瑞薩電子與氮化鎵(GaN)器件領導者Transphorm宣布,雙方已達成最終收購協議。根據協議,瑞薩電子的子公司將以每股5.10美元的價格收購Transphorm,這一價格較Transphorm在1月10日的收盤價溢價約35%,總估值約為3.39億美元。
此次收購標志著瑞薩電子在擴展其業務范圍和加速進入快速增長市場方面邁出了重要一步。通過收購Transphorm,瑞薩電子將獲得自主的GaN技術,該技術有望在電動汽車、計算(數據中心、人工智能、基礎設施)、可再生能源和工業電力轉換等關鍵領域中發揮重要作用。
GaN技術的優勢在于其高效、高功率密度和高溫性能,這些特性使其成為下一代電力電子設備的理想選擇。通過將Transphorm的GaN技術與瑞薩電子的半導體解決方案相結合,有望推動電動汽車、數據中心和其他領域的創新和增長。
瑞薩電子的子公司表示,此次收購將為其帶來強大的技術實力和市場競爭力,并加速公司在快速增長市場中的發展。Transphorm團隊的專業知識和技術能力將為瑞薩電子的持續創新提供支持,并推動公司在未來的業務增長。
-
氮化鎵
+關注
關注
59文章
1632瀏覽量
116360 -
GaN
+關注
關注
19文章
1936瀏覽量
73501 -
瑞薩電子
+關注
關注
37文章
2867瀏覽量
72218
發布評論請先 登錄
相關推薦
評論