1 引言

功率MOSFET在電力電子設備中應用十分廣泛，因其故障而引起的電子設備損壞也比較常見。分析研究功率MOSFET故障的原因、后果，對于MOSFET的進一步推廣應用具有重要意義。

其中MOSFET的雪崩擊穿失效導致的故障是功率MOSFET比較典型的故障之一。本文就對功率MOSFET雪崩擊穿的特性，以及在電源案例中的典型故障進行了簡單的分析，來全方位的理解功率MOSFET的雪崩失效現象。

2 功率MOSFET雪崩擊穿理論分析

在功率MOSFET雪崩分析之前，需要對數據手冊中的相關參數進行說明。一般數據手冊中包含如下圖所示的單脈沖雪崩能量EAS、重復脈沖雪崩能量EAR、單次脈沖雪崩電流IAS等。這些參數反映了該功率MOSFET的雪崩能力。

圖1 MOSFET的相關雪崩參數

圖2為MOSFET的體內等效電路，闡述了雪崩擊穿的原因。其中含有一個寄生的雙極性晶體管V2，它的集電極、發射極同時也是MOSFET的漏極和源極。當MOSFET漏極存在大電流Id，高電壓Vd時，器件內電離作用加劇，出現大量的空穴電流，經Rb流入源極，導致寄生三極管基極電勢Vb升高，出現所謂的“快回(Snap- back) ”現象，即在Vb升高到一定程度時，寄生三極管V2導通，集電極（即漏極）電壓快速返回達到晶體管基極開路時的擊穿電壓（增益很高的晶體管中該值相對較低），從而發生雪崩擊穿，如圖2所示。

(a) 功率MOSFET體內等效電路圖

(b) 外部分析電路

圖2 MOSFET 等效電路

圖3 雪崩擊穿時I -V 曲線

3 功率 MOSFET 雪崩擊穿的微觀分析

雙極性器件在發生二次擊穿時，集電極電壓會在故障瞬間很短時間內(可能小于1ns)衰減幾百伏。這種電壓銳減主要是由雪崩式注入引起的， 主要原因在于：二次擊穿時， 器件內部電場很大， 電流密度也比較大， 兩種因素同時存在， 一起影響正常時的耗盡區固定電荷，使載流子發生雪崩式倍增。

對于不同的器件，發生雪崩式注入的情況是不同的。對于雙極性晶體管，除了電場應力的原因外， 正向偏置時器件的熱不穩定性， 也有可能使其電流密度達到雪崩式注入值。而對于MOSFET，由于是多數載流子器件，通常認為其不會發生正向偏置二次擊穿，而在反向偏置時， 只有電氣方面的原因能使其電流密度達到雪崩注入值， 而與熱應力無關。以下對功率MOSFET 的雪崩擊穿作進一步的分析。

如圖2所示，在MOSFET 內部各層間存在寄生二極管、晶體管（三極管）器件。從微觀角度而言，這些寄生器件都是器件內部 PN 結間形成的等效器件，它們中的空穴、電子在高速開關過程中受各種因素的影響，會導致MOSFET 的各種不同的表現。

導通時，正向電壓大于門檻電壓，電子由源極經體表反轉層形成的溝道進入漏極，之后直接進入漏極節點；漏極寄生二極管的反向漏電流會在飽和區產生一個小的電流分量。而在穩態時，寄生二極管、晶體管的影響不大。

關斷時，為使MOSFET體表反轉層關斷，應當去掉柵極電壓或加反向電壓。這時，溝道電流 (漏極電流)開始減少， 感性負載使漏極電壓升高以維持漏極電流恒定。漏極電壓升高，其電流由溝道電流和位移電流（漏極體二極管耗盡區生成的，且與dVDS /dt成比例）組成。漏極電壓升高的比率與基極放電以及漏極耗盡區充電的比率有關；而后者是由漏－源極電容、漏極電流決定的。在忽略其它原因時，漏極電流越大電壓會升高得越快。

如果沒有外部鉗位電路，漏極電壓將持續升高，則漏極體二極管由于雪崩倍增產生載流子，而進入持續導通模式(Sustaining Mode)。此時，全部的漏極電流（此時即雪崩電流）流過體二極管，而溝道電流為零。由上述分析可以看出，可能引起雪崩擊穿的三種電流為漏電流、位移電流(即dVDS/dt電流)、雪崩電流，三者理論上都會激活寄生晶體管導通。寄生晶體管導通使MOSFET由高壓小電流迅速過渡到低壓大電流狀態，從而發生雪崩擊穿。

4 雪崩擊穿時能量與溫度的變化

在開關管雪崩擊穿過程中，能量集中在功率器件各耗散層和溝道中，在寄生三極管激活導通發生二次擊穿時，MOSFET會伴隨急劇的發熱現象，這是能量釋放的表現。以下對雪崩擊穿時能量耗散與溫升的關系進行分析。

雪崩擊穿時的耗散能量與溫升的關系為

其中，A是硅片面積，K常數與硅片的熱性能相關。

而雪崩能量為

由上述公式可以看出，在功率MOSFET發生雪崩擊穿時，器件溫度與初始功率，以及器件本身的性能有關。在雪崩擊穿后如果沒有適當的緩沖、抑制措施， 隨著電流的增大，器件發散內部能量的能力越來越差， 溫度上升很快， 很可能將器件燒毀。

5 雪崩能量的測量

雪崩能量通常在非鉗位感性開關UIS條件下測量，通常包括二組值：單脈沖雪崩能量EAS和單脈沖雪崩電流IAS，重復脈沖雪崩能量EAR和重復脈沖雪崩電流IAR。單脈沖雪崩能量和雪崩電流的測試的電路有二種：去耦的EAS測量電路和非去耦的EAS測量電路，如圖4、圖5所示。

圖4 去耦的EAS測量電路

圖5 非去耦的EAS測量電路

對于一些中、低壓的器件，VDS - VDD變得很小，使用非去耦電路測量會產生較大的差異，因此對于中、低壓的功率MOSFET，通常使用去耦的EAS測量電路。

在去耦的EAS測量電路中，當測試的功率MOSFET和控制管同時關斷時，由于MOSFET的D、S之間有寄生電容CDS，因此在二極管導通續流時，電感L和CDS形成諧振回路，L的電流降低使CDS上的電壓上升，直到電感的電流為0時，續流二極管D自然關斷，電感L中儲存的能量應該全部轉換到CDS中。

如果電感L=0.1mH，IAS=10A，CDS=1nF，理論上，電壓VDS為：

得VDS=3100V。

這樣高的電壓值是不可能的，那么為什么會有這樣的情況？從實際的工作原理來看，MOSFET的D、S內部相當于一個反并聯的二極管。當這個二極管兩端加上反向電壓，因此其工作在反向工作區，隨著VDS增加，高過BVDSS，增加到接近于對應二極管的鉗位電壓時，VDS的電壓就不會再明顯的增加，而是維持在鉗位電壓值基本不變。此時，MOSFET工作于雪崩區，最大的平臺鉗位電壓就是雪崩電壓。

為了保障MOSFET工作在雪崩區不失效，還必須考慮MOSFET的雪崩能量與溫升的關系，

比如在去耦的EAS測試電路中，單次雪崩能量為

雪崩功率為

結合式(2), (4), (5)可以得出雪崩功率，再由式(6)即可估算出MOSFET的節溫的溫升。

圖6給出了兩個不同的估算結果，差異還是比較大的，所以具體應用時，應以具體的條件參數估算溫升，防止過溫損壞。

圖6 不同測試條件下的溫升測試結果

6 雪崩能量的失效機理

功率MOSFET的雪崩損壞有三種模式：熱損壞、寄生三極管導通損壞和VGS尖峰誤觸發導通損壞。

1) 熱損壞

功率MOSFET在功率脈沖的作用下進入雪崩的工作狀態，VDS電壓增加，體到epi-結的電場也增加，當場強增加到臨界值時（硅中大約為300kV/cm），產生載流子的雪崩倍增，導致電流突然急劇增加。雪崩倍增并不是一個損壞的過程，在這個過程中，由于功耗增加導致硅片的結溫升高，當結溫升高到硅片特性允許的臨界值，失效將發生。

2) 寄生三極管導通損壞

前文已詳細分析了雪崩現象的產生。寄生三極管的失效分為熱擊穿和二次擊穿，如圖7所示。

熱擊穿：耗散功率轉化為熱，使集電結結溫升高，集電結結電流進一步增大，使三極管燒毀。

二次擊穿：局部大電流導致三極管燒通，使VCE擊穿電壓急劇降低，IC電流增大，使三極管燒毀。

圖7 寄生三極管雪崩失效

3) VGS尖峰誤觸發導通損壞

功率MOSFET在雪崩過程中硅片的溫度升高，VGS的閾值急劇降低，同時在雪崩過程中，VDS的電壓耦合到G極，在G、S上產生的電壓VGS高于的閾值，MOSFET誤觸發而開通，導致瞬態的大電流流過硅片局部區域，產生電流熔絲效應，從而損壞功率MOSFET，在這個過程中，通常也會疊加寄生三極管導通的損壞機理。在實際應用中，UIS雪崩較少以這種方式發生失效。

7 雪崩能量的應用與預防措施

在實際的應用中，雪崩的損壞常發生在過壓過流高溫等極端條件下。如高溫下，系統輸出短路及過載測試，輸入過電壓測試以及動態的老化測試中，MOSFET的損壞需要考慮雪崩能量導致的擊穿。

MOSFET的電壓尖峰產生時，例如反激應用，MOSFET關斷時會產生較大的電壓尖峰：VIN+輸出反射電壓+漏感，這時需要考慮雪崩能量，必要時，需加一些防護措施(加鉗位電路)，保證MOSFET不被損壞。

發生在電感上的沒有預料到的瞬態電壓，如輸出短路時，變壓器原邊電感飽和，引起瞬態大電流的變化，器件需要考慮雪崩擊穿的可能。相應的預防措施有a) 加開短路的系統響應，以降低漏極電流；b) 優化電路以及變壓器設計，減小漏感和線路雜散電感；c) 加緩沖電路抑制di/dt.

8 總結

本文闡述和分析了MOSFET的雪崩現象的相關問題，包括雪崩擊穿的理論分析，雪崩能量以及溫升的關系，雪崩能量的測量和應用中如何考慮雪崩現象和相關的預防措施。今后在工作中可以針對MOSFET的使用以及失效時有一個更明確的認識和分析，給出更具有針對性的措施。