1月14日，中微公司（SH688012）發(fā)布《2023年年度業(yè)績預告》。中微公司預計2023年營業(yè)收入約62.6億元，較2022年增加約15.2億元，同比增長約32.1%；預計2023年度實現(xiàn)歸屬于母公司所有者的凈利潤為17億元至18.5億元，同比增加約45.32%至58.15%。

中微公司的業(yè)績增長主要源于其刻蝕設備市占率的提升。“2023年公司CCP（電容性耦合的等離子體源）和ICP（電感性耦合的等離子體源）刻蝕設備均在國內(nèi)主要客戶芯片生產(chǎn)線上市占率大幅提升。”中微公司表示。

2023年，中微公司的MOCVD（金屬有機化合物化學氣相沉積）設備銷售額受下游市場景氣度影響，有所下滑。從營業(yè)收入構成上看，中微公司預計其2023年刻蝕設備銷售約47億元，同比增長約49.4%；MOCVD設備銷售約4.6億元，同比下降約34.0%。

中微公司表示，公司2023年新增訂單金額約83.6億元，較2022年新增訂單的63.2億元增加約20.4億元，同比增長約32.3%。其中刻蝕設備新增訂單約69.5億元，同比增長約60.1%；MOCVD設備新增訂單約2.6億元，由于終端市場波動影響，同比下降約72.2%。

對于業(yè)績增長的原因，中微公司稱，近年隨著人工智能、云計算、大數(shù)據(jù)、自動駕駛等新興產(chǎn)業(yè)進一步加速發(fā)展，半導體微觀加工設備作為數(shù)碼產(chǎn)業(yè)的關鍵基石，其市場高速發(fā)展。公司主營產(chǎn)品等離子體刻蝕設備作為半導體前道核心設備之一，市場空間廣闊，技術壁壘較高。公司開發(fā)的多類刻蝕設備在性能、硬件穩(wěn)定性等方面滿足了客戶先進制程中各類嚴苛需求，在產(chǎn)業(yè)化推進過程中取得顯著成果。受益于公司完整的單臺和雙臺刻蝕設備布局、核心技術持續(xù)突破、產(chǎn)品升級快速迭代、刻蝕應用覆蓋豐富等優(yōu)勢，2023年公司CCP和ICP刻蝕設備均在國內(nèi)主要客戶芯片生產(chǎn)線上市占率大幅提升。

中微公司稱，公司的TSV（硅通孔，一項高密度封裝技術）硅通孔刻蝕設備也越來越多地應用于先進封裝和MEMS（微機電系統(tǒng)）器件生產(chǎn)。

此外，中微公司預計2023年度實現(xiàn)歸屬于母公司所有者的扣除非經(jīng)常性損益的凈利潤為11億元到12.4億元，同比增加約19.64%到34.86%。

中微公司表示，2023年非經(jīng)常性損益約6.12億元，較去年同期的2.50億元增加約3.62億元。非經(jīng)常性損益的變動主要系公司于2023年出售了部分持有的拓荊科技股份有限公司股票，產(chǎn)生稅后凈收益約4.06億元。

研發(fā)方面，中微公司表示，公司在新產(chǎn)品開發(fā)方面取得了顯著成效，近兩年新開發(fā)的LPCVD（低壓化學氣相沉積）設備和ALD（原子層沉積）設備，目前已有四款設備產(chǎn)品進入市場，其中三款設備已獲得客戶認證，并開始得到重復性訂單。公司新開發(fā)的硅和鍺硅外延EPI（在襯底上生長出的半導體薄膜）設備、晶圓邊緣Bevel（斜角或倒角）刻蝕設備等多個新產(chǎn)品，也會在近期投入市場驗證。

中微公司稱，公司開發(fā)的包括碳化硅功率器件、氮化鎵功率器件、Micro-LED（發(fā)光二極管微縮化和矩陣化技術）等器件所需的多類MOCVD設備也取得了良好進展，2024年將會陸續(xù)進入市場。

產(chǎn)能方面，中微公司稱，公司在南昌約14萬平方米的生產(chǎn)和研發(fā)基地已正式投入使用，上海臨港的約18萬平方米的生產(chǎn)和研發(fā)基地部分生產(chǎn)廠房已經(jīng)投入使用，支持了公司銷售快速增長的達成。

公司持續(xù)開發(fā)關鍵零部件供應商，推動供應鏈穩(wěn)定、安全，設備交付率保持在較高水準，設備的及時交付也為公司銷售增長提供有力支撐。公司特別重視核心技術的創(chuàng)新，始終強調(diào)創(chuàng)新和差異化并保持高強度的研發(fā)投入，同時公司生產(chǎn)運營管理水平不斷提升，產(chǎn)品成本、運營費用控制能力有效增強。

中微公司表示，2023年公司的MOCVD設備受LED（發(fā)光二極管）終端市場波動影響，銷售額有所下滑；而公司備品備件及服務方面則維持健康水平。

來源：中微公司公告

審核編輯：劉清