今天想聊一聊STA相關的RC corner的問題。我先簡單介紹一些什么是signoff的corner，然后重點聊一聊RC corner。

芯片在工作的時候，不同的工藝、電壓、溫度會影響芯片的性能，我們不能保證所有芯片都工作在相同的環境中，比如我們的手機在東北要能用，在東北的澡堂子也要能用，所以我們必須要在不同環境下一一檢查芯片，確保不會出現錯誤才行。

一般說來，我們只要檢查幾個極端的環境，讓芯片工作最快的時候和最慢的時候都滿足要求，那么一般的環境也就可以滿足。我們就稱這些極端的環境為corner。一般setup檢查要對應最快的corner，hold檢查要對應最慢的corner。

在眾多環境因素中，有一項是net的寄生參數RC值，它可以反映net的delay大小。大學的時候都學過RC電路一階相應，公式已經不記得了，只記得電路RC值越大，電路充放電越慢，RC越小，充放電越快。所以一般來說，net的電容越小，電阻越小，這段net的delay就越小。

一段net的R值很容易理解，C值怎么算呢？如果我沒記錯的話，這里的電容包含三個部分：同層金屬線間的耦合電容，導線對地電容，還有一個導線側面對地的邊緣電容。

要算delay不能簡單只看net上的RC值，畢竟供電是從前面的driving cell來的，因此還要考慮driver的RC。

在早期工藝，一般cell的R值都遠大于net的R值，與C相乘的時候net的R就可以忽略不計，所以對于一條net來講，它的C是我們要重點關注的，可以說這時候電容占主導地位。C最大的時候，net delay最大，C最小的時候，net delay最小。由此我們衍生出兩個corner：

cbest(Cmin) cworst(Cmax)

講到這里我突然想強調一點，這兩個corner都是針對同一條net而言的，就是說其實芯片的net上的RC值并不是一個定值，在實際工作時會在一個范圍內浮動，我們通過抽RC的工具就可以確定這個浮動范圍，然后選擇上面講的兩個極值作為我們的兩個RC corner。

而后，隨著工藝的進步，cell的R值不再“遠大于”net的R值，尤其對比較長的net，它的電阻已經到了不可忽略的地步，因此再單單選用C的極大極小來代表net delay的極大極小變得不再那么可取，所以我們要綜合考慮net的RC情況。

具體過程有點復雜，為了方便理解，我就講一下我自己理解的簡化版本。我們要考慮的是（cell電阻+net電阻）（cell電容+net電容），把這個式子展開后可以得到一項cell電阻cell電容，可以先忽略，第二項net電阻net電容，以及cell電阻net電容+cell電容*net電阻。Net上電容和電阻有一定負相關性，外界環境變化時，net電容如果減小，電阻一般會變大。

當net的電阻大到一定成都，cell電阻小到一定程度，net上的RC相乘的積就能占主導地位，這個積的極值就可以代表net的delay的極值。一般來說RC最大的時候，C要比Cmax稍微小一點，R和Rmax差不太多。這樣我們就又有兩個corner：

Rcbest rcworst

并不是說在先進工藝下cbest cworst corner就沒用了，實際上，只有當導線比較長的時候，delay的極值才會發生在rcbest和rcworst的corner上，對于短導線、driver電阻很大的時候，cbest和cworst才能反映delay的極值。所以實際為了穩妥起見，這四個corner我們都會進行signoff。

另外如果考慮DPT（double pattern technology），corner名字后面會再帶一個CCworst或者CCbest。考慮OCV的variation還有可能帶一個字母T。這些就是比較深入的了，我也要繼續學習才行呀。