單結晶體管（Unipolar Junction Transistor，簡稱UJT），又稱為基極二極管或單晶二極管，是一種具有獨特結構和特性的半導體器件。以下將詳細闡述單結晶體管的結構和主要參數。

一、單結晶體管的結構

單結晶體管的結構相對簡單，主要由一個PN結和兩個電阻接觸電極組成。具體來說，其典型結構包括：

• 基片 ：基片是條狀的高阻N型硅片，作為器件的基礎材料。
• 基極 ：在基片的兩端，通過歐姆接觸分別引出兩個基極b1和b2。這兩個基極與基片形成歐姆接觸，使得電流可以在基片與基極之間自由流動。
• 發射極 ：在基片中間略偏b2一側，通過合金法制作一個P區作為發射極e。這個P區與N型基片之間形成一個PN結，是器件的核心部分。

單結晶體管的內部結構、符號表示、等效電路以及引腳排列，如圖(a)、(b)、(c)、(d)所示。引腳b1、b2分別為第一基極和第二基極(雙基極)，e為發射極。e極和N型硅片間構成一個PN結。PN結A點至兩基極間的等效電阻分別用rb1和rb2表示。兩基極間的電阻用rBB表示，rBB=rb1+rb2。

綜上所述，單結晶體管具有三個端子：發射極e、第一基極b1和第二基極b2。這種結構使得單結晶體管在工作時能夠表現出獨特的負阻特性，特別適用于開關系統中的弛張振蕩器，以及定時電路、控制電路和讀出電路等應用。

二、單結晶體管的主要參數

單結晶體管的主要參數包括基極間電阻Rbb、分壓比η、eb1間反向電壓Vcb1、反向電流Ieob1、發射極飽和壓降Veo、峰點電壓Vp與峰點電流Ip、谷點電壓Vv與谷點電流Iv等。這些參數共同決定了單結晶體管的性能和行為。

1. 基極間電阻Rbb
   • 定義 ：發射極開路時，基極b1、b2之間的電阻。
   • 數值范圍 ：一般為2--10千歐。其數值隨溫度上升而增大。
   • 作用 ：基極間電阻是單結晶體管的一個重要參數，它反映了器件在基極間的電阻特性。
2. 分壓比η
   • 定義 ：由管子內部結構決定的常數，表示發射極E至第一基極B1間的電壓（不包括PN結管壓降）占兩基極間電壓的比例。
   • 數值范圍 ：一般為0.3--0.85。
   • 作用 ：分壓比是單結晶體管設計和應用中的一個重要參考指標，它決定了器件在不同工作條件下的電壓分配關系。
3. eb1間反向電壓Vcb1
   • 定義 ：b2開路時，在額定反向電壓Vcb2下，基極b1與發射極e之間的反向耐壓。
   • 作用 ：該參數反映了單結晶體管在反向電壓作用下的耐壓能力，是器件可靠性的重要指標之一。
4. 反向電流Ieob1
   • 定義 ：b1開路時，在額定反向電壓Vcb2下，eb2間的反向電流。
   • 作用 ：反向電流的大小反映了單結晶體管在反向電壓作用下的漏電情況，是評估器件性能的重要參數之一。
5. 發射極飽和壓降Veo
   • 定義 ：在最大發射極額定電流時，eb1間的壓降。
   • 作用 ：發射極飽和壓降是單結晶體管在飽和狀態下的一個重要參數，它決定了器件在飽和狀態下的電壓損失。
6. 峰點電壓Vp與峰點電流Ip
   • 定義 ：單結晶體管剛開始導通時，發射極E與第一基極B1間的電壓稱為峰點電壓Vp，其所對應的發射極電流稱為峰點電流Ip。
   • 作用 ：峰點電壓和峰點電流是單結晶體管導通特性的重要標志，它們決定了器件的導通門檻和初始導通狀態。
7. 谷點電壓Vv與谷點電流Iv
   • 定義 ：單結晶體管由負阻區開始進入飽和區時，發射極E與第一基極B1間的電壓稱為谷點電壓Vv，其所對應的發射極電流稱為谷點電流Iv。
   • 作用 ：谷點電壓和谷點電流反映了單結晶體管在飽和狀態下的工作特性，是評估器件飽和性能的重要參數。

此外，單結晶體管還具有調制電流和耗散功率等參數，這些參數共同決定了器件在不同工作條件下的性能和穩定性。

三、總結

單結晶體管作為一種具有獨特結構和特性的半導體器件，在電子電路中發揮著重要作用。其結構簡單，由一個PN結和兩個電阻接觸電極組成；而主要參數則包括基極間電阻Rbb、分壓比η、eb1間反向電壓Vcb1、反向電流Ieob1、發射極飽和壓降Veo、峰點電壓Vp與峰點電流Ip、谷點電壓Vv與谷點電流Iv等。這些參數共同決定了單結晶體管的性能和行為特性，為器件的設計、制造和應用提供了重要依據。