大多數(shù)新手電子愛(ài)好者肯定會(huì)在他們的垃圾箱里藏有幾個(gè)燒毀的功率晶體管，例如2N3055。

假設(shè)我們的內(nèi)部半導(dǎo)體結(jié)仍然完好無(wú)損，該設(shè)備可以通過(guò)銼削或鋸掉設(shè)備的頂蓋來(lái)變成一個(gè)漂亮的小太陽(yáng)能電池，以揭開(kāi)內(nèi)部嵌入式芯片芯片。

2N3055太陽(yáng)能電池可以產(chǎn)生多少電流？

當(dāng)這種2N3055芯片半導(dǎo)體暴露在強(qiáng)烈的陽(yáng)光下時(shí)，可能會(huì)在高達(dá)0mA的電流下輸出約7.20V。該圖顯示了輸出電壓消耗與負(fù)載電流的關(guān)系。

如何增加庫(kù)倫特

由于與標(biāo)準(zhǔn)太陽(yáng)能電池相比，硅芯片的表面積很小，因此您可能需要放大鏡或凸透鏡將太陽(yáng)光線集中在硅芯片上，以提高輸出電流。

另一方面，嚴(yán)禁使用極強(qiáng)的集中陽(yáng)光，否則可能會(huì)永久燒毀晶體管結(jié)！

使用新型2N3055的優(yōu)勢(shì)

如果使用狀況良好的晶體管，那么當(dāng)集電極基極和發(fā)射極基極結(jié)a并聯(lián)時(shí)，您可能會(huì)發(fā)現(xiàn)輸出電流翻了一番，如電路圖所示。

如果晶體管已經(jīng)出現(xiàn)故障，這可能是不可能的。這是因?yàn)閾p壞的晶體管可能具有可能短路的故障結(jié)，從而導(dǎo)致太陽(yáng)能電池輸出短路。

如何從12N2太陽(yáng)能電池獲得3055V

要從12N2定制太陽(yáng)能電池中獲得3055V，您可能需要將其中18個(gè)串聯(lián)起來(lái)，如下圖所示。

由于每個(gè)器件能夠產(chǎn)生約0.7V的電壓，因此產(chǎn)生的總電壓可能約為0.7x18=12.6V。但是，最大電流不會(huì)改變，仍然在40mA左右。

警告：請(qǐng)不要使用過(guò)時(shí)的鍺功率晶體管，因?yàn)檫@些類型可能包含劇毒成分。另一方面，一家領(lǐng)先的半導(dǎo)體生產(chǎn)商已經(jīng)確定，包括2N3055在內(nèi)的更現(xiàn)代的硅器件在這方面是絕對(duì)安全的。