率器件。這些創新器件采用了獨特的極化超級結（PSJ）技術，使得額定工作電壓和工作電流分別提升至1200V和20A。這些高性能器件在高功率PD快充、車載充電器、雙向DC-DC轉換器、微型逆變器、便攜儲能以及V2G（Vehicle-to-Grid）等領域具有廣泛應用前景。

泰克科技的測試結果進一步驗證了遠山半導體氮化鎵功率器件的卓越性能。測試顯示，這些器件具有高擊穿電壓、低閾值電壓以及低靜態導通電阻等特性。在動態開關測試中，即便在高壓環境下，器件依然表現出極高的開關速度，并有效克服了電流崩塌現象。

遠山半導體的氮化鎵功率器件成功打破了傳統氮化鎵器件650V額定電壓的限制，展現了在高電壓大電流條件下的出色表現。

遠山半導體成立于2017年10月，由公信投資管理有限公司與日本PowDec株式會社共同出資設立。公司憑借獨有的4英寸藍寶石基氮化鎵外延生長技術，成功生產出650V至6500V等多種規格的氮化鎵功率半導體外延晶圓與功率器件。值得一提的是，遠山半導體已推出單片耐壓高達6500V、電流范圍在5-30A內的GaN產品，且外延生長時間僅需2-3小時，良品率接近100%，成本遠低于市場平均水平。

在項目建設方面，遠山半導體于2022年末規劃了總投資15億元的新建項目，包括引進15臺MOCVD設備、建設3條規模化芯片生產線以及配備全套封裝檢測設備。同時，公司正積極尋求政府產業基金入股母公司，并希望項目公司能落戶當地，同時獲得人才、廠房、設備補貼，并規劃用地100畝。

在合作領域，遠山半導體于2024年4月與日本豐田合成株式會社簽訂了合作協議，正式建立了戰略伙伴關系。這一合作將促進雙方在GaN技術、產品以及市場等方面的深入合作，共同探索新的發展機遇。