1 介紹

此仿真實(shí)例用UltraEM來(lái)研究接地屏蔽層(PGS)以及NTN層的改變對(duì)器件Q值造成的影響。

PGS和NTN對(duì)器件起到的作用都是提高Q值。PGS是接地屏蔽層，其上結(jié)構(gòu)與電感線圈垂直，通過(guò)減少金屬層與地板之間的耦合起到屏蔽作用；加NTN則會(huì)將工藝襯底的摻雜硅換成導(dǎo)電率更低的本征硅，減小了介質(zhì)損耗角正切，從而降低了能量的損失，起到屏蔽的作用。

本次測(cè)試使用的三個(gè)實(shí)例分別是：

1. CMOS工藝的對(duì)稱螺旋電感；

2. 在1的基礎(chǔ)上添加一個(gè)接地屏蔽層；

3. 在1的基礎(chǔ)上更改襯底材料為本征硅。

將三個(gè)實(shí)例放入U(xiǎn)ltraEM仿真并對(duì)比其Q值變化。

2 仿真操作流程

2.1建立仿真算例

2.1.1 新建工程

依次點(diǎn)擊File > New > Project新建工程，如下圖 2-1。

圖2-1新建工程 2.1.2 導(dǎo)入設(shè)計(jì)文件

這里使用示例Examples中采用到接地屏蔽層的Symind_Shield.py工程。

圖2?2 導(dǎo)入設(shè)計(jì)文件

2.1.3 PGS測(cè)試算例

建立兩個(gè)螺旋電感算例，一個(gè)不含PGS，一個(gè)含PGS，如圖 2-3，圖 2-4。

圖2?3 無(wú)屏蔽層

圖2?4 接地屏蔽層 2.1.4 NTN層測(cè)試算例

建立兩個(gè)螺旋電感算例，一個(gè)使用摻雜硅襯底，一個(gè)使用本征硅襯底。

修改襯底材料參數(shù)可按如下方式操作：

依次點(diǎn)擊Layer > Set Layer Data打開器件的層數(shù)據(jù)，如下圖2-5。

圖2?5 查看層數(shù)據(jù)

打開層數(shù)據(jù)之后，找到底部襯底層，如下圖2-6。

圖2?6 查看襯底

點(diǎn)擊Dielectric1層所用材料g65d1，即可查看該材料的信息，如下圖2-7。

圖2?7 襯底材料

此處使用材料為摻雜硅，電導(dǎo)率為8.0 S/m。為對(duì)比NTN layer造成的影響，我們重新定義一個(gè)本征硅，電導(dǎo)率設(shè)置為0.08 S/m。點(diǎn)擊Add Material新建材料，如下圖2-8。 圖2-8 新建材料

2.2 自定義參數(shù)

自定義參數(shù)Q值的查看需要預(yù)先定義公式，通過(guò)Result > Define Quantities建立一個(gè)新的公式，如下圖2-9。

圖2?9 定義Q參數(shù)

通過(guò)Define New Quantity，設(shè)置參數(shù)名及計(jì)算公式。

2.3 定義測(cè)試頻率

通過(guò)Solve > Settings進(jìn)入頻率設(shè)置頁(yè)面，在Frequency中設(shè)置仿真的起始頻率、步長(zhǎng)以及截止頻率。

圖2-10 設(shè)置仿真頻率

2.4 開始仿真

完成頻率設(shè)置后，點(diǎn)擊Solve > Run以運(yùn)行仿真，如下圖2-11。

圖2-11 開始仿真

2.5 查看結(jié)果

以上三個(gè)算例仿真完成后，單擊Result > Model Data，查看仿真結(jié)果。選擇Q11計(jì)算公式，查看其Real part。

圖2-12 繪圖

圖2-13 Q 值對(duì)比

Q值曲線由高到低依次是：添加NTN層的電感、添加PGS的電感、無(wú)NTN無(wú)PGS的電感。

從仿真結(jié)果來(lái)看，在頻率較低的頻段，三者幾乎重合，Q值區(qū)別很小，頻率較高時(shí)，三者差異逐步增加。

明顯可以發(fā)現(xiàn)有PGS的電感Q值要比沒有的高許多，使用本征硅的電感也明顯提高了Q。

此結(jié)果基本與理論相符，不論是接地屏蔽層還是減小襯底導(dǎo)電率，兩者都是減小了器件的損耗進(jìn)而提高了Q值。

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審核編輯：湯梓紅