許多工程師經過對上海雷卯的 ESD TVS 二極管多年的驗證使用后產生信任，進而開始選用雷卯的 MOSFET。上海雷卯始終致力于嚴格把控產品質量以及滿足客戶需求。對于MOSFET選型，在此EMC 小哥分享一份上海雷卯的 MOSFET 選型指南，供初學者參考。

一、確定應用需求

1. 電路類型

- 開關電路：如果應用于開關電路，如電源開關、電機驅動等，需要關注 MOSFET 的開關速度、導通電阻和柵極電荷等參數。快速的開關速度可以減少開關損耗，提高效率；低導通電阻能降低導通時的能量損耗；而低柵極電荷則有助于加快開關轉換過程。

- 放大電路：用于放大電路時，要重點考慮 MOSFET 的線性度、增益和噪聲等特性。具有良好線性度和高增益的 MOSFET 能夠保證信號的準確放大，低噪聲則可以減少對信號的干擾。

2. 工作電壓和電流

- 工作電壓：確定電路的工作電壓范圍，選擇的 MOSFET 額定電壓應大于等于電路的最大工作電壓，并留有一定的余量（建議至少 1.5 倍余量），以確保在電壓波動或瞬態電壓情況下 MOSFET 能夠正常工作。

- 工作電流：根據負載的電流需求，選擇能夠承受相應電流的 MOSFET。注意查看 MOSFET 的額定電流（連續電流）和最大漏極脈沖電流等參數，額定電流應滿足負載在正常工作狀態下的電流需求，而最大漏極脈沖電流則要考慮在瞬態或脈沖電流情況下的承受能力。

3. 工作溫度

了解應用環境的溫度范圍，確保所選 MOSFET 的工作溫度范圍能夠覆蓋該范圍。如果工作環境溫度較高，需要關注 MOSFET 的熱阻、結溫等參數，選擇熱阻較小、結溫較高的器件，以保證在高溫環境下的可靠性。

二. 選擇 MOSFET 的類型（P 溝道或 N 溝道）

- P 溝道 MOSFET：P 溝道 MOSFET 的柵極電壓為負時導通，適用于源極接電源正極的電路。在一些需要低電壓控制或邏輯電平轉換的場合比較適用，例如電池供電的設備中，可用于防反接保護電路。其優點是在電路設計上可以簡化驅動電路，但缺點是導通電阻相對較大，電流驅動能力相對較弱。

- N 溝道 MOSFET：N 溝道 MOSFET 的柵極電壓為正時導通，通常用于源極接地的電路。具有較低的導通電阻和較高的電流驅動能力，適用于對功率要求較高、需要大電流輸出的場合，如功率放大器、電源轉換電路等。但其驅動電路相對復雜，需要較高的柵極電壓來控制導通。

三、關注關鍵參數

-導通電阻（Rds(on)）：導通電阻越低，MOSFET 在導通狀態下的能量損耗越小，效率越高。對于對效率要求較高或工作電流較大的應用，應選擇導通電阻較小的 MOSFET。但導通電阻較低的器件價格可能相對較高，需要在性能和成本之間進行權衡。

- 柵極電荷（Qg）：柵極電荷決定了 MOSFET 的開關速度和驅動電路的功耗。柵極電荷越小，開關速度越快，驅動電路的功耗越低。在高頻開關應用中，應選擇柵極電荷較小的 MOSFET 以提高系統的效率和性能。

- 漏源擊穿電壓（V(BR)DSS）：漏源擊穿電壓是 MOSFET 能夠承受的最大漏源電壓，選擇時應確保該參數大于電路中的最大電壓應力，以防止器件擊穿損壞。

- 熱阻（Rθ）：熱阻反映了 MOSFET 散熱的能力，熱阻越小，器件在工作時產生的熱量越容易散發出去，結溫越低，可靠性越高。在高功率應用或散熱條件較差的環境中，應選擇熱阻較小的 MOSFET，熱阻的具體參數可以參考另外一篇

《MOSFET器件參數：TJ、TA、TC到底講啥》。

四、封裝選擇

- 封裝類型：上海雷卯提供多種封裝類型的 MOSFET，如 SOT-23、SOP-8、DFN 等。不同的封裝類型具有不同的尺寸、引腳排列和散熱性能。例如，

SOT-23 封裝體積小，適用于空間受限的應用；

SOP-8 封裝引腳較多，可提供更好的電氣連接和散熱性能；

DFN 封裝具有較低的寄生電感和電容，適合高頻應用。

- 封裝質量：檢查封裝的質量和可靠性，確保引腳焊接牢固，封裝材料能夠承受高溫和機械應力。良好的封裝可以保證 MOSFET 在長期使用過程中的穩定性和可靠性。

五. 參考數據手冊和應用案例

- 數據手冊：仔細閱讀上海雷卯 MOSFET 的數據手冊，了解器件的詳細參數、性能曲線、工作條件和應用注意事項等信息。數據手冊是選型的重要依據，能夠幫助您準確地選擇適合的 MOSFET。

- 應用案例：參考上海雷卯提供的應用案例或其他客戶的成功經驗，了解不同型號的 MOSFET 在類似應用中的表現和可靠性。這可以為您的選型提供參考，避免在實際應用中出現問題。

六 、應用案例分享

1. LM3D40P02

- 特點：這是一款 P 溝道溝槽技術的 MOSFET，專為電子煙等小型設備優化設計。具有低閾值電壓（Vgs(th)=-0.65V（type）），可使設備快速啟動；強大的電流承載能力（Id=-40A），能在高負載條件下穩定工作；較低的導通電阻（Rds(on)=5mΩ），能有效減少能量損耗，延長電池續航；低門極電荷（Qg=38nc），加快了開關速度，提高了整體效率；采用 DFN3.3*3.3 的緊湊型封裝，易于集成到小型設備中。

- 應用場景：非常適合電子煙、小型智能設備等對空間和功耗有較高要求的應用場景。

2. LM8S16P03

- 特點：屬于 PMOS 類型的 MOSFET。漏源電壓（Vdss）為-30V，漏極電流（Id）為-16A，漏源導通電阻（Rdson）為 6.5mΩ，柵源電壓（Vgs）為±20V，柵極電荷（Qg）為 62.5。工作溫度范圍為-55℃~150℃，可適應較為惡劣的工作環境。

- 應用場景：適用于新能源、家用電器、3C 數碼、汽車電子、測量儀器、智能家居等多種領域。

由于上海雷卯的 MOSFET 產品系列較為豐富，具體的選型還需要根據實際的應用需求、電路參數等因素進行綜合考慮。如果需要更詳細的產品信息，建議聯系上海雷卯的銷售人員或參考其官方的產品樣冊。