在近日舉辦的“第十六屆集成電路封測產(chǎn)業(yè)鏈創(chuàng)新發(fā)展論壇（CIPA 2024）”上，微導(dǎo)納米技術(shù)有限公司以其卓越的創(chuàng)新能力和深厚的技術(shù)底蘊(yùn)，震撼發(fā)布了自主研發(fā)的“先進(jìn)封裝低溫薄膜應(yīng)用解決方案”。這一里程碑式的發(fā)布，不僅標(biāo)志著微導(dǎo)納米在半導(dǎo)體先進(jìn)封裝技術(shù)領(lǐng)域的重大突破，也為全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的未來發(fā)展注入了新的活力。

面對半導(dǎo)體行業(yè)對2.5D和3D先進(jìn)封裝技術(shù)日益增長的需求，特別是這些技術(shù)中低溫工藝的特殊挑戰(zhàn)，微導(dǎo)納米精心打造了這一解決方案。該方案的核心在于其能夠在50~200°C的低溫區(qū)間內(nèi)，實現(xiàn)薄膜沉積的高均勻性、高質(zhì)量以及高可靠性，完美契合了當(dāng)前及未來半導(dǎo)體封裝技術(shù)的嚴(yán)苛要求。

此次發(fā)布的解決方案涵蓋了多款自主研發(fā)的低溫薄膜沉積設(shè)備產(chǎn)品，它們共同構(gòu)成了微導(dǎo)納米在低溫薄膜技術(shù)領(lǐng)域的強(qiáng)大陣容。其中，iTronix LTP系列低溫等離子體化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)尤為引人注目。該系統(tǒng)憑借其獨特的技術(shù)優(yōu)勢，能夠在低溫條件下高效、穩(wěn)定地沉積出高質(zhì)量的SiO2、SiN和SiCN薄膜，這些薄膜在混合鍵合的介電層(ILD)、低k阻擋層以及堆疊薄膜(BVR)等關(guān)鍵應(yīng)用中展現(xiàn)出卓越的性能，為半導(dǎo)體器件的高性能與可靠性提供了堅實保障。

此外，iTomic PE系列等離子體增強(qiáng)原子層沉積系統(tǒng)和iTomic MeT系列金屬及金屬氮化物沉積系統(tǒng)也是解決方案中的重要組成部分。它們分別利用先進(jìn)的等離子體增強(qiáng)技術(shù)和精密的沉積工藝，實現(xiàn)了對金屬及金屬氮化物等關(guān)鍵材料的低溫沉積，進(jìn)一步豐富了微導(dǎo)納米在低溫薄膜沉積領(lǐng)域的解決方案，滿足了半導(dǎo)體封裝領(lǐng)域多樣化的需求。

微導(dǎo)納米此次在CIPA 2024上的發(fā)布，不僅展示了其在低溫薄膜技術(shù)領(lǐng)域的深厚積累和創(chuàng)新實力，更為全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)提供了一個高效、可靠的先進(jìn)封裝解決方案。隨著半導(dǎo)體技術(shù)的不斷進(jìn)步和市場需求的持續(xù)增長，微導(dǎo)納米將繼續(xù)秉承創(chuàng)新驅(qū)動發(fā)展的理念，不斷推出更多具有自主知識產(chǎn)權(quán)的先進(jìn)技術(shù)和產(chǎn)品，為全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的繁榮發(fā)展貢獻(xiàn)更多力量。