隨著人工智能的熱潮席卷全球，作為人工智能的核心引擎的AI芯片也變得炙手可熱。而采用非馮·諾依曼創新計算架構的存算一體芯片，從設計到驗證、生產制造，也都吸引了行業內外的關注。從新架構的落地和應用的角度來看，存算一體與傳統AI芯片的異同點在哪里？這些異同點對最終芯片產品的影響是什么？

本期我們邀請了后摩智能的研發和驗證工程師，為我們解答后摩的存算一體芯片從設計到制造全流程：作為AI芯片中的一種創新架構，后摩智能的存算一體芯片采用的是底層無侵入式創新，在芯片的驗證、制造封裝環節上與傳統AI芯片沒有本質性區別，只需要單獨針對存算IP進行開發、交付與驗證。

Q1?存算一體芯片的設計過程是怎樣的？這些過程與傳統AI芯片的差異是什么？

A:存算一體芯片的設計過程大致如下：

（1）根據產品定義確定存算一體芯片架構；

（2）存內計算IP的設計；

（3）存算一體芯片架構的建模設計和制定；通常（2）和（3）并行。

（4）存算一體芯片的前端驗證、IP集成和物理實現、后仿驗證等。

跟傳統AI芯片差異主要在于，需要對于存內計算IP進行單獨的開發和交付，并需要結合存內計算IP的特性對整體芯片架構進行大量的迭代等。

Q2?存算一體芯片的驗證流程包括哪些步驟？

A:一般芯片驗證從層級上可以大概劃分為IP level，Subsystem level，和SoC level的驗證；根據項目的階段可以分為前端驗證和后端驗證；驗證手段包括直接驗證，隨機驗證，通過ref model檢查或者斷言檢查等；

對于存算一體芯片，驗證流程和方法學和一般AI芯片相同，只是在某些階段會額外增強，確保芯片功能正確，性能滿足要求。

存算一體芯片核心計算單元是自研電路實現，如果將該部分電路和其他數字電路一起仿真，需要采用數模混合仿真，只靠這點的話，仿真速度無法接受。設計團隊開發專門的model替代存算電路用于Subsystem及SoC Level驗證，驗證團隊會搭建專門的驗證平臺及Ref Model，驗證該Model的功能正確性。

對于存算電路，會有一個wrapper，驗證會基于該wrapper搭建存算一體芯片特有的數模混仿TB，在該TB上驗證數字邏輯和存算電路的接口時序及存算電路的功能正確性。對于接口時序會開發大量的斷言檢查時序，對于功能則使用開發好的ref model檢查。

在后仿階段，因為仿真效率的原因，依然使用專門的model替代存算電路，但是會從存算電路中抽取實際的timing數據，反標到model接口上，完成數字電路和存算電路的接口timing檢查。

通過以上方式，在確保功能正確，性能滿足要求的同時，驗證效率也不會損失，滿足項目進度要求。

Q3?存算一體芯片的制造過程是怎樣的？與傳統AI芯片是否一致？

A:存算一體的AI芯片創新主要是底層計算單元架構和設計上的創新，通過存儲單元增加運算功能，消除內存墻以達到提高系統能效和計算速度的目的。

在晶圓制造方面，相對于傳統AI芯片（大部分是GPGPU）沒有本質差別。存算的一個優勢是不需要昂貴的尖端晶圓工藝（5/3 nm），可以使用更為成熟可靠的晶圓工藝。

后摩智能在研發的技術和產品，依據存算一體的存儲單元類型，可以分為SRAM存算，RRAM和MRAM存算等，在晶圓制造這一塊是完全兼容目前的主流邏輯工藝。

業界還有DRAM和Flash單元為基礎的存算，這會帶來更復雜的生產制造和良率提升流程。

以目前發布的SRAM存算SoC后摩鴻途H30為例，采用12nm成熟的邏輯工藝和對應的版圖設計規則 ，沒有增加特殊的晶圓生產工藝和設備。

電路設計使用成熟的標準單元工藝庫文件和晶體管器件，及相應的物理設計和簽核規則。由于沒有引入額外的光罩，在生產周期，光罩和晶圓成本上和傳統芯片一致，后續在產能擴充和良率提升上也更為友好。

Q4?存算一體芯片的封裝和測試過程如何進行？

A:存算一體芯片的封裝工藝與傳統的AI 芯片相比沒有本質區別。

存算的一個優勢是芯片更小，可以使用業界更為成熟的封裝產線和封裝形式，外形尺寸、基板和BOM也是成熟且可靠。

目前發布的后摩鴻途H30采用FCBGA 40*40mm封裝，球間距為0.8mm。相對于傳統的GPU類大芯片的復雜基板結構，封裝基板顯著減少了基板層數，成本，良率和交期更優。同時采用了優化后的高強度的基板核芯材料和ring環，對大封裝芯片常見的翹曲有很好的改善，對SMT良率和PCB失效也非常有益。

存算一體芯片的ATE 自動化測試和傳統的AI 芯片相比，也沒有區別，采用開發的成熟的93000 (俗稱93K) 測試機平臺進行三溫測試。

在后摩鴻途H30上，DFT部門開發了業界領先的針對存算模塊的測試向量Cbist（BIST of Computing in memory），能對存算單元進行內建自測試，減少了對測試機配置和資源的要求，節約了測試時間，可以對芯片的算力進行出廠測試和分檔。其余的chain，stuck at，mbist等DFT和IP 測試均和傳統芯片類似。由于存算一體芯片SRAM類型的器件占比相對傳統芯片較多，也優化了芯片SRAM的自修復功能設計和測試，進一步提升良率。