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IGBTs給高功率帶來(lái)了更多的選擇

安世半導(dǎo)體 ? 來(lái)源:安世半導(dǎo)體 ? 2023-07-20 10:37 ? 次閱讀

絕緣柵雙極性晶體管IGBT)面市已有些時(shí)日,事實(shí)上,通用電氣(GE)早在1983年6月就發(fā)布了其首款I(lǐng)GBT產(chǎn)品。從那時(shí)起,IGBT成為了中壓和高壓(>200 V )應(yīng)用的主要器件,包括供暖通風(fēng)與空氣調(diào)節(jié)(HVAC)系統(tǒng)以及電焊和感應(yīng)加熱等高電流應(yīng)用。隨著太陽(yáng)能面板、電動(dòng)汽車充電器和工業(yè)伺服電機(jī)的日益普及,市場(chǎng)對(duì)高壓解決方案的需求也在不斷攀升。為了滿足各個(gè)行業(yè)的需求,并進(jìn)一步完善持續(xù)擴(kuò)大的高壓技術(shù)產(chǎn)品組合(GaN和SiC),Nexperia (安世半導(dǎo)體)正在推出多個(gè) IGBT系列,首先便是600 V 器件。

系統(tǒng)電氣化和可再生能源的不斷發(fā)展是電子市場(chǎng)的最大變革之一。這一趨勢(shì)刺激了高能效型電子系統(tǒng)的強(qiáng)勁增長(zhǎng),比如電動(dòng)車充電站、太陽(yáng)能發(fā)電裝置以及最近的熱泵設(shè)備。與此同時(shí),智能工廠和工業(yè)4.0對(duì)機(jī)器人的使用量也在持續(xù)加大,尤其是那些需要使用高功率伺服電機(jī)的重復(fù)型起重作業(yè)。因此,根據(jù)各種市場(chǎng)調(diào)研報(bào)告,到2030年,IGBT市場(chǎng)預(yù)計(jì)幾乎將翻一番。

IGBT 不斷演變以滿足當(dāng)下需求

首款I(lǐng)GBT產(chǎn)品發(fā)布距今已有40年,相關(guān)技術(shù)已發(fā)生了巨大演變,這是毋庸置疑的事實(shí)。現(xiàn)在的IGBT所使用的不再是上世紀(jì)80年代時(shí)那種簡(jiǎn)單 DMOS 結(jié)構(gòu),而是使用載流子存儲(chǔ)溝槽柵(CSTG)技術(shù)。Nexperia采用 CSTG以及先進(jìn)的第三代場(chǎng)截止(FS)結(jié)構(gòu),并在晶圓背面采用了多層金屬。除了實(shí)現(xiàn)更高的功率密度和更高的可靠性外,這種制造工藝還能更好地權(quán)衡兼顧器件的導(dǎo)通性能和開(kāi)關(guān)性能。

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成熟可靠的產(chǎn)品組合和合作伙伴

600 V系列涵蓋Nexperia的多款中速(M3)和高速(H3)IGBT,采用TO-247-3L封裝,可供設(shè)計(jì)人員自由選擇。20 kHz以下的M3系列經(jīng)過(guò)優(yōu)化,進(jìn)一步降低了導(dǎo)通損耗,保持了出色的開(kāi)關(guān)損耗性能,并具備5 μs短路能力。H3系列(20kHz至50kHz)重點(diǎn)優(yōu)化了開(kāi)關(guān)損耗,同時(shí)其導(dǎo)通損耗非常低。Nexperia一直重點(diǎn)關(guān)注不斷優(yōu)化器件導(dǎo)通性能和開(kāi)關(guān)性能之間的權(quán)衡,以提高器件可靠性(通過(guò)了高壓高濕高溫反偏HV-H3TRB測(cè)試),并在高達(dá)175 ℃的環(huán)境中提高逆變器功率密度。當(dāng)然,作為基本半導(dǎo)體的專業(yè)供應(yīng)商,Nexperia還擁有大批量交付高質(zhì)量產(chǎn)品的基礎(chǔ)設(shè)施。

進(jìn)一步了解Nexperia 600 V IGBT初始產(chǎn)品組合的更多信息,并下載相關(guān)數(shù)據(jù)手冊(cè),請(qǐng)點(diǎn)擊「閱讀原文」。

關(guān)于作者

史威

IGBT & Modules-產(chǎn)品市場(chǎng)營(yíng)銷副總監(jiān)

史威目前就職于Nexperia,擁有碩士學(xué)位和在電力電子系統(tǒng)設(shè)計(jì)、功率半導(dǎo)體產(chǎn)品定義有十余年的經(jīng)驗(yàn)。他先從事電力電子多年,對(duì)充電樁、OBC、驅(qū)動(dòng)器、儲(chǔ)能和光伏等運(yùn)用系統(tǒng)設(shè)計(jì)有深厚的經(jīng)驗(yàn),并對(duì)相關(guān)運(yùn)用對(duì)功率半導(dǎo)體的需求有深入的理解。近些年,他專注于IGBT和SiC MOSFET產(chǎn)品定義與開(kāi)發(fā),已成功推廣許多IGBT、SiC MOSFET產(chǎn)品。

Nexperia (安世半導(dǎo)體)

Nexperia(安世半導(dǎo)體)總部位于荷蘭,是一家在歐洲擁有豐富悠久發(fā)展歷史的全球性半導(dǎo)體公司,目前在歐洲、亞洲和美國(guó)共有15,000多名員工。作為基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件開(kāi)發(fā)和生產(chǎn)的領(lǐng)跑者,Nexperia(安世半導(dǎo)體)的器件被廣泛應(yīng)用于汽車、工業(yè)、移動(dòng)和消費(fèi)等多個(gè)應(yīng)用領(lǐng)域,幾乎為世界上所有電子設(shè)計(jì)的基本功能提供支持。

Nexperia(安世半導(dǎo)體)為全球客戶提供服務(wù),每年的產(chǎn)品出貨量超過(guò)1,000億件。這些產(chǎn)品在效率(如工藝、尺寸、功率及性能)方面成為行業(yè)基準(zhǔn),獲得廣泛認(rèn)可。Nexperia(安世半導(dǎo)體)擁有豐富的IP產(chǎn)品組合和持續(xù)擴(kuò)充的產(chǎn)品范圍,并獲得了IATF 16949、ISO 9001、ISO 14001和ISO 45001標(biāo)準(zhǔn)認(rèn)證,充分體現(xiàn)了公司對(duì)于創(chuàng)新、高效、可持續(xù)發(fā)展和滿足行業(yè)嚴(yán)苛要求的堅(jiān)定承諾。

Nexperia:效率致勝。

審核編輯:湯梓紅

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