單晶硅可以用于二極管級(jí)、整流器件級(jí)、電路級(jí)以及太陽能電池級(jí)單晶產(chǎn)品的生產(chǎn)和深加工制造，其后續(xù)產(chǎn)品集成電路和半導(dǎo)體分離器件已廣泛應(yīng)用于各個(gè)領(lǐng)域。

單晶硅片在出貨前要檢測(cè)一些項(xiàng)目，請(qǐng)問具體會(huì)檢測(cè)哪些指標(biāo)？

我們以4寸的單晶硅片為例：

如上圖：

1，晶向：<100>表示硅晶圓的晶體學(xué)方向。這種方向?qū)A上器件的電子特性和制造工藝有重要影響。 2，類型：P (Boron) with one primary flat 表示晶圓是P型硅，即通過摻雜硼來產(chǎn)生多余的空穴。"one primary flat" 表示晶圓邊緣的形狀，有助于識(shí)別晶體晶格的方向。 電阻：1-10 Ohm/cm 是晶圓的電阻率。 等級(jí)：Prime / CZ Virgin 表示硅晶圓的質(zhì)量和純度。"Prime" 是最高等級(jí)，用于高精密應(yīng)用；"CZ" 指的是用直拉法把單晶硅片制造出來的。 涂層：None, native oxide only 意味著晶圓表面沒有附加的膜層，只有自然形成的二氧化硅層。 厚度：525μm (+/- 20μm) 是晶圓的厚度，誤差控制在正負(fù)20微米以內(nèi)。厚度的均勻性對(duì)后續(xù)的加工步驟至關(guān)重要。 直徑：100mm 指定了晶圓的直徑。 Warp：<=30μm ，Warp越低表示晶圓質(zhì)量越好。 Bowing：<=30μm ,類似于翹曲，它也是衡量晶圓平整度的一種指標(biāo)。 主定位邊：32.5 +/- 2.5mm 表示了晶圓主定位邊的長(zhǎng)度，用于定位晶圓的方向。有的晶圓還有副定位邊，如下圖：

表面粗糙度：0.2 - 0.3nm, polished one side 表示該硅片為單拋硅片，表面的粗糙度單位是納米。

審核編輯：黃飛