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電源電路的基本元器件(1)電阻

jf_pJlTbmA9 ? 來(lái)源:硬件十萬(wàn)個(gè)為什么 ? 作者:硬件十萬(wàn)個(gè)為什么 ? 2023-12-06 15:33 ? 次閱讀

本文轉(zhuǎn)載自: 硬件十萬(wàn)個(gè)為什么微信公眾號(hào)

電源中,電阻主要應(yīng)用在:分壓反饋電阻、配置開關(guān)頻率,PowerGood上拉,限流點(diǎn)設(shè)置,環(huán)路補(bǔ)償,RC吸能,MOSFET驅(qū)動(dòng)限流。

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1、輸出電壓設(shè)置

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(上式中,分子應(yīng)該為RH)。通過兩個(gè)電阻對(duì)輸出電壓進(jìn)行分壓,連接到電壓反饋管腳,實(shí)現(xiàn)反饋電壓,最終這個(gè)電壓信號(hào)芯片內(nèi)部作為控制占空比的依據(jù)。

2、通過EN管腳控制啟動(dòng)

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使用以下等式設(shè)置輸入啟動(dòng)電壓和輸入電壓的外部滯后。

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這里, iHYS=10uA,VEN =1.2V 這兩個(gè)參數(shù)是由電源控制器芯片內(nèi)部決定的。

3、設(shè)置開關(guān)頻率

對(duì)于給定的開關(guān)頻率fSW,RT電阻可通過以下等式計(jì)算。

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振蕩器頻率程序輸入。將一個(gè)電阻器從該引腳連接到AGND,對(duì)內(nèi)部振蕩器頻率進(jìn)行編程

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4、電流檢測(cè)和過流保護(hù)

利用MOSFET RDS(ON)進(jìn)行電流檢測(cè),可以實(shí)現(xiàn)簡(jiǎn)單且經(jīng)濟(jì)高效的電流檢測(cè)。它使用恒定導(dǎo)通時(shí)間谷值模式電流檢測(cè)架構(gòu)。上管導(dǎo)通固定的時(shí)間,此后底部開關(guān)導(dǎo)通,其RDS壓降用于檢測(cè)電流最小值或電流下限。

或者干脆串一個(gè)電阻專門檢測(cè)這個(gè)電流。

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電流檢測(cè)還有其他方法,此處就不一一展開,硬十已經(jīng)有其他文章講解。可以在公眾號(hào),搜索“電源合集”

5、MOSFET驅(qū)動(dòng)

高壓側(cè)驅(qū)動(dòng)器設(shè)計(jì)用于驅(qū)動(dòng)大電流、低RDS(ON)N-MOSFET。當(dāng)配置為浮動(dòng)驅(qū)動(dòng)器時(shí),VCC電源提供7.5V(或10V)的偏置電壓。在VGS=7.5V(或10V)乘以開關(guān)頻率時(shí),平均驅(qū)動(dòng)電流也等于柵極電荷。瞬時(shí)驅(qū)動(dòng)電流由BST和SW引腳之間的自舉電容器提供。驅(qū)動(dòng)能力由其內(nèi)阻表示,BST到UGATE的內(nèi)阻為1.5Ω,UGATE到SW的內(nèi)阻為0.9Ω。

低壓側(cè)驅(qū)動(dòng)器設(shè)計(jì)用于驅(qū)動(dòng)大電流、低RDS(ON)N-MOSFET。驅(qū)動(dòng)能力由其內(nèi)阻決定,VCC到LGATE的內(nèi)阻為1.5Ω,LGATE到GND的內(nèi)阻為0.9Ω。VCC電源提供7.5V(或10V)的偏置電壓。瞬時(shí)驅(qū)動(dòng)電流由連接在VCC和GND之間的輸入電容器提供。平均驅(qū)動(dòng)電流等于VGS=7.5V(或10V)乘以開關(guān)頻率時(shí)的柵極電荷。該柵極驅(qū)動(dòng)電流以及高側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)電流乘以7.5V(或10V)產(chǎn)生需要從器件封裝中耗散的驅(qū)動(dòng)功率。

這里提到的1.5Ω和0.9歐姆都是器件內(nèi)部的電阻。由于MOSFET打開的過程中需要對(duì)MOSFET的寄生電容充電,所以這個(gè)瞬間電流比較大,有時(shí)會(huì)導(dǎo)致VCC或者BST電壓跌落,導(dǎo)致內(nèi)部邏輯錯(cuò)亂,驅(qū)動(dòng)邏輯錯(cuò)誤導(dǎo)致丟失驅(qū)動(dòng)脈沖,從而導(dǎo)致輸出異常。所以有時(shí)我們會(huì)串一個(gè)電阻,用于調(diào)試。但是這個(gè)電阻會(huì)因?yàn)镽C充放電延時(shí),影響MOSFET控制時(shí)序。我們電阻選型阻值也不能太大。

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6、PowerGood上拉電阻

(PG)輸出是一個(gè)電源準(zhǔn)備就緒的一個(gè)指示,一般是OD信號(hào),需要上拉。PG引腳是MOSFET的開放漏極。通過電阻器(10kΩ至100kΩ)連接到電壓源(如Vout)。當(dāng)FB電壓超過內(nèi)部參考電壓VREF的94%時(shí),內(nèi)部比較器檢測(cè)到電源良好狀態(tài),電源良好信號(hào)變高,延遲時(shí)間可以為36us。如果反饋電壓低于目標(biāo)值的92%,則功率良好信號(hào)變低。

7、環(huán)路補(bǔ)償網(wǎng)絡(luò)設(shè)計(jì)

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在環(huán)路補(bǔ)償網(wǎng)絡(luò)設(shè)計(jì)中,會(huì)運(yùn)用電阻形成運(yùn)放的周邊,實(shí)現(xiàn)若干個(gè)極點(diǎn)和零點(diǎn),從而改變反饋環(huán)路的波特圖特性。

相關(guān)波特圖的測(cè)試和講解,可以登錄《硬十課堂》搜索“環(huán)路”

審核編輯 黃宇

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