本文將詳細(xì)介紹晶體管削波電路以及電路圖和波形。斜坡和正弦輸入的晶體管削波電路波形如下。

二極管箝位電路

晶體管有兩種類(lèi)型的線性度—一種線性度發(fā)生在晶體管從切入?yún)^(qū)域傳遞到有源區(qū)域時(shí)。另一種線性度發(fā)生在晶體管從有源區(qū)域傳遞到飽和區(qū)域時(shí)。當(dāng)任何輸入信號(hào)通過(guò)晶體管時(shí)，穿過(guò)切入?yún)^(qū)和有源區(qū)之間的邊界，或跨越有源區(qū)和飽和區(qū)之間的邊界，一部分輸入信號(hào)波形將被削掉。使晶體管保持在有源區(qū)域的輸入波形部分應(yīng)出現(xiàn)在輸出端，沒(méi)有任何失真。在這種情況下，輸入電流而不是輸入電壓應(yīng)該具有目標(biāo)信號(hào)的波形。顯而易見(jiàn)的原因是，在有源區(qū)域的較大信號(hào)偏移中，晶體管輸出電流與輸入電流線性響應(yīng)，但與輸入電壓完全非線性相關(guān)。因此，晶體管削波器中使用電流驅(qū)動(dòng)，如下圖所示。

在有源區(qū)域，與晶體管的輸入電阻相比，電阻RB的值必須足夠大。輸入基極電流將具有輸入電壓和

鍺晶體管考慮了電壓。晶體管將在-0.1V的截止區(qū)域工作。當(dāng)電壓達(dá)到0.1V時(shí)，晶體管t開(kāi)始導(dǎo)通并將切換到有源區(qū)域。當(dāng)電壓增加到0.3V時(shí)，晶體管切換到飽和區(qū)域，基極-發(fā)射極電壓VBE限制為0.3V。當(dāng)晶體管從截止區(qū)域切換到有源區(qū)域，然后進(jìn)入飽和狀態(tài)時(shí)，輸入基極電流iB緩慢增加。在圖中，當(dāng)晶體管在有源區(qū)域工作時(shí)，輸出電流（集電極電流，Ic）將與輸入基極電流的形式相同。然而，在飽和區(qū)域，集電極電流將變得恒定并變?yōu)镮c（sat）。

用于正弦輸入的晶體管削波器的波形如下圖所示。