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南京江寧國博射頻集成電路產業化二期項目,投資達10億元

微云疏影 ? 來源:綜合整理 ? 作者:綜合整理 ? 2024-01-26 09:08 ? 次閱讀

近日,江蘇南京市江寧開發區的總投資額達10億元人民幣的國博射頻集成電路產業化二期工程正在緊張地進行地下室主體結構施工。據當地媒體報道,該項目總建筑面積約為15.9萬平方米,預計將于明年7月底封頂,并于翌年投入使用,這將對推動國產射頻集成電路產品5G移動通信市場的國產化起到重要作用。

該項目由中國電子科技集團公司旗下的第五十五研究所控股的南京國博電子有限公司負責投資建設。項目內容涵蓋了工廠及其配套設施,主要目的在于加強射頻集成電路的封測制造能力。該項目完工后,將與一期工程共同實現射頻集成電路規模化設計、制造的目標,致力成為國內寬禁帶半導體器件及模塊的最大供應商以及5G通信技術的領軍企業。

據悉,該項目將充分利用五十五所在半導體外延材料、射頻集成電路設計以及第二、三代半導體射頻集成電路產業等領域的優勢,構建全產業鏈射頻集成電路產業集群,覆蓋從材料到設計、生產、封裝測試的各個環節。

此外,江寧開發區是我國最早布局第三代半導體產業的開發區之一,也是南京市第三代半導體產業鏈布局最為完善的區域。目前,該開發區已經匯聚了數十家頭部關聯企業,初步建成了產業鏈。為了進一步促進該產業鏈“強鏈補鏈延鏈”,開發區專門設立了第三代半導體產業專班,針對五個環節和23個細分方向展開大力招商。今年以來,共引進了包括英諾賽科、沅程芯電子、博銳半導體等在內的一系列產業項目。

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