在電力電子領域，碳化硅（SiC）MOSFET因其高效率、高頻率和高溫性能而備受青睞。然而，即使性能卓越，SiC MOSFET在開關過程中也可能面臨電壓尖峰的問題。本文將從專業硬件工程師的角度，探討SiC MOSFET的開關尖峰問題，并介紹使用瞬態電壓抑制二極管（TVS）進行保護的優勢和上海雷卯電子提供的解決方案。

1. SiC MOSFET開關過程中的電壓尖峰

SiC MOSFET在快速開關時，由于其內部寄生電容和電路寄生電感的作用，會在器件兩端產生電壓尖峰。這些尖峰可能遠超過SiC MOSFET的最大額定電壓，導致器件損壞或性能下降。

l 寄生電容充放電：SiC MOSFET內部的寄生電容在開關過程中快速充放電，產生電壓尖峰。

l 電路寄生電感：電路布線和元件的寄生電感在電流變化時產生感應電壓，加劇尖峰問題。

l 開關速度： SiC MOSFET的高開關速度雖然提高了效率，但也增加了電壓尖峰的風險。

2. 使用TVS進行保護的優勢

針對SiC MOSFET的電壓尖峰問題，使用TVS二極管進行保護是一種經濟高效的解決方案：

第一 快速響應：TVS二極管能夠以皮秒級速度響應電壓尖峰，迅速將能量導向地線。

第二 保護范圍廣：TVS二極管適用于多種電壓等級，可以為SiC MOSFET提供全面的保護。

第三 成本效益：相比提高SiC MOSFET的耐壓值，使用TVS二極管的成本更低，且易于集成。

3.上海雷卯電子的解決方案

上海雷卯電子作為專業的電子元件供應商，提供了針對SiC MOSFET開關尖峰電壓的保護方案和器件。我們的產品線包括多種型號的TVS二極管，專為高效率、高頻率的SiC MOSFET應用設計。SiC MOSFET與TVS保護電路如下：

上圖展示了一個典型的SiC MOSFET與TVS保護電路。在這個電路中，TVS二極管并聯在SiC MOSFET的漏極和源極之間，當電壓尖峰產生時，TVS迅速導通，吸收尖峰能量，保護SiC MOSFET免受損害。

TVS 具體選擇型號根據SIC MOS Vdss 電壓來確定：SIC MOS Vdss 大多600V 以上，以下列表TVS型號需用兩顆串聯使用，具體方案選型可咨詢有豐富經驗的上海雷卯EMC小哥。

在此列出上海雷卯可以供應的部分 SIC MOS 產品

4保護案例

案例一：

在某新能源汽車的電源管理系統中，采用了 SiC MOSFET 作為功率開關器件，同時配合高性能的 TVS 二極管進行過壓保護。通過精確的電路設計和參數匹配，有效地提升了系統的效率和可靠性。在車輛頻繁的啟動、加速和充電過程中，成功地避免了因瞬態過壓而導致的器件損壞，保障了車輛電源系統的穩定運行。

案例二：

在某工業變頻器中，使用 SiC MOSFET 實現高效的功率轉換，并在關鍵位置配置了 TVS 保護器件。特別是在電機的啟停和負載突變的情況下，TVS 能夠迅速吸收過高的電壓尖峰，保護 SiC MOSFET 不受損壞。這一方案顯著提高了變頻器的穩定性和使用壽命，降低了維護成本。

案例三：

在某通信基站的電源模塊中，采用先進的 SiC MOSFET 技術，并結合精心選擇的 TVS 二極管來應對電網中的浪涌和瞬態電壓。經過長時間的運行測試，該方案有效地保護了電源模塊免受惡劣電網環境的影響，確保了通信基站的持續穩定工作，提高了通信服務的質量。

這些案例表明，合理選擇和應用 SiC MOSFET 與 TVS 保護方案可以在不同的電子系統中取得顯著的效果，提升系統的性能和可靠性。

5. 結論

SiC MOSFET雖然性能優越，但在開關過程中的電壓尖峰問題不容忽視。通過并聯TVS二極管進行保護，不僅可以確保SiC MOSFET的工作正常，而且相比提高耐壓值，具有更高的性價比。上海雷卯電子提供的保護方案和器件，為SiC MOSFET的應用提供了可靠的保障。

請注意，以上內容為示例性質，實際應用中應根據具體的電路參數和應用需求進行設計和選擇。同時，文中提到的上海雷卯電子及其產品僅為示例，用于說明保護方案的可行性。在實際應用中，應選擇經過驗證的可靠供應商和產品。

審核編輯 黃宇