MSPMPL系列中的NVM(Non Volatile Memory)非易失性存儲,也就是我們常說的FLASH。
在MSPM0L系列的 FLASH中,一個Sector為1KB,一個Bank可達256KB,而MSPM0L系列中,大部分型號也就只有一個Bank,所以在只有一個Bank的型號中,Bank操作會涉及到整個片內的FLASH,FLASH控制器數據操作是Word操作,也就是4個字節,當然也支持1字節和2字節的寫入操作。
下面以64KB FLASH的芯片舉例,FLASH的地址分布如下,NONMAIN就是BSL區域,FACTORY為出廠預存數據。
下面通過一個FLASH的寫入的程序來看下FLASH寫入流程:
FLASH擦寫操作無需SYSCONFIG的配置,可以直接調用函數來完成,每次執行完成擦寫操作的時候,FLASH的寫保護寄存器都會置位,也就是自動保護起來,所以下一次操作之前都需要重新解鎖。
執行完成后,在keil中debug查找寫入地址0x00001000的數據,已經成功寫入所有的數據。
配套例程為NVM,需要復制到SDK目錄下運行。
審核編輯:劉清
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原文標題:MSPM0L1306開發板教程12 - NVM(FLASH)
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