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比較器內(nèi)部電路原理分析

CHANBAEK ? 來源:NB硬件實踐知識共享包 ? 作者:硬件牛馬 ? 2023-11-30 15:03 ? 次閱讀

我們先來看下ST的LM339DT手冊中給的內(nèi)部電路圖:我們將這個電路分成幾個模塊便于我們理解;

我們分析內(nèi)部電路是為了更好的理解這個器件;

圖片

我們先看下下面電路,我們看左半邊電路:Q1三極管的基極和集電極相連接;

我們來分析:

1.我們知道二極管具有鉗位功能,而三極管的BE就相當于一個二極管,所以圖中基極電壓為0.7V(這里為了方便理解,我們統(tǒng)一用0.7V),即A點電壓為0.7V,即集電極電壓為0.7V;這里Q1三極管導通,Vce = 0.7V,我們知道三極管飽和導通ce壓降接近0.3V,所以這里滿足放大條件;

我們知道Ie = Ib +Ic = (1+β)Ib;

這里Ic = (5V-0.7V)/R1;

2.我們再結合右邊電路一起看,一般我們?yōu)榱吮WC芯內(nèi)部的穩(wěn)定性和對稱性,內(nèi)部晶體管一般都在同一個晶圓上切割,保證晶體管功能盡可能一樣;

我們看Q1和Q2的基極電流由Q1的集電極提供,因為Q1和Q2的對稱,故流進Q1和Q2的基極電流相等,則有Q2的Ic2等于Q1的Ic1,這里的R1和R2阻值是相等的,那么B點電壓是多少?

供電電源相等,電阻相等,電流相等,故VB =0.7V;

所以這個電路也叫鏡像電流源電路,右邊電路相當于左邊的鏡像;

圖片

我們再分析,如果R2R1,B點電壓又怎么變化?我們思考下:

我們看如果R2Ic1,這里的Ic2意思是相比于左半電路,Q2集電極可以允許的最大電流變大了,Q2往放大狀態(tài)走,即VB > 0.7V;

同理,如果R2>R1,那么Ic2

綜上我們可以得出,只要我們控制上述兩邊集電極的Ic電流即可控制B點電壓輸出是0.7V以上還是0.7V以下;

芯片中,內(nèi)部無法集成電阻,所以我們用三極管代替:這里我們用P三極管;這里的A,B點就是比較器輸入,接的100uA電流源是限流用的;我們知道比較器輸入端阻抗大,那么這里滿足么,我們按照三極管放大倍數(shù)百倍來看,即2端的基極電流為nA級別,為了滿足輸入阻抗,它又分別加了一級;

圖片

即:優(yōu)化后電路:我們再加一級P管即可滿足要求,那么這里也對輸入有了要求,我們來看三極管需要導通,這里A,B點輸入電壓不能超過VCC-1.4V;

圖片

同時手冊中也給出了相應的指標:輸入電壓不能超過VCC+ - 1.5V;和我們理論推出相符合;

圖片

接下來繼續(xù),我們通過比較A,B電壓大小從而控制Ic電流,最終控制上述C點電位變化,比較器需要輸出高低狀態(tài),所以我們需要C點后面接三極管,通過三極管來放大前端的小變化;

圖片

我們來分析:

  1. 當c點電壓大于0.7V時,Q1三極管導通,Q2基極被拉到地,截止,輸出高阻態(tài);
  2. 當c點電壓小于0.7V時,Q1三極管截止,Q1集電極100uA電流流進Q2基極,使其飽和導通,輸出低電平;
  3. 我們在比較器輸出端加上拉電阻時,要注意這里的100uA,必須使輸出端Ic < β*100uA, 即讓Q2飽和導通,輸出VCC;

我們再看下圖中的二極管作用:我們在三極管選型時應該都注意過一個參數(shù),就是BE反向耐壓:我們看下手冊:一般在5V左右,所以我們在三極管be兩端并聯(lián)一個二極管進行保護;

圖片

圖片

這是我個人理解,如果有其他觀點也可以發(fā)出來,大家一起討論;

今天就介紹到這里,感謝大家閱讀;

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