根據(jù)Global Market Insights的調(diào)查，超級結(jié)MOSFET在去年在能源和電力領(lǐng)域中的市場份額超過30%，覆蓋了電動車充電樁、服務(wù)器和數(shù)據(jù)中心電源、LED驅(qū)動、太陽能逆變器、家電控制等多個領(lǐng)域。預計到2032年，全球超級結(jié)MOSFET市場的年復合增長率將超過11.5%。

事實上，超級結(jié)MOSFET以其成熟的可靠性標準、完善的供應鏈體系以及不斷進化的技術(shù)路線，為追求卓越性能和穩(wěn)定性的客戶提供了強有力的保障。

瑞能半導體目前提供有G1和G2兩種型號的超級結(jié)MOSFET。其中，G2超結(jié)MOSFET采用了先進的設(shè)計改進，例如縮小單元間距、低阻抗的EPI層和更短的P柱深度。這些創(chuàng)新顯著降低了器件的導通電阻。同時，我們精細控制了超結(jié)的電荷平衡，確保器件擁有卓越的雪崩能力和低容性損耗，使其在高效、可靠和熱管理要求高的軟硬開關(guān)應用中表現(xiàn)均衡出色。

G2 超結(jié)MOSFET

WSJ2M60R065D是瑞能半導體G2超結(jié)MOSFET中的主力產(chǎn)品之一，包括TO-220在內(nèi)，同系列還有TO-220F/TO-247/TOLL等不同封裝可以選擇。它在導通電阻方面表現(xiàn)尤為出色。與競品相比，WSJ2M60R065D在不同電流密度下保持更加穩(wěn)定的導通電阻，在最大連續(xù)電流范圍內(nèi)，電阻變化不超過10%。這種穩(wěn)定性為客戶提供了更可靠的性能數(shù)據(jù)。此外，WSJ2M60R065D能夠適應功率變化的應用需求，在各種復雜的應用環(huán)境中擁有卓越的表現(xiàn)。

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軟開關(guān)類應用

瑞能 G2 MOSFET在綜合性能上達到了世界領(lǐng)先水平，其FOM因子與全球頂尖競爭對手處于同一水平線上。在確保嚴格的良率和工藝控制基礎(chǔ)上，瑞能在設(shè)計器件時為客戶保留了更多的擊穿電壓余量。瑞能的600V器件幾乎達到市場上的650V器件標準，充分保障了客戶應用的可靠性。

此外，G2 MOSFET集成了精細調(diào)整的快恢復體二極管，其反向恢復時間Trr僅為123 ns，并且體二極管能夠無損承受1000 A/us的換向速度。優(yōu)秀的體二極管性能使得WSJ2M60R065D非常適合軟開關(guān)的ZVS應用，在提供高效表現(xiàn)的同時應對異常工況。

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硬開關(guān)類應用

WSJ2M60R065D并不僅限于軟開關(guān)應用，在硬開關(guān)應用中，WSJ2M60R065D同樣表現(xiàn)出色。與競品相比，WSJ2M60R065D具有顯著的Eoss優(yōu)勢，即在硬開關(guān)應用中的容性損耗較低。同時，其單位面積的雪崩能力明顯高于行業(yè)常規(guī)水平，能夠承受更高的過壓和震蕩。在類似PFC的硬開關(guān)拓撲中同樣有穩(wěn)定安全的性能表現(xiàn)。

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可靠性控制

瑞能半導體始終堅持嚴格可靠的質(zhì)量評估。在加速老化試驗中，我們嚴格控制樣品數(shù)量，確保我們的產(chǎn)品做到零失效。

瑞能MOSFET產(chǎn)品在168/500/1000小時的高溫應力老化試驗中，性能表現(xiàn)一致性非常優(yōu)秀。同時，我們還會額外審查器件和封裝環(huán)節(jié)的ESD能力，最大限度地減少器件在生產(chǎn)、封裝和運輸環(huán)節(jié)中的質(zhì)量問題。WSJ2M60R065D的CDM能力大于2000V，HBM更是大于4000V，展現(xiàn)了可靠的質(zhì)量水平。