隨著數(shù)據(jù)中心為了滿足人工智能計(jì)算的龐大處理需求而變得越來(lái)越耗電，提高能效變得至關(guān)重要。安森美(onsemi，美國(guó)納斯達(dá)克股票代號(hào)：ON)最新一代T10 PowerTrench系列和EliteSiC 650V MOSFET的強(qiáng)大組合為數(shù)據(jù)中心應(yīng)用提供了一種完整解決方案，該方案在更小的封裝尺寸下提供了無(wú)與倫比的能效和卓越的熱性能。

與一般的搜索引擎請(qǐng)求相比，搭載人工智能的引擎需要消耗超過(guò)10倍的電力，預(yù)計(jì)在未來(lái)不到兩年的時(shí)間，全球數(shù)據(jù)中心的電力需求將達(dá)到約1,000太瓦時(shí)（TWh）。從電網(wǎng)到處理器，電力需要經(jīng)過(guò)四次轉(zhuǎn)換來(lái)為人工智能請(qǐng)求的處理提供電能，這可能導(dǎo)致約12%的電力損耗。

通過(guò)使用T10PowerTrench系列和EliteSiC650V解決方案，數(shù)據(jù)中心能夠減少約1%的電力損耗。如果在全球的數(shù)據(jù)中心實(shí)施這一解決方案，每年可以減少約10太瓦時(shí)的能源消耗，相當(dāng)于每年為近百萬(wàn)戶家庭提供全年的用電量。

EliteSiC650VMOSFET提供了卓越的開(kāi)關(guān)性能和更低的器件電容，可在數(shù)據(jù)中心和儲(chǔ)能系統(tǒng)中實(shí)現(xiàn)更高的效率。與上一代產(chǎn)品相比，新一代碳化硅(SiC)MOSFET的柵極電荷減半，并且將儲(chǔ)存在輸出電容(Eoss)和輸出電荷(Qoss)中的能量均減少了44%。與超級(jí)結(jié)(SJ)MOSFET相比，它們?cè)陉P(guān)斷時(shí)沒(méi)有拖尾電流，在高溫下性能優(yōu)越，能顯著降低開(kāi)關(guān)損耗。這使得客戶能夠在提高工作頻率的同時(shí)減小系統(tǒng)元件的尺寸，從而全面降低系統(tǒng)成本。

另外，T10PowerTrench系列專(zhuān)為處理對(duì)DC-DC功率轉(zhuǎn)換級(jí)至關(guān)重要的大電流而設(shè)計(jì)，以緊湊的封裝尺寸提供了更高的功率密度和卓越的熱性能。這是通過(guò)屏蔽柵極溝槽設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)的，該設(shè)計(jì)具有超低柵極電荷和小于1毫歐的導(dǎo)通電阻RDS(on)。此外，軟恢復(fù)體二極管和較低的Qrr有效地減少了振鈴、過(guò)沖和電氣噪聲，從而確保了在壓力下的最佳性能、可靠性和穩(wěn)健性。T10PowerTrench 系列還符合汽車(chē)應(yīng)用所需的嚴(yán)格標(biāo)準(zhǔn)。

該組合解決方案還符合超大規(guī)模運(yùn)營(yíng)商所需的嚴(yán)格的開(kāi)放式機(jī)架V3(ORV3) 基本規(guī)范，支持下一代大功率處理器。

“ "人工智能和電氣化正在重塑我們的世界，并使電力需求激增。加快功率半導(dǎo)體的創(chuàng)新以改善能效是實(shí)現(xiàn)這些技術(shù)大趨勢(shì)的關(guān)鍵，這也正是安森美負(fù)責(zé)任地為未來(lái)賦能的方式。"安森美電源方案分部總裁SimonKeeton表示，“我們的最新解決方案可以顯著降低能量轉(zhuǎn)換過(guò)程中的功率損耗，將對(duì)下一代數(shù)據(jù)中心的需求產(chǎn)生積極的影響。