9月3日，南京傳來振奮人心的科技捷報：歷經(jīng)四年的潛心鉆研與自主創(chuàng)新，國家第三代半導體技術創(chuàng)新中心（南京）在半導體科技領域取得了里程碑式的成就，成功解鎖了溝槽型碳化硅MOSFET芯片制造的核心技術瓶頸。這一壯舉不僅標志著我國在該領域的首次重大突破，更是有效突破了平面型碳化硅MOSFET芯片性能的上限。

溝槽型碳化硅MOSFET芯片，以其卓越的導電效率、出色的開關響應速度以及更高的晶圓集成度，長期占據(jù)半導體技術發(fā)展的尖端位置，被視為推動行業(yè)進步的關鍵力量。然而，其制造過程卻因碳化硅材料的極高硬度及工藝復雜性而充滿挑戰(zhàn)，成為制約技術發(fā)展的“攔路虎”。

面對這一難題，該中心的技術團隊在黃潤華總監(jiān)的帶領下，展現(xiàn)出了非凡的毅力和創(chuàng)新能力。他們不畏艱難，通過無數(shù)次試驗與優(yōu)化，終于開創(chuàng)出了一套全新的制造工藝流程，精準地克服了碳化硅材料刻蝕精度要求高、損傷控制難度大等關鍵技術障礙，成功地將溝槽型碳化硅MOSFET芯片從理論推向了實際應用。

據(jù)黃潤華總監(jiān)介紹，與傳統(tǒng)的平面型碳化硅MOSFET相比，新研發(fā)的溝槽型產(chǎn)品在導通性能上實現(xiàn)了約30%的顯著提升。這一重大技術革新預計將在未來一年內(nèi)迅速融入新能源汽車電驅(qū)動系統(tǒng)、智能電網(wǎng)建設以及光伏儲能等多個前沿領域，為這些行業(yè)的發(fā)展注入強勁動力。

尤為值得一提的是，這一技術成果的廣泛應用還將直接惠及廣大消費者。在新能源汽車領域，采用碳化硅功率器件不僅能有效提升車輛的續(xù)航能力約5%，還能有效降低芯片的使用成本，進一步推動新能源汽車的普及與綠色出行的發(fā)展。