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適用于航空航天和國防應用的新型S波段功率放大器

星星科技指導員 ? 來源:microchip ? 作者:microchip ? 2023-04-23 09:37 ? 次閱讀

海洋、航空航天和國防應用以及天氣雷達通常使用所謂的S波段雷達。S波段雷達通常以2-4 GHz的頻率工作。由于波長和頻率的原因,S波段雷達不容易衰減。這使得它們可用于近距離和遠距離天氣觀測以及船上,以探測其他船只和陸地障礙物,并為避免碰撞和海上導航提供方位和距離。美國國家氣象局(NWS)也使用S波段雷達。

雷達系統設計注意事項

S波段雷達系統的設計人員通常專注于改進尺寸、重量和功率(SWaP)。在本文中,我們將演示我們的新型Microchip 70W、ICP3049P、2.7–3.5 GHz功率放大器(PA)如何為在S波段運行的無線雷達系統提供業界最佳的SWaP性能和最高效率。

當雷達系統設計人員進行新設計或向現有平臺添加功能時,他們會考慮許多參數。如果預期用例是移動的(機載、艦載或其他移動雷達系統),PCB面積和集成電路組件的選擇/集成很快就會成為首要考慮因素。

前幾代S波段雷達系統通常在2.7至3.1 GHz和3.1至3.5 GHz頻段使用單獨的PA。通常,每個頻段使用相同的PA;但是,它使用外部組件對每個頻段進行唯一匹配/調諧,以在頻率上向上或向下移動響應。對于ICP3049P這樣的器件,不再需要這種技術,因為整個頻段被一個IC覆蓋,從而消除了對這些外部元件的需求,從而節省了電路板空間。

隨著相控陣天線雷達系統的日益普及,對PA提出了許多具有挑戰性的要求。在確定相控陣雷達系統中使用的PA發射機系列的規格時,必須仔細考慮系統的要求。以下是一些必須遵守的常見設計注意事項和設計約束:

印刷電路板(PCB)區域在相控陣雷達中可能供不應求。這可能會導致輻射元件間距非常近,可能會產生器件間EMI問題或散熱挑戰。

將額外熱量散發(吸收)到系統中的能力可能非常有限。

操作頻率可能因雷達系統而異。例如,在S波段,可能需要在整個2.7至3.5 GHz頻譜上運行。

雷達系統的可用直流功率因最終應用而異。與對移動雷達系統施加的更嚴格要求相比,固定地面雷達的直流電源和冷卻通常是無限的。在固定雷達中,最好優化輸出功率的PA,以增加范圍,但代價是直流功耗和更復雜的冷卻系統。在移動機箱中,PA可以針對PAE進行優化,以最大限度地降低功耗并簡化冷卻要求。

設計人員是否應該為功率放大器級選擇MMIC功率晶體管(帶有外部匹配網絡)。

MMIC 與分立功率晶體管

單片微波集成電路 (MMIC) 是在微波頻率(300 MHz 至 300 GHz)下工作的 IC 器件。這些器件通常與 50 歐姆的特性阻抗匹配。這使得MMIC比單個RFMW功率晶體管更易于使用,因為您不需要外部匹配電路來級聯MMIC,從而可以更輕松地將它們集成到上游和下游電路中。

對于工藝技術,砷化鎵傳統上是MMIC的理想材料,其中有源和基本無源元件可以在單個GaAs芯片上輕松生產。與GaAs相比,轉向用于更高功率PA的GaN-on-SiC MMIC可以實現功耗和重量降低30%以上,這對系統設計人員和OEM來說是一個巨大的收益。

現在,使用MMIC器件作為PA而不是分立晶體管可以提供尺寸優勢,因為MMIC將構建復雜系統所需的電路縮小到相對較小的封裝,從而節省了設計人員的PCB面積。許多MMIC設計還集成了電磁干擾保護(EMI),這使設計人員無需在設計中集成這些附加電路。最后,也許關鍵是MMIC是否采用標準半導體“封裝”;這使系統設計人員不必處理裸片的要求,裸片在業界普遍認為裸片比封裝裸片更難在制造環境中加工。

分立式RFMW功率器件特別適用于放大電路中的PA模塊,原因有幾個重要,但通常物理尺寸(以及匹配網絡的尺寸)更大。分立器件通常具有比MMIC器件高得多的輸出功率能力。這意味著設計人員可能能夠以更少的設備產生更多的功率。然而,我們認為ICP3049 MMIC標準功能能夠在S波段維持70W,這往往會使分立功率晶體管的早期優勢最小化。分立器件確實允許設計人員優化器件周圍的匹配網絡,并可能選擇能夠最大限度地提高特定應用的電路性能的PCB材料,但這對于更深奧的應用可能更理想,而不是那些每塊板可能有×100個輻射元件的應用。最后,由于分立器件在板級匹配,因此設計團隊能夠以高效且比MMIC設計更省時的方式微調或修改設計性能。然而,隨著許多類型的現代PA MMIC的可用性,到Ka頻段及更高,這種優勢變得更加專業化。

碳化鎵器件

看看ICP3049P PA并考慮到所描述的設計限制,我們認為ICP3049P是業內唯一具有這種SWaP最大化性能規格的GaN-on-SiC器件:7×7 mm塑料QFN封裝,覆蓋整個S波段帶寬為2.7-3.5 GHz,Pout 48–49 dBm,PAE為60%。60% 的高效率意味著該器件只需在輸入端達到 24 dBm 即可實現 48 dBm 輸出,并在 60.2–8.3 GHz 頻段提供 5+ 瓦的輸出功率。與 40 年代的組織 S 波段 PAE 相比,這種效率是一個進步。對于雷達升級,這意味著系統需要散發更少的熱量。然后,這種釋放的熱容量可用于新的電子功能或捕獲為節能。從ICP0349P MMIC的集成方面來看,該器件具有混合輸入匹配GaN晶體管,內部無源輸入匹配網絡采用經濟高效的SiC基氮化鎵工藝制造。該器件的輸入在 50.2 至 7.3 GHz 范圍內內部匹配至 5 Ω。

ICP3049P小封裝尺寸為7.0×7.0×0.85mm,可實現具有同類最佳外形和高性能且僅需小PCB面積的新型S波段應用。ICP3049P需要減少雷達設計人員的設計工作;只需要提供適當的低頻去耦,并確保PCB上的封裝附件提供可靠的電氣接地和導熱路徑。我們的ICP0349非常適合商業和國防雷達應用。

審核編輯:郭婷

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