客戶(hù)：聚燦光電科技（宿遷）有限公司（簡(jiǎn)稱(chēng)：聚燦光電）

行業(yè)：LED行業(yè)

方案：Simcenter T3Ster熱阻測(cè)試儀

故事摘要

芯片的散熱性能是LED燈具品質(zhì)的重要因素之一。由于LED燈具的發(fā)光原理和工作方式，芯片會(huì)受到較高的溫度影響，如果芯片的散熱性能不足，則會(huì)導(dǎo)致芯片過(guò)熱和壽命縮短，甚至引發(fā)燈具故障。因此，在LED燈具設(shè)計(jì)和制造過(guò)程中，必須考慮芯片的散熱問(wèn)題，并采取有效的散熱措施。

聚燦光電依托自身的技術(shù)實(shí)力和創(chuàng)新能力，并結(jié)合先進(jìn)的半導(dǎo)體器件封裝熱特性測(cè)試儀——T3Ster來(lái)解決芯片散熱問(wèn)題。

在聚燦光電的研發(fā)過(guò)程中，T3Ster技術(shù)被廣泛應(yīng)用，為公司的芯片設(shè)計(jì)和制造提供了重要的支持。通過(guò)T3Ster技術(shù)進(jìn)行測(cè)試，聚燦光電的芯片散熱性能得到了極大的提升，這不僅增加了芯片的使用壽命，也提高了芯片的穩(wěn)定性和可靠性，使得聚燦光電的產(chǎn)品具有更高的市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力。

l 聚燦光電簡(jiǎn)介

聚燦光電是一家集研發(fā)、生產(chǎn)、銷(xiāo)售三方面為一體的高新技術(shù)企業(yè)，主要產(chǎn)品為GaN基高亮度LED外延片、芯片，主要應(yīng)用于顯示背光、通用照明、醫(yī)療美容等中高端應(yīng)用領(lǐng)域。。目前，公司已經(jīng)發(fā)展成為國(guó)內(nèi)高亮度LED芯片的主流廠(chǎng)家之一。

l 客戶(hù)遇到的挑戰(zhàn)

市場(chǎng)上大部分的熱阻測(cè)試設(shè)備，采用落后的采樣方法（脈沖法），其測(cè)量的數(shù)據(jù)量非常稀少（整個(gè)溫度變化過(guò)程總計(jì)都不超過(guò)150個(gè)采樣點(diǎn)），因此測(cè)試曲線(xiàn)的精度和平滑性都很差，完全無(wú)法準(zhǔn)確分析出器件內(nèi)部封裝構(gòu)造的結(jié)構(gòu)函數(shù)，而且也提供不了頻域分析結(jié)果，分析結(jié)果中的RC網(wǎng)絡(luò)級(jí)數(shù)甚至都不超過(guò)10個(gè)，這些參數(shù)尤其是平滑的溫度變化曲線(xiàn)是所有后續(xù)分析的最重要基礎(chǔ)數(shù)據(jù)。

l 客戶(hù)如何接觸到T3Ster

T3Ster熱阻測(cè)試儀在市場(chǎng)上廣受認(rèn)可，很多企業(yè)實(shí)驗(yàn)室會(huì)選擇這款儀器來(lái)使用。通過(guò)庭田科技公司的專(zhuān)家顧問(wèn)團(tuán)隊(duì)給予的售前技術(shù)支持，聚燦光電更全面的了解到T3Ster無(wú)可比擬的產(chǎn)品優(yōu)勢(shì)。

l 客戶(hù)為何選擇T3Ster？

聚燦光電之所以選擇T3Ster，是由于T3Ster采用了先進(jìn)的實(shí)時(shí)靜態(tài)測(cè)試方法（static mode），完全滿(mǎn)足JEDEC JESD51-1，IEC，美軍標(biāo)等國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)，其測(cè)試能力、精度、重復(fù)性都是業(yè)界領(lǐng)先，而且T3Ster的開(kāi)發(fā)團(tuán)隊(duì)還是半導(dǎo)體封裝（及大功率LED）結(jié)殼熱阻測(cè)試最新國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)的制定者。T3Ster提供的瞬態(tài)熱學(xué)測(cè)試技術(shù)不僅能夠準(zhǔn)確測(cè)試器件的結(jié)溫、熱阻值，還能分析器件內(nèi)部的封裝結(jié)構(gòu)。

l T3Ster幫助客戶(hù)解決了什么問(wèn)題

由于T3Ster的測(cè)量啟動(dòng)時(shí)間為1μs，它將提供更精確的測(cè)試結(jié)果。

當(dāng)啟動(dòng)測(cè)量時(shí)間為1μs時(shí)，ΔT=58.84°C

當(dāng)啟動(dòng)測(cè)量時(shí)間為1ms時(shí)，ΔT=49.97°C，誤差=16%

當(dāng)啟動(dòng)測(cè)量時(shí)間為40ms時(shí)，ΔT=33.74°C，誤差=43%

l 客戶(hù)證言

我們將繼續(xù)使用T3Ster測(cè)試芯片熱阻，并進(jìn)一步利用T3Ster先進(jìn)的結(jié)構(gòu)函數(shù)功能進(jìn)行器件的可靠性研究和封裝缺陷分析，為研發(fā)更新型、更高端的產(chǎn)品提供**測(cè)試驗(yàn)證支持。

吳志高 技術(shù)總監(jiān)

審核編輯 黃宇