IGBT（絕緣柵雙極型晶體管，Insulated Gate Bipolar Transistor）是一種半導(dǎo)體器件，結(jié)合了金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET）的輸入特性和雙極型晶體管（BJT）的輸出特性。它廣泛應(yīng)用于電力電子領(lǐng)域，特別是在高電壓和高電流的應(yīng)用中，如電動(dòng)汽車、可再生能源系統(tǒng)、變頻器、電機(jī)控制和開(kāi)關(guān)電源等。

IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）是一種結(jié)合了MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）和BJT（雙極型晶體管）特性的高效能半導(dǎo)體器件。它有三個(gè)端子：柵極、集電極和發(fā)射極。其中，柵極的功能與MOSFET中的柵極相似，而集電極和發(fā)射極則與BJT中的相應(yīng)端子功能相同。

在N溝道IGBT中，當(dāng)柵極相對(duì)于發(fā)射極施加正電壓時(shí)，器件導(dǎo)通，使得電流能夠從集電極流向發(fā)射極。IGBT的工作原理和驅(qū)動(dòng)方法將在其他部分進(jìn)行詳細(xì)介紹。

IGBT融合了MOSFET的高輸入阻抗和快速開(kāi)關(guān)特性以及BJT的低導(dǎo)通電阻優(yōu)勢(shì)，適用于高電壓應(yīng)用。雖然IGBT的開(kāi)關(guān)速度比MOSFET稍慢，但比BJT快，同時(shí)在高電壓下保持低導(dǎo)通電阻，這使得IGBT在電力電子領(lǐng)域尤為重要。

綜上所述，IGBT是一種具有高輸入阻抗、快速開(kāi)關(guān)能力，并且在高電壓環(huán)境下仍維持低導(dǎo)通電阻的半導(dǎo)體器件，它通過(guò)整合MOSFET和BJT的優(yōu)點(diǎn)，克服了它們各自的不足。

總之，IGBT是一種高效、可靠的半導(dǎo)體器件，它在現(xiàn)代電力電子系統(tǒng)中扮演著至關(guān)重要的角色。隨著對(duì)更高性能和效率的需求不斷增長(zhǎng)，IGBT的技術(shù)和應(yīng)用將繼續(xù)發(fā)展和創(chuàng)新。