1. 串聯(lián)分壓
DC-DC的反饋電阻,串聯(lián)分壓后給芯片內(nèi)部的誤差放大器做運(yùn)算,控制輸出電壓的大小,以達(dá)到穩(wěn)定輸出的目的。反饋電阻在Layout的時(shí)候需靠近芯片放置(盡量讓藍(lán)色線最短,以保證最小的寄生參數(shù)),電壓采樣走線(第二張Layout的藍(lán)色線)需要避開功率環(huán)路(高dv/dt和高di/dt環(huán)路,防止被干擾)。
在大壓差的情況下使用LDO,可以用電阻串聯(lián)分壓,降低LDO的發(fā)熱量,此應(yīng)用需要注意電阻的額定功率,以及電阻的取值大小。
分壓后給單片機(jī)ADC做采集(原電壓范圍大于單片機(jī)ADC采集范圍),例如:采集3.7V鋰電池電壓(最大4.2V)。必要時(shí)可以加一級(jí)電壓跟隨器減小該分壓電路的輸出阻抗,和達(dá)到更強(qiáng)的驅(qū)動(dòng)能力。
NTC電阻(負(fù)溫度系數(shù)電阻,溫度上升電阻值減小)測(cè)量溫度,需要用分壓電阻將分壓后的值交給單片機(jī)采集,單片機(jī)再通過所采集到的電壓反推NTC電阻的電阻值,然后再根據(jù)NTC電阻的電阻值去計(jì)算所測(cè)得的溫度。
2. 并聯(lián)分流
用在電阻功率不夠用,并聯(lián)分?jǐn)偣β剩缟厦嫠f的給LDO分?jǐn)偣β省R部梢圆⒙?lián)改變電阻阻值,例如手頭沒有500Ω的電阻,可以用兩個(gè)1kΩ的電阻并聯(lián)。再或者如下圖通過控制MOS管的導(dǎo)通或截止通過電阻的并聯(lián)來動(dòng)態(tài)控制反饋電阻的大小,以控制輸出電壓。
3. 電流采樣
在一些使用場(chǎng)景需要監(jiān)控電路的電流情況,例如電機(jī)控制板(檢測(cè)電機(jī)是否堵轉(zhuǎn),如果堵轉(zhuǎn)電流會(huì)增大),或者恒流源的反饋和一些恒流驅(qū)動(dòng)電路也需要采樣電阻,當(dāng)電流流過采樣電阻時(shí),電阻上會(huì)產(chǎn)生壓降,然后再通過單片機(jī)或者一些處理芯片,運(yùn)算放大器或者比較器等,對(duì)采樣到的電壓做處理或者計(jì)算電路上流過的電流。
4. RC濾波
可以通過RC濾波電路衰減一些干擾信號(hào)和外界的干擾噪聲。電源端口和信號(hào)端口都可以使用,例如下圖的T-CARD供電端口(需要注意電阻的大小,太大了會(huì)影響到負(fù)載電壓)。
5. 阻抗匹配
例如一些USB,或者時(shí)鐘線等,需要串聯(lián)電阻阻抗匹配以確保信號(hào)完整性。
6. 上下拉電阻
一些開漏OD門/開集OC門輸出的應(yīng)用中需要加上拉電阻,比如一些比較器的輸出是開漏輸出,此種情況需要加上拉電阻。
IIC的輸出也是開漏輸出,此種情況也需要加上拉電阻。
一些信號(hào)線上也加上拉或者下拉電阻,以增加信號(hào)的抗干擾能力,雖然大多數(shù)單片機(jī)內(nèi)置了上拉電阻或者下拉電阻,但是芯片內(nèi)部的上下拉電阻往往很大,屬于弱上拉,弱下拉(50k或更大),推薦還是外部加一個(gè)上拉或下拉電阻(4.7kΩ或者10kΩ),例如下圖的串口加上拉可以抗干擾(對(duì)于串口而言,低電平為起始位)。
7. ESD防護(hù)
芯片的IO加個(gè)電阻,對(duì)ESD有好處,電阻會(huì)吸收掉一部分能量,可以較好的保護(hù)芯片IO。
8. 限流
如下圖,三極管的基極電阻,以及蜂鳴器的串聯(lián)電阻,均為限流作用。
9. 電容放電
比如下面的阻容降壓,電容上的并聯(lián)電阻就是為了當(dāng)負(fù)載斷開以后為降壓電容提供放電回路,一般安規(guī)有要求,在拔掉電源以后,電壓要在一定時(shí)間內(nèi)衰減到多少,就是靠這個(gè)泄流電阻。(圖來自公眾號(hào):矜辰所致)
10. RC吸收電路
消除振鈴,衰減高頻噪聲,在開關(guān)電源中通常加在開關(guān)節(jié)點(diǎn)對(duì)GND。
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