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愛仕特發(fā)布新一代超低電感LPD系列碳化硅功率模塊

CHANBAEK ? 來源:網絡整理 ? 作者:網絡整理 ? 2024-09-03 15:11 ? 次閱讀

在近日于深圳國際會展中心盛大舉行的PCIM Asia 2024展會上,愛仕特科技以其突破性創(chuàng)新震撼全場,正式發(fā)布了新一代超低電感LPD系列碳化硅功率模塊。這款模塊的問世,標志著功率半導體領域在降低雜散電感、提升能效方面邁出了重要一步。

LPD系列碳化硅模塊采用前沿的封裝技術和精密的三相全橋設計,內部集成了高性能的1200V碳化硅MOSFET高精度熱敏電阻,實現(xiàn)了前所未有的低雜散電感——僅2.5nH,確保了電流路徑的極致優(yōu)化與高速開關的精準控制。其工作電壓范圍覆蓋900V至1000V,支持高達30kHz的工作頻率,輸出功率可突破300kW大關,展現(xiàn)了卓越的電氣性能與強大的負載能力。

尤為值得一提的是,LPD模塊不僅在技術上達到了國際領先水平,更在性價比上實現(xiàn)了對國內外同類產品的超越,為用戶提供了更加經濟高效的選擇。其耐久可靠的性能特點,使之成為電動汽車、氫能源汽車、高速電機驅動以及光伏風能發(fā)電等前沿領域的理想之選,助力新能源產業(yè)加速發(fā)展,共創(chuàng)綠色未來。

聲明:本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內容侵權或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
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