在本文中，我們將討論CB晶體管的特性曲線，如 CB晶體管的靜態輸入和靜態輸出特性曲線（共基）。

共基極配置下晶體管的特性曲線

圖1顯示了以共基（CB）配置連接的PNP晶體管。基極是輸入側和輸出側共用的端子，該端子已接地。然后我們剩下兩個電壓變量，即 VEB公司和 V CB公司 .進一步，當前的 IB被忽略，因為它只不過是 -（I E + 我 C ).然后我們剩下兩個當前變量，即 V EB公司 、VCB公司我E和我C可以選擇任意兩個作為自變量，另外兩個作為因變量。在任何晶體管中，我們選擇輸入電流和輸出電壓作為自變量，選擇輸出電流和輸入電壓作為因變量。然后，我C和 VEB公司可以用 V 表示CB公司和我E根據以下等式：

...........(1)

..........(2)

因此，對于CB晶體管，我們可以得到以下兩個靜態特性曲線系列，繪制方程（1）和（2）。

• 靜態輸出特性曲線繪制公式（1）。因此，我們繪制 IC針對 VCB公司與我E作為參數，即不同 I 值的繪圖曲線 E .
• 靜態輸入特性曲線繪制方程（2）。因此，我們繪制 VEB公司反對我E帶 VCB公司作為參數，即繪制一組 V 值的 f 曲線 CB公司 .

電路設置 |CB晶體管的輸入輸出特性曲線

圖2給出了用于確定PNP晶體管靜態特性曲線的基本電路設置。當前 IE可由電位計 R 改變 1 .但是，V是低電壓通常小于 1 伏。因此，我們包括一個串聯電阻器R S （約 1 k-ohm）在發射極電路中保持 IE低。

電壓 VCB公司可由電位計 R 改變 2 .如圖 2 所示連接毫米表和電壓表，讀取 I=E , 我 C 、VEB公司和 V CB公司 .

PNP CB晶體管的靜態輸出特性 |CB晶體管的輸入輸出特性曲線

圖3顯示了CB配置中典型PNP Ge生長結型晶體管的靜態輸出特性曲線。實驗程序包括設置電路，如圖2所示，固定IE最初為零，增加 V 的大小CB公司以 1 伏的步長從零開始，注意相應的 IC和繪圖我C針對 V CB公司 .對于較高的 I 值，重復該過程E比如 10 mA、20 mA 等。因此，我們得到圖 3 所示的曲線。事實上，這些曲線只不過是方程（2）的圖。

活動區域 |CB晶體管的輸入輸出特性曲線：

用于活動區域操作。JE是前向偏置的，而 JC是反向偏置的?？紤]使用 I 的操作 E = 0。然后，晶體管表現為反向偏置二極管，由Ge晶體管中的微安級和Si晶體管中的納安級組成。我一氧化碳集電極電壓 V 的所有值都保持不變CB公司低于擊穿潛力。在pnp晶體管中，I一氧化碳從基底流向集電極，因此被認為是負的，因為假設 I 的正方向一氧化碳被認為與I相同C即進入設備。在npn晶體管中，I一氧化碳從收集器流向基座，因此被認為是正的。

接下來讓一個小發射極電流I E （比如 10 mA）發射極電路中的流量。然后是分數 IE的電流到達集電極并貢獻 IE到總集電極電流 IC如等式所示。在有源區域中，兩個組件 I一氧化碳和 ， 集電極電流 IC幾乎等于 .

I 的輸出特性 E = 20 mA、30 mA 等與 I 的特性相似 E = 0，但向上移動了 。但是，由于早期效應，輸出特性具有較小的上升斜率。輸出特性的這種輕微向上斜率導致輸出電導有限，而不是零輸出電導，即輸出電阻非常大，而不是有限輸出電阻。

飽和區域 |CB晶體管的輸入輸出特性曲線

在飽和區域，JE和 JC是前向偏向的。因此，在 pnp 晶體管中，飽和區域位于縱坐標 V 的左側 CB公司 = 0 及以上 I 的特征 E = 0。在該區域中，電壓已下降到特征的底部附近，具有 V CB公司 = 0，因此據說會觸底。在 PNP 晶體管中，VCB公司實際上略微在這個區域，即 JC是前向偏向的。因此，集電極電流 IC隨著 V 呈指數增長CB公司根據基本的二極管關系。使用 JC正向偏置的空穴電流從p型集電極區域流過JC到 N 型基區。因此，凈空穴電流幅度迅速下降，如圖 4 所示。如果正向偏置為 JC進一步增加，我C甚至可能變成陽性。

截止地區 |CB晶體管的輸入輸出特性曲線

輸出特性幾乎是并行的。但只有我的特征 E = 0 通過原點。I 的輸出特性 E = 0 與電壓軸不重合。而是我C等于 I 一氧化碳 ，少數用于Ge（Si）晶體管。由于我一氧化碳非常小，特性似乎與電壓軸重合。特征 I 的下方和右側區域 E = 0 稱為截止區域，在該區域中 JE和 JC是反向偏置的。

CB晶體管的靜態輸入特性 |CB晶體管的輸入輸出特性曲線

圖4給出了典型CB pnp Ge晶體管的靜態輸入特性。實驗程序包括設置電路，如圖2所示，固定V CB公司 = 0，增加 I 的大小E從 5mA 的步長開始，沒有相應的 VEB公司和電鍍 VEB公司反對我 E .對于 V 的其他值重復該過程CB公司比如說 -10 伏、-20 伏等，并且集電極結也打開。因此，我們得到圖 4 所示的曲線。事實上，這些曲線只不過是等式 2 的圖。

這些輸入特性只是 J 的前向特性E對于各種 V 值 CB公司 .因此，使用 VCB公司開路，輸入特性只不過是 J 的前向特性E充當PN二極管。帶 V CB公司 = 0，即當集電極短路到基極時，集電極從基極掃除少數載波孔，因此，從發射極吸引更多孔。因此，V 的特征 CB公司 = 0 相對于 V 向下移動CB公司打開。切入電壓 VV對于 V 的 Ge （Si） 晶體管，約為 0.1 伏（0.5 伏） CB公司 = 0。

對于給定的 V 值 EB公司 ，任何增加 |V CB公司 |，根據早期效應，導致有效堿基寬度減小，堿區少數載流子濃度梯度增加，從而增加 I E .因此，隨著 |V CB公司 |，輸入特性曲線向下移動，如圖4所示。

可以看出，V略有增加EB公司導致 I 大幅增加 E .因此，CB晶體管的動態輸入電阻相當低。pnp 和 npn 晶體管都是如此。