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失效分析一直伴隨著整個芯片產業鏈，復雜的產業鏈中任意一環出現問題都會帶來芯片的失效問題。芯片從工藝到應用都會面臨各種失效風險，筆者平時也會參與到失效分析中，這一期就對失效分析進行系統的講解，筆者能力有限，且失效分析復雜繁瑣，只能盡力的總結一些知識體系，肯定會有很多不足與缺漏。

一.失效的定義：

造成失效的原因不一而足，失效的表現也紛擾復雜，在進行失效分析之前需要確定什么是失效？

1.性能異常：

這種情況比較常見，芯片的功能正常，但是某些性能未達標。面對這種情況更多的是從設計端入手，結合測試數據與設計指標去定位原因，無論是版圖還是電路設計問題，亦或是其他原因，失效分析時都要需要很精細的去排查問題。

2.功能異常：

芯片某些功能失常，甚至芯片無法啟動。而發生這種情況的原因大致有三種：

2.1 電路設計：

芯片完全滿足電路設計要求，但是問題出在電路設計上，電路有缺陷從而導致功能異常。這種情況下很多失效分析手段都無能為力，因為問題出在設計端，所有的芯片都面臨同一問題，無法提供參照指標，沒有基線也就無法判定“好”與“壞”。只能通過FIB對各個模塊進行切割/連接，利用Nano-Probe對各個模塊進行電學性能測量，從而慢慢推斷出問題，過程會伴隨著巨大的工作量。

2.2 芯片可靠性設計：

芯片本身的電路設計沒有問題，但是芯片在物理可靠性設計上有所欠缺，從而造成芯片存在可靠性缺陷。芯片在面對EOS、ESD、EMI、應力、溫度等外界刺激時發生了損傷，從而造成了功能失常?？煽啃缘膹娙跻仓苯記Q定了芯片量產后的良率。

2.3 工藝：

這種情況在先進工藝上比較明顯，Fab的工藝出現問題從而導致芯片失效?，F在很多先進制程下的芯片最后的良率只能達到50%~60%很大因素是因為工藝上的問題（筆者的分析主要是針對已經固化的成熟工藝）。

電路功能失效的顯著特征就是普遍性，同一批都會出現相同的問題，無一幸免。而大多數因物理可靠性造成的失效都具備一定隨機性，要么失效程度不一，要么需要一定的觸發條件。因為物理可靠性的缺陷而造成某一性能發生異常的可能性也有，所以失效分析還是要基于實際情況，具體問題具體分析。（筆者也見過很嚴重的物理可靠性缺陷而導致同批芯片全部失效）

二.失效層次：

半導體器件的失效可以根據失效發生的階段劃分為三個層次：

芯片（裸片）層次：芯片層次的失效是目前出現概率最高的階段，因為現在芯片工藝與設計的復雜性，工藝偏差，設計不到位等多方面因素，都會造成芯片在制造、運輸等過程中發生失效。

封裝層次：封裝過程中鍵合失效，打線過重，粘連失效，空洞過多等因素都會造成封裝層次上的失效，隨著現在封裝技術愈發先進，封裝過程中出現失效的風險也在上升。

應用層次：下游客戶在芯片應用端造成的失效。諸如PCB板設計不合理、超出極限的應用場景等，這種情況就不表了。

三．失效分析流程：

記錄失效表現，將芯片失效的“癥狀”記錄下來，諸如短路、開路、漏電、性能異常、功能異常、時好時壞等。很多失效原因其表現出的“癥狀”是相似的，例如漏電，物理損壞能造成漏電，隔離不到位也能造成漏電，Latch-up問題也會造成漏電。

定位失效層次，在交付后的應用端發生失效，還是封裝后失效，亦或是裸片自身就有問題。三種不同層次對應不同的失效分析思路。

失效觸發條件，正常功能測試中出現失效；高低溫測試出現失效；ATE出現失效；ESD失效，封裝造成失效。（如果測試工程師能嚴格遵守靜電防護要求進行測試和設計測試板，芯片在測試過程中面臨ESD/EOS的風險很低）

統計失效概率，是隨機性的出現單顆失效還是按一定比例出現多個失效，亦或是全部芯片都出現失效。

復現失效條件，要對失效問題進行復現或追查，確認芯片失效原因，從而幫助推測失效原因。

確定失效類型，對失效類型做出推斷，從而確定失效分析的方向。如果無法通過失效結果推斷出失效類型，那么只能根據后續的測試結果進行推斷。

規劃實驗計劃，對失效原因有大致推斷后就需要進行實驗去尋找數據支撐，如果推斷比較清晰的話實驗就比較好去定位。

總結改善措施，得出失效原因的結論后就需要制定相對應的改善措施，并記錄在冊。每一次的失效結論都是拿錢砸出來的經驗教訓，也是產品公司必須要經歷的過程。

圖一.失效分析流程示意圖。

四.失效分析手段

目前國內已經有很多專業的團隊在做失效分析和測試，他們不僅具備專業的儀器設備，還會有專業人員對失效分析進行技術支持。但是筆者認為IC設計公司還是得具備一定的失效分析能力，因為整個芯片各個模塊的設計與電路指標都是設計公司確立的，版圖/后端也是設計公司做的，設計公司對整個芯片更加清楚。第三方公司能輔助定位失效點和提供技術支持，但是其對芯片的熟悉程度遠不如設計公司，設計公司應該主導失效分析。這里對幾種常見的失效分析手段進行簡介：

4.1.非破壞性分析:

4.1.1. OM（Optica Microscope）：

利用高倍數顯微鏡對芯片或者封裝表面進行視覺檢測。如圖二所示為OM結果，其中暗場技術能觀察到表面劃痕與污染，Nomarski技術能觀察到裂縫與刻蝕坑。

圖二.OM觀測結果。

4.1.2. SAT/SAM (Scanning AcousticTomography/Scanning Acoustic Microscopy) ：

SAT/SAM利用超聲波在不同介質中的反射系數，得出封裝內部的結構圖。該技術能用于檢查樣品中的空隙、裂紋和分層。而SAM的精度與分辨率是強于SAT的。

圖三.SAT/SAM觀測結果。

4.1.3.X-Ray/ Computed Tomography (CT) X-Ray：

利用X光和CT對芯片進行拍照從而得出內部結構圖。如果需要得到更詳細的內部結構，可以將樣品進行360°拍照，然后利用圖像處理技術構建出芯片的3D結構圖。

圖四.3D X-Ray 結果。

4.1.4. Decapsulation：

大部分封裝所造成失效都能通過上述手段檢測出來，但是如果需要對芯片進行檢測就得去封裝（開蓋）。目前Decapsulation的手段有兩種：1. 化學法：利用硫酸和硝酸去腐蝕開蓋。2. 激光法：利用激光將封裝熔解。

圖五.Decapsulation結果示意圖。

4.2. EFA （Electrical Failture Analysis ）：

4.2.1. Electrical Testing：

利用探針臺+半導體分析儀+電學測試設備，利用探針對芯片內部進行采樣和施加激勵，直接對電路模塊進行電學特性分析。這是最普遍的電學失效分析手段，不過探針的扎針落點有很多限制，有時得配合FIB和金屬去層才能對指定的模塊進行電學性能測量。

圖六.電學特性分析。

4.2.2. Photo Emission Microscope (EMMI InGaAs OBIRCH)

其中關于EMMI之前已經介紹過，傳統EMMI的探頭為CCD，而InGaAs是EMMI的一種探頭，兩者的接收波段有區別，且InGaAs更加快速與靈敏。

圖七.EMMI、InGaAs、Thermal波段范圍。

OBIRCH是利用紅外激光照射局部位置引起熱梯度造成局部電阻變化，從而觀察到電流變化。阻抗異常其電流變化會與其它地方不同，從而定位失效點。EMMI InGaAs OBIRCH是三種應用非常廣泛的FA手段，其結果不如SEM， X-Ray等技術直觀，且依賴偏置條件，但是能快速定位失效點，其應用場景遠比SEM等廣泛，是主流的失效分析手段之一。日后筆者會總結EMMI的分析心得，進行EMMI前最好先對失效點及失效原因有個推斷，然后給予適當的偏置條件。

4.3.PFA （Physical Failure Analysis）

物理失效分析就需要對芯片進行一些物理處理，其中最主要的處理方式一個是縱刨，一個是金屬去層?？v刨的樣品制備包括清洗、安裝然后將樣品放入聚酯或環氧樹脂中。

圖八.縱刨SEM圖像。

去層工藝使用化學溶液/氣體蝕刻和機械拋光來緩慢、精確地去除芯片上的每一層金屬。

圖九.金屬去層示意圖。

4.3.1.FIB (Focus Ion Beam):

FIB是IC設計公司最常用的失效分析手段之一，這里就不贅述了。

淺談失效分析—FIB聚焦離子束加工技術簡介

4.3.2.SEM（Scanning Electron Microscope ）：

SEM也是常用手段之一，因為其放大倍數很大，所以利用其他手段確認失效點后便可利用SEM進行直觀觀察，從而確認失效原因。SEM可以對表面進行觀察，也可配合縱刨技術對截面進行觀察。

4.3.3 SCM（Scannin Capacitance Microscope）：

掃描電容顯微鏡，這種顯微鏡主要是利用探針對半導體器件施加信號，然后測量C-V曲線，從而確定半導體器件的摻雜類型。

而類似AFM、TEM、EDX、XPS、XRD等微觀物相測量手段，一般是Fab進行更深層次的失效分析時才會用到，Design House一般不需要介入如此深的物相表征。

因為失效分析比較特例化，很難總結出一套通用的細則，且能產生芯片失效的可能性不勝枚舉。筆者認為失效分析更需要經驗的積累，只有見多識廣后才能總結出失效的規律與普遍特征，筆者還有很長的路要走，也希望大家多多交流，畢竟一個人的見識總歸是有限的。

原作者：番茄ESD小棧

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審核編輯 黃宇