什么是TLP測試

我們比較熟悉的ESD模型和評估手段是人體模型HBM、機器模型MM、充電模型CDM，IEC模式等，這些靜電模型直接模擬了現實中的某種靜電形式。

TLP：Transmission Line Pulse，傳輸線脈沖與以上模型不同，并非模擬現實中的靜電形式，而是通過納秒級別方波脈沖，獲得I-V曲線的方式，雖然不能完全模擬現實情況，但是具有在記錄失效級別的同時也能獲得芯片具體表現的優勢。

芯片的具體表現也就是阻抗特性=電壓/電流（I-V曲線），可通過持續增加電壓直到芯片損壞得到，因此常常在芯片研發階段使用，以獲得防護器件的關鍵性能參數，便于在生產制造過程中調整相關的設計，從根本上提高產品的ESD防護能力，保證良率。

TLP short pulse

如下圖所示,TLP 測試使用短脈沖的方波(比如100ns)且持續增加的形式進行測試，占空比小，產生熱量少，最終得到Turn-on time，Snapback voltage，Performance changes with rise time（比如2ns,10ns等）TLP測試的脈寬一般為100ns或者30-500ns（超快TLP為1ns-10ns）, 上升時間一般0.2ns-10ns。不管是封裝好的芯片還是芯片晶圓都可以進行TLP測試。

TLP如何工作

電源給左邊的cable 充電，充好電開啟TLP的開關，到DUT,從而產生電壓。Charger line cable 長度決定脈沖的寬度，上升沿決定于TLP開關后面的低通濾波器。

TLP如何測量

分別使用電壓探頭和電流探頭測量DUT側電壓和電流，通過電壓/電流就可以得到阻抗等信息。