我們知道含F的XeF2和SF6都被當做腐蝕硅的氣體，XeF2常被作為各向同性腐蝕硅的氣體，而SF6常和CF4搭配作為硅各向異性腐蝕的氣體，那么XeF2和SF6可以相互替換嗎？

XeF2和SF6能否相互替換？答案是否定的。

根本原因在于二者的反應機理不同。

XeF2是一種氟基化合物，在室溫下能夠自發地和硅發生化學反應，且反應速率很快。除了對各向同性腐蝕硅，還可以對Ge和SiGe進行干法腐蝕。化學反應方程式為：

2XeF2(g)+Si(s)→SiF4(g)+2Xe(g)

本反應不需要外界的能量來提高反應活化能，因此XeF2腐蝕硅具有低成本特性。同時，生產的副產物SiF4和Xe都是揮發性氣體，易于排出。

SF6也是一種氟基化合物，但是在室溫下幾乎無法自發和硅發生化學反應，所以要借助外界的射頻將SF6進行電離，得到F*游離基，4個F*游離基與Si原子結合形成揮發性的SiF4副產物離開襯底表面排出。

SF6與Si反應方程式為：

（1）SF→SFx++F*+F-+SF6*；

（2）F*+Si→SiF4↑

本反應需要射頻參與，不是純化學反應，為等離子體物理化學反應。

圖硅的各向同性腐蝕和各向異性腐蝕示意圖

由于XeF2和SF6刻蝕硅不同的機理，因此在選擇掩蔽層也有不同的方案。XeF2在與Si和SiO2純化學反應的刻蝕選擇比大于1000 : 1，而SF6在與Si和SiO2的RIE刻蝕選擇一般小于100 : 1。

這就意味在深刻硅的工藝中， XeF2可以根據選擇比選擇合適厚度的SiO2的作為單一掩蔽層，而SF6一般不能作為DRIE的單一掩蔽層，需要與光刻膠形成復合掩蔽層。

XeF2刻蝕硅是純化學反應，氣體分子只能通過擴散和吸附在硅表面才能發生反應產生腐蝕，因此此反應具有較為明顯的尺寸效應，即刻蝕尺寸越小，刻蝕速率越慢。

因此在設計芯片圖形結構時，應注意不同區域的線寬和間距不相差過大。

同時XeF2刻蝕硅最優的方式是采用脈沖通氣方式，對刻蝕腔室進行快速的充氣和抽氣，使氣體分子具有更好的穿透力，能進入更小的刻蝕區域，另外快速的循環可以加速副產物的排出，從而抑制尺寸效應。

審核編輯：劉清