納微半導體第四代高度集成氮化鎵平臺在效率、密度及可靠性要求嚴苛的大功率行業應用內樹立新標桿

加利福尼亞托倫斯2023年9月6日訊 — 納微半導體（納斯達克股票代碼：NVTS）今日在臺北舉辦客戶與合作伙伴新聞發布會，正式向全球發布GaNSafe高性能寬禁帶功率平臺。納微通過升級這一第四代氮化鎵技術，以滿足數據中心、太陽能/儲能和電動汽車市場等要求苛刻的高功率應用場景需求，在這些目標應用中，效率、功率密度以及強大可靠的運行能力至關重要。

在臺北萬豪Courtyard六福萬怡召開的全球發布會上，納微全球銷售高級副總裁David Carroll和高級業務發展總監Charles Bailley向超過50名來自客戶端的高級管理層代表、行業合作伙伴和國際媒體介紹納微及其全新的GaNSafe平臺。

納微半導體全新的第四代氮化鎵功率芯片由納微長期合作伙伴——臺積電在新竹的工廠生產和制造，納微亦非常榮幸地邀請到臺積電氮化鎵功率元件項目經理蘇如意博士參與GaNSafe全球發布會，蘇博士在現場與觀眾分享并展望了氮化鎵技術的未來。

納微的GaNFast功率芯片集成了氮化鎵（GaN）功率、驅動、控制、檢測和保護功能，實現更快的充電、更高的功率密度和更強大的節能效果，現已成功出貨超過1億顆，并提供行業首個20年質保承諾。如今，全新GaNSafe平臺在工程設計上通過增加額外的、特定的保護等其他功能，配合全新堅固的高功率封裝，得以在極端高溫、長時間工作條件下提供卓越的性能支持。

初期的高功率650/800 V GaNSafe產品系列涵蓋了從35到98 m?的RDS（ON）范圍，采用一種新型的適用于氮化鎵且散熱優良的表貼TOLL封裝，可匹配從1,000到22,000W的應用。GaNSafe集成的特征和功能包括：

?受保護的、集成閘極驅動控制，零閘極-源回路電感，可靠的高速2 MHz開關能力，以最大化提升應用的功率密度。

?快速的短路保護，自主的“檢測和保護”可在50 ns內完成，比競爭對手的分立式氮化鎵解決方案快4倍。

?靜電放電（ESD）保護達到2 kV，而分立式的氮化鎵晶體管為零。

?650 V連續和800 V瞬時耐電壓能力，有助于提升芯片在特殊應用條件下的魯棒特性。

?易于使用、高功率、高可靠性、高性能功率芯片，只有4個引腳，加速客戶設計。

?可調節的開啟和關閉速度（dV/dt），簡化EMI的規范要求。

與分立式的氮化鎵晶體管設計存在電壓尖峰、負壓尖峰和超規格使用的問題不同，GaNSafe是一個高效、可預測、可靠的系統。GaNSafe堅固的4引腳TOLL封裝已達到嚴格的IPC-9701機械可靠性標準，提供了簡單、堅固、可靠的性能。

納微針對市場應用的系統設計中心可提供使用GaNSafe技術的效率、密度和系統成本達標的完整平臺設計，以加速客戶設計并縮短推向市場的周期，并最大程度地提高客戶“first-time-right”即首次采用GaNSafe器件設計，即可實現應用成功的機會。這些系統平臺是包括經過全面測試的硬件、布局、仿真和硬件測試結果在內的完整設計支持。通過GaNSafe技術實現的系統平臺案例包括：

1. 納微半導體CRPS185數據中心電源平臺，能在體積僅40mm×73.5mm×185mm(544cc)的情況下，帶來3200W的功率，實現5.9W/cc(接近100W/inch3)的功率密度。相較于傳統硅方案縮小40%體積，效率在30%的負載下超過95.6%，在20% ~ 60%的負載下超96%，定義了“鈦金Plus”的行業標準；

2. 納微全新的6.6kW 2合1雙向電動汽車車載充電器（OBC），在雙向6.6kW OBC的基礎上集成3kW DC-DC的功能，這款2合1平臺產品具有3.9kW/L以上的功率密度，滿載下的峰值效率達96%以上，與市場同類解決方案相比各項性能指標都大幅領先。

納微半導體

首席執行官及聯合創始人

Gene Sheridan

“納微早先的GaNFast和GaNSense技術已經為移動消費電子行業設定了采用氮化鎵的行業標準，納微發貨量大、采用納微的主流一線客戶多，在消費電子行業中，納微氮化鎵已逐漸取代硅成為消費電子快充主流應用。

如今GaNSafe更進一步，讓我們的技術更上一層樓，不僅在集成方面實現了行業中最受保護、可靠和安全的氮化鎵器件水平，而且在功率水平上實現全面提升，將徹底打開AI數據中心、電動車、太陽能和能儲等1-22kW功率系統市場。我們的客戶如今可以在這些數十億規模的市場上，實現氮化鎵的全部潛質，這些市場要求最高的效率、密度和可靠性。”

納微GaNSafe系列產品現已提供給明確意向客戶，預計在2023年第四季度開始量產。在數據中心、太陽能/能儲和電動車應用領域中正在進行的客戶項目已達到40個，這是納微價值10億美元的在研客戶項目的一部分。

審核編輯：劉清