達林頓晶體管是一種眾所周知且流行的連接，使用一對雙極晶體管結型晶體管（BJT），設計用于像統一的“超β”晶體管一樣工作。下圖顯示了連接的詳細信息。

定義

達林頓晶體管可以定義為兩個BJT之間的連接，允許它們形成單個復合BJT，獲得大量的電流增益，通常范圍可能超過千。

這種配置的主要優點是復合晶體管的行為類似于單個器件，其增強的電流增益相當于每個晶體管的電流增益的乘積。

如果達林頓連接由兩個單獨的BJT組成，電流增益β1和β2組合電流增益可以使用以下公式計算：

βD= β1β2-------- （12.7）

當在達林頓連接中使用匹配的晶體管時，β1= β2= β ，上述電流增益公式簡化為：

βD= β2-------- （12.8）

封裝達林頓晶體管

由于其巨大的受歡迎程度，達林頓晶體管也以單個封裝制造和現成，其中兩個BJT內部連接為一個單元。

下表提供了單個封裝中示例達林頓對的數據表。

所示的電流增益是兩個BJT的凈增益。該裝置外部配有 3 個標準端子，即基極、發射極、集電極。

這種封裝的達林頓晶體管具有類似于普通晶體管的外部特征，但與普通單晶體管相比，具有非常高和增強的電流增益輸出。

如何直流偏置達林頓晶體管電路

下圖顯示了使用具有非常高電流增益β晶體管的常見達林頓電路D.

這里可以使用以下公式計算基極電流：

我B= V抄送， w是， 1B7 .DRE-------------- （12.9）

雖然這看起來類似于通常應用于任何常規 BJT 的方程，但該值βD在上式中將大大高于V。是會比較大。上一段中介紹的示例數據表中也證明了這一點。

因此，發射極電流可以計算為：

我E= （βD+ 1）IB≈ βD我B-------------- （12.10）

直流電壓將為：

VE= IERE-------------- （12.11）

VB= VE+ V是-------------- （12.12）

已解決的示例 1

根據下圖給出的數據，計算達林頓電路的偏置電流和電壓。

解決方案：應用公式12.9，基極電流確定為：

我B= 18 V - 1.6 V / 3.3 MΩ + 8000（390Ω） ≈ 2.56 μA

應用方程12.10，發射極電流的評估公式為：

我E≈ 8000（2.56 μA） ≈ 20.28 mA ≈ IC

發射極直流電壓可以使用公式12.11計算，公式為：

VE= 20.48 mA（390Ω） ≈ 8 V，

最后，可以通過應用公式12.12來評估集電極電壓，如下所示：

VB= 8 V + 1.6 V = 9.6 V

在本例中，達林頓集電極的電源電壓為：

VC= 18 V