01 半導體光照產業項目

項目概況

本項目依托“中國半導體之父”張博士的技術支撐，于杭紹臨空經濟一體化發展示范區紹興片區（紹興市柯橋區錢清街道錢清村）新增土地，新增建筑面積4.84 萬平方米，購置曝光機、烘烤機、蝕刻機、顯影機、光阻涂布機、清洗機等設備，年生產光罩 36000 片。

02 2英寸碳化硅MOSFET功率芯片生產線項目

項目概況

浙江芯科半導體有限公司總投資 100000 萬元，新征建設用地 38.81 畝，新增研發、測試及制造廠房等地上建筑面積 65715.57m2，新增地下建筑面積 3628.8m2，項目為計算機、通信和其他電子設備研發制造外延制備實驗室和工藝共性平臺，用于研發及生產 2 英寸碳化硅 MOSFET 功率芯片產品，項目建成后達到年產 10 萬片 2英寸碳化硅 MOSFET 功率芯片的生產規模。

03 6英寸半導體特色工藝研發及產業化項目

項目概況

項目總投資317698萬元，租用大橋鎮新大路 232號67651.32廠房，購置光刻機、涂膠顯影機、干法刻蝕機、濕法刻蝕機、離子注入、濺射機、PECVD、擴散爐等設備，形成年產64萬片6英寸功率器件特色半導體的生產能力。

04 年產1.6億條引線框架生產項目

項目概況

建設單位已拍土地33248平方米，新建標準廠房、宿舍樓等建筑面積約76941.84平方米(廠房建設項目另行備案實施，本項目不再涉及),采用引線框架銅帶、氰化銀、氰化銀鉀等原材料，經前清洗、壓膜、曝光、顯影蝕刻、電鍍、分切、后處理、檢測等技術或工藝，購置卷式自動清洗線、卷式自動貼膜機、卷式顯影蝕刻退膜機、各類電鍍生產線等國產設備；項目建成后，形成年產1.6億條引線框架的生產能力。本項目電鍍生產線僅用于對企業自身產品加工生產，不對外加工。

05 集成電路用半導體大硅片擴建項目

項目概況

本項目將租用芯聯集成現有已建A2模組生產廠房閑置區域，建設一條月產0.5萬片的6/8英寸兼容碳化硅MOS芯片制造生產線，先形成6英寸碳化硅MOS規?；圃旒凹夹g的持續研發和產品積累，待國內8英寸碳化硅襯底片和外延片具備批量供應能力后，快速切換到8英寸，以實現碳化硅MOS產業化制造6英寸向8英寸快速轉移，本項目建成后將形成6/8英寸碳化硅晶圓6萬片/年的生產規模。

06 新建碳化硅封測建設項目

項目概況

擬在該地塊建設標準生產廠房及配套設施，并購置碳化硅功率模塊生產線、碳化硅分立器件生產線等半導體封裝設備，實施新建碳化硅封測建設項目。

07 集成電路用半導體大硅片擴建項目

項目概況

企業投資10億元，新建生產廠房，總建筑面積1.448萬平方米。項目引進集成電路封裝測試生產線，同時配置空壓機、冷水機組等輔助配套設施，新增就業人1000余人，年開工300天，三班制生產，主要從事傳感器、存儲器、CPU等器件的封裝和測試。形成年產100億片集成電路的封裝測試生產規模。

08 年產600萬片半導體功率器件用DPC陶瓷基板技改項目

項目概況

企業擬投資60000萬元，租用位于金華金東區江東鎮金獅路828號天邁控股股份有限公司現有閑置廠房，引進DPC直接鍍銅生產線，從事陶瓷線路基板的生產加工，建成后可形成年產600萬片半導體功率器件用DPC陶瓷基板的生產能力。

09 半導體基板300萬片生產建設項目

項目概況

項目不新增土地，利用姜賢路 385 號內公司廠房一面積 2950 平方米。項目擬采購高端研磨機、新型全自動拋光機、高速多線切割機等設備，項目達產后實現年產超瓷晶手機屏組件 1700 萬片和半導體基板 300 萬片。

10 FCBGA封裝基板項目

項目概況

本項目分三期建設，一期建設內容為 1#廠房、宿舍一、廢水和廢液處理設施、危化品庫、危廢庫等，年產 18.72 萬片 FCBGA 高端載板的生產及配套設施；二期建設內容為研發樓、年產 9.36 萬片 FCBGA 高端載板的生產及配套設施；三期建設內容為 2#廠房、年產 28.08 萬片 FCBGA 高端載板的生產及配套設施。

11 半導體高功率元器件生產和研發二期擴產項目

項目概況

企業租賃海寧經濟開發區海寧宏廈裝飾新材料科技有限公司廠房 50000 平方米，總投資 55000 萬元，引進氮化鋁預氧化爐（進口），燒結爐（國產）、真空濺鍍線（國產）、填孔電鍍線（國產）、激光切割機（國產）等設備。投產后形成年產雙面氧化鋁覆銅陶瓷基板 1680 萬片、單面氧化鋁覆銅陶瓷基板1560 萬片、氮化鋁覆銅陶瓷基板 240 萬片、高附加值氮化鋁覆銅陶瓷基板 6 萬片、銅板（副產）356.18 噸的生產能力。

12 年產60萬套IGBTHPD及5萬套SiC功率模塊技改項目

項目概況

本次一期工廠項目總投資 31355.61 萬元，建設兩條 IGBTHPD 生產線和一條SiC生產線，年產 60 萬套 IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）HPD 功率模塊和5 萬套SiC功率模塊。

審核編輯 黃宇