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鈮酸鋰的應(yīng)用-射頻濾波器

jf_tyXxp1YG ? 來源:中科聚智 ? 2023-10-16 10:27 ? 次閱讀

無線通信技術(shù)在過去的幾十年中,迅速發(fā)展,通信行業(yè)經(jīng)歷了從2G、3G、4G5G的巨大跨越。濾波器作為選頻濾波器件,直接決定了通信設(shè)備的工作頻段和帶寬,在射頻前端芯片中扮演了舉足輕重的角色。伴隨5G通信極高的數(shù)據(jù)傳輸能力而來的是對(duì)濾波器高帶寬需求。如今,對(duì)各種通信制式的支持,使得現(xiàn)代智能手機(jī)中需要的濾波器多達(dá)幾十個(gè)。日益擁擠5G、Sub-6GHz通信頻帶,對(duì)射頻系統(tǒng)提出了更嚴(yán)苛的要求,低插損、高帶寬、高滾降系數(shù)和低溫漂的濾波器成為了通信行業(yè)的迫切需求。

射頻濾波器的定義

在通信設(shè)備中,射頻信號(hào)處理單元負(fù)責(zé)信號(hào)的發(fā)送與接收,包含射頻收發(fā)器、天線、射頻前端等。其中,射頻前端由一系列組件構(gòu)成,包含功率放大器(PA)、濾波器(Filters)、開關(guān)(Switch)、雙工器(Diplexer/Duplexer,由2個(gè)濾波器組成)、低噪聲放大器(LNA)等,分別對(duì)應(yīng)不同的射頻信號(hào)處理功能。

射頻濾波器又名“射頻干擾濾波器”,是消費(fèi)電子中必不可缺的重要元器件之一。射頻濾波器是由電容、電感和電阻組成的濾波電路,主要負(fù)責(zé)對(duì)通信通道中的信號(hào)頻率進(jìn)行濾波。濾波器允許符合特定頻率的信號(hào)通過,同時(shí)抑制其他不需要的頻率信號(hào),可解決不同頻段和通信系統(tǒng)之間產(chǎn)生的信號(hào)干擾問題,廣泛應(yīng)用于基站和終端設(shè)備的射頻信號(hào)處理系統(tǒng)中。從射頻信號(hào)處理系統(tǒng)的布局來看,在射頻發(fā)射路徑中,濾波器位于功率放大器的后側(cè);在射頻接收路徑中,濾波器位于低噪聲放大器的前側(cè)。

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射頻信號(hào)處理系統(tǒng)圖

射頻濾波器的關(guān)鍵性能指標(biāo)

射頻濾波器性能的優(yōu)劣直接影響通訊系統(tǒng)的通信質(zhì)量。Q值、帶寬、阻帶抑制度、插入損耗、延遲時(shí)間等是衡量濾波器性能的指標(biāo)。其中,Q值和插入損耗是選擇濾波器的最常用、最主要的性能指標(biāo)。

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射頻濾波器的關(guān)鍵性能指標(biāo)

射頻濾波器的分類

按照射頻濾波器的應(yīng)用場景分類,濾波器可分為通信基站濾波器和手機(jī)濾波器。不同應(yīng)用場景對(duì)濾波器的要求不同,因此手機(jī)濾波器與基站濾波器的體積、制造工藝、適用寬帶、成本、功率容量等特征存在明顯差異?;緸V波器更注重高穩(wěn)定性、大帶寬、大功率等指標(biāo),而手機(jī)濾波器對(duì)價(jià)格、體積(手機(jī)射頻濾波器尺寸為毫米級(jí)別,基站射頻濾波器為厘米級(jí)別)更為敏感。

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射頻濾波器分類(按應(yīng)用場景分類)

按照射頻濾波器的工藝材料分類,濾波器可分為可分為聲學(xué)濾波器、晶體濾波器、陶瓷濾波器,其中聲學(xué)濾波器(SAW、BAW)是目前手機(jī)應(yīng)用的主流濾波器。根據(jù)技術(shù)不同,聲學(xué)濾波器又可分為聲表濾波器(SAW濾波器)和體聲波濾波器(BAW濾波器)兩種。其中,SAW濾波器產(chǎn)品包括普通的SAW、具有溫度補(bǔ)償特性的TC-SAW濾波器及高頻I.H.P-SAW;BAW濾波器產(chǎn)品包括BAW-SMR和FBAR。

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聲學(xué)濾波器分類(按工藝材料分類)

總體來看 ,SAW一般用于低頻段和中頻段,BAW一般用于中頻段和高頻段。

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不同濾波器技術(shù)對(duì)應(yīng)的頻段和性能區(qū)間

SAW濾波器簡介

聲表面波(Surface Acoustic Wave)濾波器(簡稱:SAW濾波器)是采用鈮酸鋰、石英晶體、壓電陶瓷等壓電材料,通過壓電效應(yīng)和表面波傳播的物理特性所制成的一種濾波專用器件。SAW濾波器早期多應(yīng)用于以電視機(jī)為代表的視聽類家電產(chǎn)品,在90年代之后,隨著通信產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展,SAW濾波器的產(chǎn)量與需求直線上升,并廣泛應(yīng)用于手機(jī)等移動(dòng)通信終端設(shè)備。此外,SAW濾波器采用半導(dǎo)體平面工藝制作,具有良好的一致性和重復(fù)性,并可實(shí)現(xiàn)低成本批量生產(chǎn)。

知識(shí)鏈接:鈮酸鋰的優(yōu)異性能(一):壓電效應(yīng)

SAW濾波器的基本原理是在輸入端通過壓電效應(yīng)將電信號(hào)轉(zhuǎn)為聲信號(hào)在介質(zhì)表面上傳播,而在輸出端由逆壓電效應(yīng)將聲信號(hào)轉(zhuǎn)為電信號(hào)。 6766c2d0-6bca-11ee-939d-92fbcf53809c.png

SAW濾波器工作原理示意圖

SAW濾波器產(chǎn)品包括普通SAW濾波器、具有溫度補(bǔ)償特性的TC-SAW濾波器以及高性能的高頻SAW濾波器,后兩者屬于普通SAW濾波器的升級(jí)產(chǎn)品。普通SAW的工作頻率一般在2.5GHz以下,成本較低,但其熱穩(wěn)定性和高頻性能較差。為了提升普通SAW的熱穩(wěn)定性,TC-SAW濾波器方案被開發(fā)?,F(xiàn)階段TC-SAW技術(shù)愈加成熟,海外廠商相繼推出應(yīng)用于手機(jī)射頻前端的產(chǎn)品,并取得較好的應(yīng)用成果,而中國在該領(lǐng)域的仍需進(jìn)一步探索。為了克服普通SAW低頻與散熱性能差的弱點(diǎn),日本MuRata研發(fā)了I.H.P-SAW濾波器,其工作頻率可達(dá)3.5GHz,并兼具BAW的溫度特性和高散熱性優(yōu)點(diǎn),可部分替代BAW濾波器。

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不同SAW濾波器的對(duì)比

BAW濾波器簡介

體聲波(Bulk Acoustic Wave)濾波器(簡稱:BAW濾波器)的工作頻率范圍在1.5GHz-6GHz,最高可達(dá)10GHz。BAW濾波器的尺寸大小會(huì)隨著頻率升高而縮小,適用于要求更高的4G、5G通訊。與SAW濾波器相比,BAW濾波器更適合于高頻率,并具備對(duì)溫度變化不敏感、插入損耗小、帶外衰減大等優(yōu)勢。

BAW濾波器的基本結(jié)構(gòu)是由兩個(gè)金屬電極夾著壓電薄膜組成。BAW濾波器的工作原理與SAW濾波器相似,不同的是BAW濾波器的聲波以垂直方向傳播,貼嵌于石英基板頂、底兩側(cè)的金屬電極對(duì)聲波實(shí)施激勵(lì),聲波在壓電薄膜里從頂部表面震蕩反彈至底部,以形成大于2.5GHz頻段的駐波。

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BAW濾波器工作原理示意圖

BAW濾波器的諧振頻率取決于電極質(zhì)量與薄膜壓電層的厚度。應(yīng)用于高頻率場景的BAW濾波器的壓電襯底厚度必須在微米量級(jí),因此載體基板需要采用難度較高的薄膜沉積和微機(jī)械加工技術(shù)(MEMS),制造成本高。

SAW和BAW濾波器的對(duì)比

SAW和BAW濾波器具備良好的頻帶選擇性、高Q值、低插入損耗等性能,成為手機(jī)應(yīng)用的主流濾波器類型。然而,兩者在工作原理、技術(shù)特性、適用頻段、制作流程等方面各具差異。以下表格從多個(gè)維度對(duì)SAW與BAW濾波器進(jìn)行對(duì)比:

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SAW和BAW濾波器對(duì)比

傳統(tǒng)SAW/TC-SAW的頻率通常小于2.5 GHz,IHP-SAW使用高聲速層/襯底部分彌補(bǔ)了這一缺點(diǎn),但也僅能達(dá)到3.5 GHz。SAW對(duì)溫度過于敏感,溫度變化會(huì)影響頻率,但這種溫度的敏感是可以改善的,這種溫度帶來的變化叫做TCF,衡量單位是ppm.K,改善方法就是通過TC-SAW(溫度補(bǔ)償型SAW)加上一層溫度補(bǔ)償層。 BAW器件則可以工作在約1~7GHz,BAW器件利用了厚度方向的縱波,縱波聲速較高,而其頻率由厚度決定,使用μm級(jí)別的薄膜就可以實(shí)現(xiàn)約GHz的頻率,目前主流的BAW器件使用的是AlN的薄膜。BAW的工藝非常復(fù)雜,需要很多步驟才能搭建一個(gè)聲學(xué)上需要的“腔”,因此成本非常高。另一方面,基于AlN薄膜BAW濾波器的聲學(xué)和歐姆損耗隨著工作頻率急劇上升,這將導(dǎo)致濾波器插入損耗的增加。更為關(guān)鍵的是,5G NR頻段N78、N79和N77分別需要500、600和900 MHz的帶寬。其要求的分?jǐn)?shù)帶寬(FBW)>10%,對(duì)目前市場上主流的基于AlN的BAW濾波器而言是難以實(shí)現(xiàn)的,因其帶寬受限于AlN的機(jī)電耦合系數(shù)。

基于鈮酸鋰薄膜(POI)襯底的SAW濾波器(TF-SAW)

POI(Piezoelectric-On-Insulator)是一種絕緣襯底上的壓電材料,類似于絕緣體上的硅(SOI),POI襯底在最頂層是一層大概幾百納米厚的單晶的壓電層(鈮酸鋰或鉭酸鋰),在它之下是一層氧化埋層,大概也是幾百納米厚度,在最底下基底的部分是高電阻率硅材料。

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POI結(jié)構(gòu)示意圖

POI襯底主要用于構(gòu)建最新一代的4G / 5G表面聲波(SAW)濾波器,提供內(nèi)置溫度補(bǔ)償,并實(shí)現(xiàn)在單芯片上集成多個(gè)濾波器。POI的氧化埋層相當(dāng)于溫度補(bǔ)償層,作用是抑制壓電材料,因?yàn)閴弘姴牧显跍囟茸兓臅r(shí)候可能會(huì)擴(kuò)張或者收縮,從而影響到頻率,因而需要氧化埋層抑制壓電材料,即器件層的鈮酸鋰或鉭酸鋰。而底層的高電阻率硅的作用是減少損耗。能夠在極薄的壓電層限制波能等效。而由于能很好地控制整個(gè)壓電層,可以在壓電層獲得更好的等效的波傳播。

通過對(duì)比可以看到,基于POI襯底的SAW技術(shù)優(yōu)勢就是能源效率更高,比TC-SAW的能源損耗更小。所以它相對(duì)于SAW和TC-SAW,獲得了更高頻率、更廣帶寬。相對(duì)BAW來說,這種基于POI襯底的SAW工藝流程更簡單且成本更低。因?yàn)榭梢詫⒑芏鄠€(gè)濾波器集成在同一個(gè)芯片上,所以面積也更小。從生產(chǎn)角度來講,它的生產(chǎn)流程跟SAW是相似的,但是比TC-SAW和BAW都要簡單很多。

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POI:用于SAW濾波器的理想襯底

總體來看,TC-SAW是用于低頻段和中頻段的濾波技術(shù),BAW一般用于中頻段和高頻段。而在超高頻段就比較復(fù)雜,比如說會(huì)采用LTCC、XBAR、BAW,還有IPD(Integrated Passive Device),目前在超高頻段的技術(shù)比較復(fù)雜。POI襯底的SAW可以解決中頻段和高頻段這兩個(gè)頻段的技術(shù)難題,在5G濾波器方面成為取代TC-SAW和BAW的更優(yōu)解決方案。

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早在2020年,Soitec濾波器業(yè)務(wù)經(jīng)理Christophe Didier就曾介紹:“就其價(jià)值而言,我們認(rèn)為POI襯底會(huì)成為未來幾年的一項(xiàng)行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)。到2024年,我們預(yù)測 POI襯底的可服務(wù)市場規(guī)模將達(dá)到100萬片晶圓?!?/p>

基于鈮酸鋰薄膜(POI)襯底的XBAR濾波器

鈮酸鋰(LiNbO3)擁有的高壓電性,低損耗特性有助于實(shí)現(xiàn)高帶寬、低插損的濾波器,這一點(diǎn)已經(jīng)在SAW器件上得以體現(xiàn),薄膜的出現(xiàn)意味著有望實(shí)現(xiàn)高頻率器件。高頻和高帶寬雙特性的加持,使LiNbO3有望成為可用于5G頻段的高性能諧振器與濾波器。

LiNbO3晶體具有高度各向異性,除了材料本身以外,還需要關(guān)注其切向。特定聲學(xué)模式的激發(fā)與特定切向是密切相關(guān)的,因?yàn)楫?dāng)切向變化的時(shí)候,其材料參數(shù)也發(fā)生了變化。其中最為關(guān)鍵的是與壓電效應(yīng)有關(guān)的參數(shù)。 下表中顯示了LiNbO3的幾種常見切向的壓電應(yīng)力常數(shù):e33、e15和e16。

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幾種常見切向的LiNbO3的壓電應(yīng)力常數(shù)

基于鈮酸鋰薄膜(POI)襯底的體聲波諧振器/濾波器,其頻率和帶寬都與5G NR完美契合?;阝壦徜嚤∧ひr底的XBAR器件可實(shí)現(xiàn)現(xiàn)有的SAW和AlN BAW無法企及的高頻率和高耦合系數(shù),同時(shí)實(shí)現(xiàn)相對(duì)較高的Q。這些特性,使得這一技術(shù)有望在未來廣泛應(yīng)用于高性能的5G頻段的諧振器/濾波器。

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基于鈮酸鋰薄膜的XBAR濾波器的性能

射頻濾波器的市場規(guī)模

5G技術(shù)的引入導(dǎo)致大量頻段被集成到一部智能手機(jī),直接帶來射頻芯片用量的急劇增加。在2G時(shí)代,手機(jī)頻段數(shù)是4個(gè);3G時(shí)代,手機(jī)頻段數(shù)上升到6個(gè);在4G時(shí)代,千元手機(jī)頻段數(shù)就達(dá)到了8-20個(gè),旗艦手機(jī)頻段數(shù)在17-30個(gè),需要20-40個(gè)濾波器,10個(gè)開關(guān);到了5G時(shí)代,頻段數(shù)將達(dá)到50個(gè),需要70-80個(gè)濾波器和15個(gè)開關(guān)。

除了手機(jī)移動(dòng)終端,其他包括5G基站,物聯(lián)網(wǎng)連接終端等場景也需要用到大量的射頻濾波器。

隨著通訊技術(shù)的發(fā)展,濾波器逐步成為射頻前端中價(jià)值量最大的部分,3G時(shí)代占比33%,預(yù)計(jì)今年占比會(huì)提升至66%。SAW濾波器用量目前占比最大,在4G、5G中,SAW濾波器占整個(gè)濾波器的60~70%。BAW、IPD、LTCC占剩下的20~30%。

手機(jī)用的濾波器之前國產(chǎn)化率不高的一大重要原因是海外SAW濾波器廠商的專利申請時(shí)間為2000~2005年(以2002年以前為主),專利保護(hù)期為20年,目前大部分專利保護(hù)期已過,國內(nèi)廠商出現(xiàn)后來居上的機(jī)會(huì)。但并非國內(nèi)廠商在專利限制這塊以后的發(fā)展暢通無阻,生產(chǎn)和工藝端的一些專利限制還是有,不過這方面追溯起來不太容易。

BAW的專利出來較晚,國內(nèi)廠商很難繞過,且目前國內(nèi)客戶不太能接受國內(nèi)BAW濾波器產(chǎn)品,村田的TF-SAW面市后可與BAW抗衡,TF-SAW專利分散,大多專利集中在要在中國開展業(yè)務(wù)的廠商手中,而BAW的專利主要集中在博通Qorvo手中,后續(xù)國內(nèi)廠商更可能往TF-SAW方面發(fā)展。

根據(jù)Resonant統(tǒng)計(jì),2016-2020年全球射頻濾波器市場規(guī)模從50億美元增長至150億美元。2016年至2020年平均復(fù)合增長率為31.6%,2020年至2025年平均復(fù)合增長率為15%,預(yù)計(jì)到2025年市場規(guī)模有望超過302億美元。






審核編輯:劉清

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原文標(biāo)題:鈮酸鋰的應(yīng)用--射頻濾波器

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    在當(dāng)今快速發(fā)展的半導(dǎo)體行業(yè)中,一種結(jié)合了芯片與精密劃片機(jī)的創(chuàng)新技術(shù)正在嶄露頭角。這種技術(shù)不僅引領(lǐng)著半導(dǎo)體制造領(lǐng)域的進(jìn)步,更為其他產(chǎn)業(yè)帶來了前所未有的變革。
    的頭像 發(fā)表于 02-18 15:39 ?766次閱讀
    <b class='flag-5'>鈮</b><b class='flag-5'>酸</b><b class='flag-5'>鋰</b>芯片與精密劃片機(jī):科技突破引領(lǐng)半導(dǎo)體制造新潮流

    全球首片8寸硅光薄膜光電晶圓下線

    由于出色的性能,薄膜在諸如濾波器、光通訊、量子通信以及航空航天等多個(gè)領(lǐng)域都發(fā)揮了關(guān)鍵角色。然而,大尺寸
    的頭像 發(fā)表于 03-04 11:37 ?905次閱讀

    基于薄膜的高性能集成光子學(xué)研究

    3月25日,Marko Lon?ar 博士出席光庫科技與 HyperLight 聯(lián)合主辦的“薄膜光子學(xué)技術(shù)與應(yīng)用”論壇,并發(fā)表了題為“基于薄膜
    的頭像 發(fā)表于 03-27 17:18 ?930次閱讀
    基于薄膜<b class='flag-5'>鈮</b><b class='flag-5'>酸</b><b class='flag-5'>鋰</b>的高性能集成光子學(xué)研究

    低損耗薄膜光集成器件的研究進(jìn)展研究

    近年來,得益于薄膜晶圓離子切片技術(shù)和低損耗微納刻蝕工藝的飛速發(fā)展,薄膜光集成器件的性
    的頭像 發(fā)表于 04-24 09:11 ?1540次閱讀
    低損耗薄膜<b class='flag-5'>鈮</b><b class='flag-5'>酸</b><b class='flag-5'>鋰</b>光集成器件的研究進(jìn)展研究

    玻色量子出席2024產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新生態(tài)大會(huì)

    日前,2024年產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新生態(tài)大會(huì)Lithium Niobate Industry Innovation & Ecology Conference(LIIEC-2024)在蘇州納米城成功
    的頭像 發(fā)表于 09-03 11:25 ?670次閱讀

    高速調(diào)諧窄線寬激光

    展示了一種鎖定在異質(zhì)集成的-大馬士革氮化硅微諧振模式上的電光可調(diào)諧混合集成激光自注入。觀測到的固有線寬為 3 kHz,頻率調(diào)諧率為
    的頭像 發(fā)表于 11-20 10:36 ?242次閱讀
    高速調(diào)諧<b class='flag-5'>鈮</b><b class='flag-5'>酸</b><b class='flag-5'>鋰</b>窄線寬激光<b class='flag-5'>器</b>
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