安森美半導體公司最新推出了采用F5BP封裝的硅與碳化硅混合功率集成模塊（PIM），這一創新設計專為提升大型太陽能組串式逆變器及儲能系統（ESS）的性能而打造。與前代產品相比，新款PIM在保持緊湊體積的同時，實現了功率密度與效率的顯著提升，使得太陽能逆變器的系統總功率上限從300 kW躍升至350 kW。這一進步意味著，在千兆瓦級的大型太陽能發電站中，采用這些模塊每小時可節省近2兆瓦的電能，年度發電量足以滿足超過700戶家庭的用電需求。

鑒于太陽能作為可再生能源中平準化能源成本（LCOE）最低的選項，其全球應用正迅速擴展。為應對太陽能發電的間歇性挑戰，公用事業公司正加速部署大型電池儲能系統（BESS），以確保電網的穩定供電。在此背景下，制造商與公用事業公司迫切需求高效且可靠的電力轉換解決方案。安森美的新款PIM正是響應這一需求的產物，其每提升0.1%的效率，在千兆瓦級裝機容量下，每年即可為運營商節省高達25萬美元的運營成本。

Sravan Vanaparthy，安森美電源方案事業群工業電源部副總裁指出：“面對太陽能這一波動性能源，提升系統效率與可靠性，并融合先進儲能方案，對于保障全球電網在電力需求波動時的穩定供應至關重要。高效的基礎設施不僅能促進太陽能的廣泛采用，還能在構建無化石燃料未來之路上，有效減少能源浪費。”

F5BP-PIM集成了1050V FS7 IGBT與1200V D3 EliteSiC二極管，這一組合在高效處理高電壓與大電流轉換的同時，顯著降低了功耗并增強了系統可靠性。FS7 IGBT以其低關斷損耗著稱，可將開關損耗減少約8%；而EliteSiC二極管則展現了卓越的開關性能，與前代產品相比，其導通壓降（VF）降低了15%，進一步提升了能效。

此外，該PIM采用了創新的I型中點箝位（INPC）拓撲結構逆變器模塊與飛跨電容拓撲結構升壓模塊，結合優化的電氣布局與先進的直接銅鍵合（DBC）基板技術，有效減少了雜散電感和熱阻。特別值得一提的是，銅基板的應用將結到散熱片的熱阻降低了9.3%，確保了模塊在重負載條件下的良好散熱，這對于維持模塊高效運行及延長使用壽命至關重要。因此，安森美的這款PIM在要求高度可靠與持續供電的嚴苛應用場景中展現出了非凡的競爭力。