如今，功率半導體使用最廣泛的材料是硅。硅的生產成本低廉，而且該技術廣為人知。然而，還有其他材料，即所謂的復合功率半導體，如碳化硅和氮化鎵，它們是更有效的電導體。這意味著在任何電源轉換過程中，通過熱量損失的能量更少，這具有減少對昂貴冷卻系統的需求以及降低電力電子單元的尺寸和重量的額外好處。

詳細了解什么是碳化硅功率模塊、它們的工作原理以及為什么碳化硅在特定應用中是首選。

什么是碳化硅（SiC）？

碳化硅（SiC）比我們的太陽系更古老，最早是在4億年前的隕石中發現的。但直到現在，碳化硅才已經工業化到現在在商業和技術上與硅競爭的程度。

碳化硅結合了具有獨特電氣特性的硅（Si）和碳（C），可以為各種應用構建高性能半導體。

什么是碳化硅（SiC）功率模塊？

碳化硅功率模塊是使用碳化硅半導體作為開關的功率模塊。

碳化硅功率模塊用于轉換電能，是電流和電壓的乘積，轉換效率高。

為什么碳化硅（SiC）功率模塊是某些應用的首選？

碳化硅作為一種半導體具有寬禁帶，用于MOSFET時，它具有非常低的開關損耗，因此與常規硅器件相比，它允許更高的開關頻率。同時，與傳統的硅半導體相比，它可以在更高的溫度和更高的電壓下工作。

碳化硅功率半導體的使用預計將呈指數級增長，因為它具有關鍵的效率特性，可以降低成本，同時提高各種應用的系統性能，如電動汽車充電器、太陽能逆變器、電動汽車和電機驅動。

碳化硅（SiC）功率模塊與當今硅（Si）器件相比的優勢

與基于IGBT的功率模塊相比，SiC具有以下幾個優點：

更快的開關意味著更低的開關損耗，對無源元件的需求更少，從而減小了系統尺寸

適用于高開關頻率

高阻斷電壓

更高的結溫

高電流密度意味著更高的緊湊性和更高的功率密度

審核編輯：劉清