在充電市場中，PD電源以其產(chǎn)品的特點優(yōu)勢正在不斷的蠶食傳統(tǒng)的電源適配器的營銷份額，尤其是在手機端跟電腦端更為明顯。對于PD電源廠家該如何持續(xù)的提升自身產(chǎn)品力呢？

本文將從產(chǎn)品的半導體元器件使用的角度來給予建議，對于PD電源是否有比較適用而又能代替IPT015N10N5場效應管的產(chǎn)品呢？

實際在國產(chǎn)市場中，目前已經(jīng)有一款385A電流、100V電壓參數(shù)的MOS管，能更適合的使用在PD電源中。市場上能持續(xù)供貨的就有FHL385N1F1A這款產(chǎn)品，它是可替代IPT015N10N5場效應管使用的國產(chǎn)MOS管。

因其參數(shù)，便決定它能夠進行替換IPT015N10N5型號參數(shù)，讓PD電源更安全。它是由國內專注研發(fā)20年的MOS管廠家生產(chǎn)，它作為MOS管源頭廠家生產(chǎn)的產(chǎn)品，是可以替換IPT015N10N5型號參數(shù)的場效應管。

當然對于電子工程師一定要詳細了解產(chǎn)品的參數(shù)，那我們來看看飛虹這款FHL385N1F1A的具體產(chǎn)品參數(shù)：

具有385A、100V的電流、電壓， RDS(on) = 1.5mΩ(MAX) @VGS = 10 V，RDS(on) =1.3mΩ(TYP) @VGS = 10 V，最高柵源電壓@VGS =±20 V。

FHL385N1F1A是一款N溝道增強型場效應晶體管，F(xiàn)HL系列產(chǎn)品采用TOLL-8L封裝外形，其封裝產(chǎn)品具有低封裝內阻、低寄生電感、小體積、低熱阻等特點。

這款產(chǎn)品還具體參數(shù)值為：Vgs（±V）：20；VGS（th）：2.0-4.0V；ID（A）：385A；BVdss（V）：100V。

最大脈沖漏極電流（IDM ）：1540（A）、靜態(tài)導通電阻（typ）：1.3mΩ、反向傳輸電容：940pF。

在PD電源中，MOS管（金屬氧化物半導體場效應管）主要扮演著開關和調節(jié)電流的角色。因此選擇能替代IPT015N10N5場效應管一定要選擇優(yōu)質的國產(chǎn)MOS管。

在國產(chǎn)化的場效應管替換使用過程中，飛虹國產(chǎn)型號：FHL385N1F1A型號參數(shù)來替換IPT015N10N5型號。它工業(yè)級的產(chǎn)品特點，讓其能更廣泛使用在PD電源、電池管理系統(tǒng)（BMS）、同步整流、電動摩托車72V蓄電池電機控制、電動四輪觀光車、鋰電保護、通信電源等高功率密度應用場景；mos管品牌替代型號：IPT015N10N5。

100V、385A 的MOS管替換使用，選對的型號參數(shù)是很重要。飛虹已獲得實用專利及發(fā)明15項，并與中山大學、中科院合作研發(fā)GaN器件。飛虹產(chǎn)品已經(jīng)在PD電源、DC/DC轉換器、BLDC電機驅動中獲得廣泛應用，幫助合作伙伴解決符合國情、符合國際質量的國內優(yōu)質產(chǎn)品。除提供免費試樣外，更可根據(jù)客戶需求進行量身定制MOS管產(chǎn)品。

審核編輯：湯梓紅