提及電路保護(hù)器件,對于新老硬件電子工程師而言,并不陌生。電路保護(hù)設(shè)計方案過程中,其中電路保護(hù)器件選型是最耐電子工程師尋味的過程。電路保護(hù)器件主要分為四類:雷擊浪涌防護(hù)器件、過電壓防護(hù)器件、過電流保護(hù)器件和靜電防護(hù)器件。接下來要分享的是瞬變抑制二極管陣列SO-8封裝產(chǎn)品常用型號:DW2.8-4LVUB-S、DW2.8-4LVU-S、DW2.8-8LVU-S、DW3.3-2PLC-S、DW3.3-4RDA-S、DW05-4RDA-S、DW06-2PLC-S、DW15-7MDA-S……
瞬變抑制二極管陣列1)瞬變抑制二極管陣列DW2.8-4LVUB-S參數(shù)
工作電壓:2.8V
最小擊穿電壓:3V
結(jié)電容:1.6pF
鉗位電壓:25V
峰值脈沖電流:22A
峰值脈沖功率:550W
漏電流:1uA
封裝形式:SO-8
2)瞬變抑制二極管陣列DW3.3-2PLC-S參數(shù)
工作電壓:3.3V
最小擊穿電壓:3.7V
結(jié)電容:5pF
鉗位電壓:20V
峰值脈沖電流:100A
峰值脈沖功率:1800W
漏電流:0.5uA
封裝形式:SO-8
3)瞬變抑制二極管陣列DW15-7MDA-S參數(shù)
工作電壓:15V
最小擊穿電壓:16V
結(jié)電容:20pF
鉗位電壓:45V
峰值脈沖電流:10A
峰值脈沖功率:450W
漏電流:0.5uA
封裝形式:SO-8
瞬變抑制二極管陣列封裝由此可知,瞬變抑制二極管陣列參數(shù)有封裝、工作電壓、擊穿電壓、鉗位電壓、功率、電流、結(jié)電容等等,在瞬變抑制二極管陣列選型過程中,這些參數(shù)起到很重要的作用,最終型號的確認(rèn),則需要電子工程師根據(jù)EMC電磁兼容性測試結(jié)果來選擇。那么,瞬變抑制二極管陣列選型技巧,有哪些呢?
1)瞬變抑制二極管陣列的工作電壓要大于電路中的最高工作電壓;
2)瞬變抑制二極管陣列的箝位電壓要小于后級電路被保護(hù)芯片所能承受的最大峰值電壓;
3)根據(jù)電路設(shè)計布局及被保護(hù)線路數(shù)選擇合適的封裝形式。一般而言,封裝形式越大,防護(hù)等級越高;
4)在通信接口靜電防護(hù)中,要尤其注意傳輸速率和信號的頻率,避免瞬變抑制二極管陣列結(jié)電容過高干擾通信質(zhì)量;當(dāng)信號頻率或傳輸速率較高時,應(yīng)選用低電容瞬變抑制二極管陣列;
5)具體選型,建議在專業(yè)的技術(shù)指導(dǎo)下完成,選型、EMC測試、樣品,一站式支持;
SO-8封裝只是瞬變抑制二極管陣列封裝形式的一種,想了解更多其他封裝形式的ESD管,可直接咨詢東沃電子!
SO-8封裝瞬變抑制二極管型號-
二極管
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