隨著現(xiàn)代機床向高速、高精度方向發(fā)展，對機床主軸的技術(shù)要求越來越高。電主軸作為高速機床的重要組成部件之一，因其轉(zhuǎn)速高、體積小和優(yōu)異的動態(tài)性能等特性，可有效提高機床的動態(tài)平衡，避免了振動和噪聲。主軸電機放置在機床的主軸單元內(nèi)，直接驅(qū)動負(fù)載。因此，簡化了傳統(tǒng)的機械驅(qū)動結(jié)構(gòu)，實現(xiàn)了“零驅(qū)動”。由于電主軸的廣泛應(yīng)用，推動著電機主軸系統(tǒng)向高精度、高速、低能耗、高效率、高可靠性的方向不斷發(fā)展，成為目前世界各國研究的熱點。

在現(xiàn)代電主軸、機軸一體化的趨勢下，要達(dá)到高速度和小型化的要求，會增大感應(yīng)電機的銅耗，出現(xiàn)過熱、磨損嚴(yán)重的現(xiàn)象，導(dǎo)致電機性能不足。隨著永磁同步電機的發(fā)展，高速永磁同步電主軸應(yīng)用愈加廣泛。高速永磁同步電主軸與傳統(tǒng)異步感應(yīng)電機相比，由永磁體提供氣隙磁場，具有功率因數(shù)高、體積小、效率高等優(yōu)點，在高速磨削系統(tǒng)、高速離心空壓機等領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用和發(fā)展前景。

高速永磁同步電機（High-Speed Permanent Magnet Synchronous Motor , HSPMSM），通常指額定轉(zhuǎn)速超過10000r/min以上或者指困難系數(shù)（轉(zhuǎn)速與功率平方根的乘積）處于（1~10）×105r/min√kw范圍內(nèi)的電機，其控制性能決定著系統(tǒng)工作效率、運行穩(wěn)定性、壽命以及可靠性等方面，而控制特性也依賴于電路設(shè)計和驅(qū)動器中的功率半導(dǎo)體性能，尤其SiC逆變技術(shù)的引入使得HSPMSM驅(qū)動器的性能有了長足的進(jìn)步。

本文將介紹由西安理工大學(xué)電氣工程學(xué)院王建淵老師課題組搭建的一款基于IM828-XCC的高速電機驅(qū)動器，用于驅(qū)動一臺額定轉(zhuǎn)速15000r/min，額定功率2.2kW的高速主軸電機，以實現(xiàn)對高速電機的高性能控制，具有高功率密度、高效率和低熱耗散等特點。

本項目設(shè)計的高速永磁同步電機驅(qū)動控制系統(tǒng)需實現(xiàn)的主要功能有：實現(xiàn)電流和電壓等信號的采樣處理與控制；實現(xiàn)高速永磁同步電機無傳感器的轉(zhuǎn)速閉環(huán)控制；實現(xiàn)對電機運行狀態(tài)的速度、定子電流、電壓、功率器件工作溫度等相關(guān)數(shù)據(jù)的監(jiān)測，方便電機運行狀態(tài)的檢查與后期維護(hù)。

高速永磁同步電機驅(qū)動控制系統(tǒng)要求電機起動平穩(wěn)、速度穩(wěn)定和可調(diào)速范圍廣，根據(jù)高速永磁同步電機的主要參數(shù)來設(shè)計其驅(qū)動控制系統(tǒng)的技術(shù)指標(biāo)要求如下：

1

CIPOS Maxi IM828簡介

高速電機因其轉(zhuǎn)速高、基頻高的特點，對相應(yīng)的驅(qū)動技術(shù)提出了更高要求，若開關(guān)頻率過低時，會導(dǎo)致驅(qū)動器輸出電壓波形質(zhì)量較差，隨著轉(zhuǎn)速升高，控制延遲及時間延遲也會隨之加大進(jìn)而影響控制精度。本課題所設(shè)計搭建的高速電機驅(qū)動器選用英飛凌公司生產(chǎn)的IM828-XCC，其采用SiC MOSFET組成橋式單元，具有優(yōu)良導(dǎo)熱性能，適用于工業(yè)驅(qū)動、電機控制等工業(yè)應(yīng)用。由于采用碳化硅技術(shù)，使其成為高速電機驅(qū)動領(lǐng)域的最佳選擇。

IM828-XCC具體分為以下幾個功能單元部分：

1

逆變部分：采用1200V CoolSiC Mosfet的三相逆變器與優(yōu)化的6通道SOI柵極驅(qū)動器相結(jié)合，具有優(yōu)異的電氣性能，采用CoolSiC的逆變單元，導(dǎo)通損耗小，開關(guān)特性優(yōu)異。

2

保護(hù)功能：過電流關(guān)閉，內(nèi)置NTC熱敏電阻用于溫度監(jiān)測，所有通道的欠壓鎖定，低側(cè)源引腳可用于所有相電流監(jiān)測，保護(hù)期間6個開關(guān)全部關(guān)閉。

3

其他功能：允許負(fù)VS電位高達(dá)-11V，用于VBS=15V的信號傳輸，集成自舉功能。

圖1：IM828-XCC器件內(nèi)部框圖和器件圖片

2

驅(qū)動器設(shè)計

為了充分展示IM828的出色性能和優(yōu)秀特點，設(shè)計了一款4.0kW的驅(qū)動器，圖2所示為控制板部分，圖3所示為功率板部分。

圖2：控制部分主要器件位置

圖3：驅(qū)動控制器功率部分主要器件位置

為了驗證驅(qū)動板的性能，測試了在不同工況下IPM的開關(guān)特性對電機運行的影響，通過三相調(diào)壓器對平臺供電，被控電機是意大利YSA公司研制的高速主軸電機，電機具體參數(shù)如表1所示。電機控制方式為有速度FOC，如圖4所示為IPM的W相橋臂開關(guān)管的dv/dt。

表1 高速電機參數(shù)

實驗工況一

在空載運行條件下分別進(jìn)行了fs為20kHz和fs為60kHz工況下的性能測試。

圖4：fs=20kHz IPM的

W相橋臂開關(guān)管關(guān)斷的dv/dt

根據(jù)測試波形可以得到關(guān)斷時上管的dv/dt為2809V/us，下管的dv/dt為3025V/us。同時也對IPM的導(dǎo)通與關(guān)斷延時進(jìn)行了測試，測試結(jié)果如圖5所示，并對MCU到IPM的驅(qū)動信號延時進(jìn)行測試，測試結(jié)果如圖6所示。

圖5：fs=20kHz IPM的導(dǎo)通與關(guān)斷延時

圖6：fs=20kHz CPU到IPM的驅(qū)動信號延時

同時，為了體現(xiàn)IPM_828-CXX在高開關(guān)頻率下的特性，在開關(guān)頻率為60kHz下也進(jìn)行了相關(guān)波形采集，如圖7-9分別為在fs=60kHz下的W相橋臂開關(guān)管關(guān)斷時的dv/dt、IPM的導(dǎo)通與關(guān)斷延時、MCU到IPM的驅(qū)動信號延時。

圖7：fs=60kHz IPM的W相橋臂開關(guān)管關(guān)斷的dv/dt

圖8：fs=60kHz IPM的導(dǎo)通與關(guān)斷延時

圖9：fs=60kHz CPU到IPM的驅(qū)動信號延時

實驗工況二

電機空載啟動，給定轉(zhuǎn)速1000r/min，穩(wěn)定運行時突加滿載TL=1.75N.m，開關(guān)頻率fs=30kHz，電機的相電流如下圖10所示，其中圖(a)為空載運行時的電流波形，圖(b)為滿載運行時的電流波形，可以看出電機在空載情況下運行時，輸出電流在0A附近波動；電機在滿載情況下運行時，輸出電流穩(wěn)定，實驗結(jié)果也驗證了本課題所設(shè)計搭建的實驗平臺具有良好的驅(qū)動性能。

（a）空載時電流波形圖

（b）滿載時電流波形

圖10：電機突變載情況下的電流波形

此時IPM中W相橋臂的dv/dt波形如下：

(a)MOS管關(guān)斷時dv/dt

(b)MOS管開通時dv/dt

圖11：W相橋臂上管的關(guān)斷與開通時的dv/dt

(a)MOS管關(guān)斷時dv/dt

(b)MOS管開通時dv/dt

圖12：W相橋臂下管的關(guān)斷與開通時的dv/dt

表2 滿載時IPM內(nèi)部W相橋臂MOS管的dv/dt

當(dāng)電機系統(tǒng)穩(wěn)定運行15分鐘，在環(huán)境溫度為21℃的條件下，用手持的溫度測試儀測得芯片附近的溫度為40.6℃。

3

系統(tǒng)設(shè)計要點及經(jīng)驗分享

1

硬件驅(qū)動保護(hù)調(diào)理

圖10：硬件驅(qū)動保護(hù)調(diào)理電路圖

硬件驅(qū)動保護(hù)調(diào)理電路具有以下保護(hù)功能：

MCU復(fù)位；

母線過壓；

母線過流；

IPM復(fù)位信號（VDD欠壓、ITRIP過流）；

Enable_PWM。

故障時，PWM-/EN引腳輸出為高電平，74LVX4245停止輸出；正常時引腳輸出為低電平。

2

散熱器設(shè)計

高速電機驅(qū)動控制器尺寸較小，功率較大，如何將熱量快速散去也是整體設(shè)計的難點之一，根據(jù)圖11所示得設(shè)計原理，考慮到IPM_IM828-XCC的位置，需要在IPM以及整流橋各加裝墊塊，IPM墊塊是為了保證IPM和散熱器之間的爬電間距和安全距離。

圖11：散熱器設(shè)計

3

熱保護(hù)設(shè)計

在驅(qū)動控制器溫度過高，超過了設(shè)定值，會起到保護(hù)作用。

圖12：熱保護(hù)設(shè)計原理圖

上圖所示的溫度檢測電路，其基本原理是利用NTC熱敏電阻（5KΩ，精度）的阻值變化特性，連接到PNP管構(gòu)成1mA的恒流源電路中，即可檢測熱敏電阻上的壓降變化，經(jīng)過電壓跟隨器與RC電路輸入到MCU，通過軟件實現(xiàn)過溫保護(hù)。

在本文所提及的熱保護(hù)設(shè)計方案中，考慮到熱敏電阻安裝部位與芯片之間存在傳導(dǎo)熱損失，故設(shè)置過溫保護(hù)點為90℃，此時根據(jù)NTC熱敏電阻阻值變化特性表，此時阻值為，MCU側(cè)的輸入電壓為0.6V左右，通過DAC模塊讀取電壓之后經(jīng)過軟件程序的比較，輸出保護(hù)信號，進(jìn)而封鎖驅(qū)動信號，保護(hù)器件。