輸入失調電壓（Input Offset Voltage）Vos

• 將運放的兩個輸入端接地，理想運放輸出為零。但實際運放輸出不為零。將輸出電壓除以增益得到的等效輸入電壓稱為輸入失調電壓。
• 一般定義為運放輸出為零時，兩個輸入端之間所加的補償電壓。該值反映了運放內部電路的對稱性，對稱性越好，輸入失調電壓越小。
• Vos越小，芯片價格就越貴。

• 規格書上一般給出了1）25c典型值；2）全溫度值。我們在選擇運放的時候，還是要看全溫度的最大值。因為我們很難預測產品用在什么情況下。所以為了保證worst case design。我們要選考慮Vos的最大值。

輸入失調電壓的溫漂（Offset Voltage Drift）

• 又叫溫度系數TC VOS，高精度的是幾個nV/C，一般為幾個uV/C
• 輸入失調電壓的溫度漂移（簡稱輸入失調電壓溫漂）αVIO：定義為在給定溫度范圍內，輸入失調電壓的變化與溫度變化的比值。
• 作為輸入失調電壓的補充，便于計算在給定的工作范圍內，放大電路由于溫度變化造成的輸入失調電壓漂移大小。

輸入偏置電流（Input Bias Current）IB

• 定義為當運放的輸出直流電壓為零時，運放兩輸入端流進或流出直流電流的平均值。
• 輸入偏置電流對進行高阻信號放大、積分電路等對輸入阻抗有要求的地方有較大的影響。輸入偏置電流與制造工藝有一定關系。
• I~B ~比較大，對原信號影響大，相當于對原信號有了個分壓。
• 一般是pA級，nA級。

• 上圖是Ib和Vos的一個等效示意圖。Ib是流向地的。Vos疊加在輸入端的。Vos可能是正，也可能是負，正的話，就是在信號上疊加，負的話，就是在原信號上扣除。運放所謂的線性，也是在扣除或者疊加Vos之后，表現出的特性。也可以從軟件端扣除Vos的影響。

輸入失調電流（Input Offset Current）Ios

• 是Ib的補充
• 輸入失調電流定義為當運放的輸出直流電壓為零時，其兩輸入端偏置電流的差值（同相端Ib與反向端Ib的差值）。輸入失調電流同樣反映了運放內部的電路對稱性，對稱性越好，輸入失調電流電流越小。

共模電壓輸入范圍（Input Common-Mode Voltage Range）Vcm

• 運放兩輸入端與地間能加的共模電壓的范圍。
• Vcm“包括”正、負電源電壓時為理想特性。
• 所謂“Rail to Rail Input”就是指輸入共模電壓范圍十分接近電源軌，一般可以低于負電源軌，而稍微低于正電源軌。

輸出動態范圍特性（Output Characteristics）

• 即輸出電壓范圍，所謂“Rail to Rail Output”即軌對軌輸出，輸出Voh、Vol極為接近供電軌，會有幾十mV的距離，也與負載有關。

輸出電流特性（Short Circuit Limit）

• 即運放的帶載能力，一般會給出Sink、Source電流大小，也有運放只給出短路時的極限電流。這個參數，設計時候，要考慮最小值。

壓擺率（Slew Rate）SR

• 也稱轉換速率，定義為：運放接成閉環條件下，將一個大信號（含階躍信號）輸入到運放輸出端，從運放的輸出端測運放的輸出上升速率。
• 由于在轉換期間，運放的輸出端處于開關狀態，所以運放的反饋回路不起作用，也就是轉換速率與閉環增益無關。

增益帶寬積（Gain Bandwidth Product）GBP

• 單位增益帶寬定義：運放的閉環增益為1倍條件下，講一個恒幅正弦小信號輸入到運放的輸入端，從運放的輸出端測得閉環電壓增益下降3db（或是相當于運放輸入信號的0.707）所對應的信號頻率。 這個參數決定了單級放大倍數。

開環增益（Open-Loop Voltage Gain）Aol

• 定義為當運放工作于線性區時，運放輸出電壓與差模電壓輸入電壓的比值。
• 由于差模開環直流電壓增益很大，大多數運放的差模開環直流電壓增益一般在數萬倍或更多，用數值直接表示不方便比較，所以一般采用分貝方式記錄和比較。
• 理想運放的開環增益為無窮大，實際運放一般在80dB – 150dB。

共模信號抑制比（Common Mode Rejection）

• 共模抑制比定義為當運放工作于線性區時，運放差模增益與共模增益的比值。即在運放兩端輸入端與地間加相同信號時，輸入、輸出間的增益稱為共模電壓增益AVC，則CMRR = AV/AVC
• 共模抑制比是一個極為重要的指標，它能夠抑制共模輸入的干擾信號。值越大，運放能夠抑制干擾的能力越強。也越貴。

電源紋波抑制比（Supply Voltage Rejection）

• 定義為運放工作于線性區時，運放輸入失調電壓隨電源電壓的變化比值。即正、負電源電壓變化時，該變化量出現在運放的輸出中，并將其換算為運放輸入的值。
• 若電源變化△Vs時等效輸入換算電壓為△Vin，則PSRR = △Vs/△Vin。
• 電源電壓抑制比反映了電源變化對運放輸出的影響。
• 高頻對應PSRR值會變小，所以，一般考慮layout上，在運放電源管教附近加電容來濾掉電源中的高頻噪聲。

噪聲密度（Noise Density）

• 運放本身內部電路也有固有存在的噪聲，氛圍電壓噪聲和電流噪聲。
• 通常規格書中以 nV/rtHz 和 pA/rtHz 來表示，也就是與頻率相關的一個指標。
• 參數越小，運放自身引入到系統的噪聲也越小。
• 做音頻處理時候，會選擇該參數小的，比如LMV721，LMV722（8.5nV/rtHz，1kHz以下）