當前,隨著5G、WiFi等技術不斷演進與應用,射頻前端芯片正迎來新的發展機遇。一方面,受益5G頻段增加,射頻前端芯片應用領域進一步拓展,市場呈現大幅增長態勢;另一方面射頻前端芯片技術高頻化和集成化,為工藝技術發展帶來新的變革。
盡管以GaAs工藝為代表的PA仍然為射頻前端芯片主流技術,但CMOS PA憑借低成本、高集成度、漏電流低、導熱性好等優勢,正從非主流應用地位轉變,將在WiFi、物聯網等應用領域大放異彩。
但在當前前端射頻如此“內卷”行業領域,光本土同業就高達10-20家,已逐漸形成客戶供應切換成本低的產品高度同質化現象。使得要在前端射頻領域筑起“護城河”廠家唯有在制程工藝、架構與設計上出奇制勝才能“殺出一條血路”。
經過三年技術扎實的積累,杭州地芯科技有限公司(以下簡稱:地芯科技)聯手本地晶圓代工廠以“純國產制造”的CMOS工藝支持4G線性CMOS PA打破了GaAs壟斷局面。
地芯科技副總裁張頂平表示,CMOS工藝是集成電路中最為廣泛使用的工藝技術,具有高集成度、低成本、漏電流低、導熱性好、設計靈活等特性,但也存在擊穿電壓低、線性度差兩大先天性弊端,使其在射頻PA應用上面臨巨大的技術挑戰。但是創始團隊深耕線性CMOS PA技術十多年,在過往的經驗基礎上開拓創新,攻克了擊穿電壓低、線性度差兩大世界級工藝難題,在全球范圍內率先量產支持4G的線性CMOS PA,將使得CMOS工藝的PA進入主流射頻前端市場成為可能,更為突出的優勢在于,CMOS由于集成度高,成本亦比GaAs占更大優勢。
事實上,這款在18日于上海發布的GC0643,是過去三年地芯科技純粹專注于CMOS PA技術的扎實技術積累,是一款4*4mm多模多頻功率放大器模塊(MMMB PAM),可應用于3G/4G手持設備(包括手機及其他手持移動終端)以及Cat1.物聯網設備,支持的多頻段多制式應用場景。本模塊還支持可編程MIPI控制。
GC0643技術亮點
。基于CMOS工藝路線的全新多模多頻PA設計思路
。創新型開關設計支持多頻多模單片集成
。創新的線性化電路設計
。低功耗、低成本、高集成度、高可靠性的最佳解決方案
應用領域
。低功耗廣域物聯網(LP-WAN)設備
。3G/4G手機或其他移動型手持設備
。無線IoT模塊等
。支持以下制式的無線通信:
?FDD LTE Bands 1,3/4,5,8
?TDD LTE Bands 34,39,40,41
?WCDMA Bands 1,2,3/4,5,8
GC0643在3.4V的電源電壓下,在CMOS工藝難以企及的2.5G高頻段,該CMOS PA可輸出32dBm的飽和功率,效率接近50%;在LTE10M 12RB的調制方式下,-38dBc UTRA ACLR的線性功率可達27.5dBbm(MPR0),FOM值接近70,比肩GaAs工藝的線性PA。在4.5V的電源電壓下,Psat更是逼近34dBm,并在Psat下通過了VSWR 1:10的SOA可靠性測試。該設計成功攻克了CMOS PA可靠性和線性度的主要矛盾,預示了線性CMOS PA進入Psat為30-36dBm主流市場的可能性。
地芯科技CEO吳瑞礫表示,“Common-Source架構的CMOS PA和HBT的架構類似,其非線性實際上并非特別棘手到難以處理,主要問題在于無法承受太高的電源電壓。”他也指出,“CMOS工藝提供了豐富種類的器件,以及靈活的設計性,通過巧妙的電路設計,可以通過模擬和數字的方式補償晶體管本身的非線性。這也是CMOS PA設計最重要的課題之一。”
杭州地芯科技有限公司成立于2018年,總部位于中國(杭州)人工智能小鎮,并在上海及深圳設有公司分部。其產品覆蓋射頻收發機、射頻前端及模擬信號鏈三大產品線。產品應用遍及無線通訊、工業電子及物聯網等諸多領域。地芯科技致力于成為全球領先的5G無線通信、物聯網以及工業電子的高端模擬射頻芯片的設計者。
審核編輯 :李倩
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原文標題:突破極限 地芯科技發布首款基于CMOS工藝的國產化多頻多模線性PA
文章出處:【微信號:DIGITIMES,微信公眾號:DIGITIMES】歡迎添加關注!文章轉載請注明出處。
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