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MAX16833高壓高亮度LED驅動器的拓撲結構和設計過程

星星科技指導員 ? 來源:ADI ? 作者:ADI ? 2023-04-18 11:45 ? 次閱讀

本應用筆記詳細介紹了MAX16833高壓高亮度LED驅動器的分步設計過程。這個過程可以加快原型制作速度,并增加一次性成功的機會。給出了一個典型的設計方案,以及基于設計約束的計算示例。討論了組件選擇的權衡。包括一個電子表格計算器 (XLS),以幫助計算外部組件值。本應用筆記重點介紹降壓-升壓轉換器拓撲結構。但是,只要理解基本方程,相同的過程就可以應用于其他拓撲。

介紹

本應用筆記是系列筆記中的第二篇,詳細介紹了MAX16833高壓高亮度LED驅動器的分步設計過程,以加快原型設計速度,增加一次通過成功的機會。MAX16833為峰值電流模式控制的LED驅動器,能夠以幾種不同的架構驅動LED串:升壓、降壓-升壓、SEPIC、反激式和高邊降壓拓撲。本應用筆記第1部分重點介紹降壓-升壓拓撲。

MAX16833具有多種特性:調光驅動器設計用于驅動外部p溝道MOSFET,極快的PWM電流切換至LED,無瞬態過壓或欠壓,模擬調光,100kHz至1MHz之間的可編程開關頻率,以及用于頻率抖動的斜坡輸出或電壓基準,用于精確設置LED電流,只需很少的外部元件。

對于第 2 部分中的設計示例,以 4A 的恒定電流驅動 1 個 LED 串。假設每個LED的典型正向壓降為3V,動態電阻為0.2Ω。還假設LED驅動器電路直接由汽車電池供電,其典型電壓為12V,但可以在6V至16V之間變化。由于LED燈串電壓在輸入電壓范圍內,因此選擇降壓-升壓配置。

pYYBAGQ-EiyACHJYAABLjoApdOk447.gif


圖1.典型工作電路。

電感器選擇(降壓-升壓)

為了選擇合適的電感值,必須首先計算最大占空比:

poYBAGQ-Ei2AYoJqAAAHr80a_Dk175.gif (公式1)

其中VLED是以伏特為單位的LED串的正向電壓,VD是整流二極管的正向壓降(約0.6V),VIMIN是以伏特為單位的最小輸入電源電壓,VFET是以伏特為單位的開關MOSFET導通時的平均漏源電壓(最初假設為0.2V)。

最大占空比和LED電流決定了平均電感電流。

pYYBAGQ-Ei6AGqRYAAAGlCi687I649.gif (公式2)

峰值電感電流定義如下:

poYBAGQ-Ei-ADOnGAAAGR_l32IA485.gif (公式3)

其中 ΔIL是以安培為單位的峰峰值電感電流紋波。

最后,可以計算出最小電感值:

pYYBAGQ-EjCAfrMDAAAH0QdLBBc729.gif (公式4)

下面是基于引言中概述的設計問題的數值示例。選擇電感電流紋波為50%。較低的紋波電流需要更大(通常更昂貴)的電感。更高的紋波電流需要更多的斜率補償和更大的輸入電容

poYBAGQ-EjGAT98QAAAHqg1Pw0s543.gif (公式5)
poYBAGQ-EjKAKrDtAAAG105mKoU185.gif (公式6)
pYYBAGQ-EjKABkiYAAAG512jOJk221.gif (公式7)
poYBAGQ-EjOAf1XfAAAH9rGU50A811.gif (公式8)

確定最小電感值后,必須選擇接近L的實際電感值最低盡可能不下水。使用所選電感值重新計算峰值電感電流和紋波。這些數字對于以后的其他計算是必需的。

L實際= 8.2μH (公式9)
pYYBAGQ-EjWAD120AAAHrmqQvhA779.gif (公式10)
poYBAGQ-EjWATz5sAAAG0rUY2uA203.gif (公式11)

確保所選電感的額定電流高于ILP.通常,電感峰值電流使用20%裕量。

開關場效應管選擇

選擇額定承受最大輸出電壓的開關 MOSFET。

VDS = (VLED + VINMAX + VD) × 1.2 (公式12)

保證金包括系數 1.2。

開關 MOSFET 的額定值也必須能夠處理最大 RMS 電流。

pYYBAGQ-EjaAPqQcAAAHzZ0kiew487.gif (公式13)

我在哪里數字版權管理系統是開關 MOSFET 的漏極有效值電流,單位為安培。

整流二極管選擇

整流二極管可能是導致整體功率損耗的主要原因。選擇具有低正向壓降的肖特基二極管,該二極管的額定值可處理平均LED電流。

ID = ILAVG × (1 - DMAX) × 1.2 (公式14)

保證金包括系數 1.2。

此外,請確保肖特基二極管的反向電壓額定值比 (V發光二極管+ V英馬克斯),二極管兩端的最大預期反向電壓。

調光場效應管選擇

選擇在工作溫度比 LED 電流高 30% 時具有連續額定電流的調光 MOSFET。調光 MOSFET 的漏源電壓額定值必須比 V 高 20%發光二極管.

輸入電容選擇

在降壓-升壓轉換器中,輸入電流是連續的(假設輸出電容接地;參見輸出電容連接部分),因此RMS紋波電流很低。大容量電容和ESR都會影響輸入紋波。假設大容量電容和ESR的紋波貢獻相等,如果鋁電解電容和陶瓷電容器并聯使用。如果僅使用陶瓷電容器,則大部分輸入紋波來自大容量電容(因為陶瓷電容器具有非常低的ESR)。使用公式15和16計算最小輸入大容量電容和最大ESR:

poYBAGQ-EjeATwN0AAAHZ_FH6Ns922.gif (公式15)

其中 ΔVQ_IN是電容放電引起的輸入紋波部分。

pYYBAGQ-EjiAccO3AAAG08IBgrE099.gif (公式16)

其中 ΔVESR_IN是ESR引起的輸入紋波。

假設可以容忍最大120mV的輸入紋波(V的2%)英明).此外,假設該輸入紋波的95%來自大容量電容。如果實際組件不容易獲得計算值,則可能需要重新考慮此假設。根據規定的設計規格,輸入電容的計算方法如下:

poYBAGQ-EjmAYoh1AAAHxaggrcI605.gif (公式17)
pYYBAGQ-EjmADTgpAAAHDeyRugM119.gif (公式18)

并聯使用兩個 4.7μF 電容器,以實現 7.5μF 的最小大容量電容。確保所選電容器在工作電壓下滿足最小大容量電容要求(電容會隨著陶瓷電容器電壓的變化而大幅降低)。

輸出電容器選擇

輸出電容器的目的是在開關 MOSFET 導通時減小 LED 的輸出紋波和源電流。大容量電容和ESR都會影響總輸出電壓紋波。如果使用陶瓷電容器,大部分紋波來自大容量電容。使用公式19計算所需的大容量電容:

poYBAGQ-EjqAfozkAAAHhY3hmuU134.gif (公式19)

其中 ΔVQ_OUT是電容器放電引起的輸出紋波部分。

剩余紋波,ΔVESR_OUT,來自輸出電容ESR,其計算公式如下:

pYYBAGQ-EjuAUQOQAAAG-t6sGqE571.gif (公式20)

要確定允許的總輸出紋波,請將允許的LED電流紋波乘以LED串的動態阻抗。LED的動態阻抗定義為工作LED電流下的ΔV/ΔI,可通過LED數據手冊中的I-V曲線確定。如果LED數據手冊中未提供I-V曲線,則必須手動測量。

并聯使用多個陶瓷電容器,以降低大容量輸出電容的有效ESR和ESL。

在PWM調光期間,陶瓷輸出電容可能會產生一些可聞噪聲。為了降低這種噪聲,將電解電容器或鉭電容器與陶瓷電容器結合使用,以提供所需的大部分大容量電容。也可以使用低噪聲陶瓷電容器。1

假設最大 LED 電流紋波為 0.1 × I發光二極管.此外,假設所選 LED 的動態阻抗為 0.2Ω(0 個 LED 串的總阻抗為 8.4Ω)。然后按如下方式計算總輸出電壓紋波:

VOUTRIPPLE = 0.1A × 0.8Ω = 80mV (公式21)

假設大容量電容的紋波貢獻為95%,輸出電容的計算公式如下:

poYBAGQ-EjyAYeTqAAAHbD29UHM935.gif (公式22)
poYBAGQ-EjyAPhdtAAAHShLcl-k706.gif (公式23)

并聯使用三個 10μF 電容器和一個 4.7μF 電容器,以實現 30μF 的最小輸出電容。 確保所選電容器在工作電壓下滿足最小大容量電容要求(電容會隨著陶瓷電容器電壓的變化而大幅降低)。

過壓保護

如果 LED 開路,轉換器會嘗試增加輸出電壓以達到所需的 LED 電流。這意味著輸出電壓可能接近不安全的水平。提供OVP輸入以檢測過壓情況并限制輸出電壓。如果 V過壓保護超過1.23V,NDRV強制低電平,直到V過壓保護放電至1.16V。

對于降壓-升壓配置,輸出電壓等于輸入電壓加上LED電壓。五世OV選擇的跳變點應高于正常工作期間預期的最大輸出電壓。

VOV > VINMAX + VLEDMAX (公式24)
pYYBAGQ-Ej2AbGEsAAAHjYZeVUA232.gif (公式25)

對于此設計示例,假設 VOV需要 42V。選擇 ROVP2為10kΩ,則

poYBAGQ-Ej6AMjF-AAAH2hQ2CFs112.gif (公式26)

電流檢測

MAX16833為電流模式控制的LED驅動器,這意味著電感電流和LED電流的信息被反饋到環路中。

LED 電流感應

LED 電流由串聯高邊檢流電阻器或施加到 ICTRL 輸入端的電壓進行設置。

如果 VICTRL > 1.23V,則內部基準將RCS_LED兩端的電壓調節至 200mV(VISENSE+ - VISENSE-)。因此,檢流電阻RCS_LED設置LED電流。

poYBAGQ-Ej6ABJQ1AAAGhOCLF2g328.gif (公式27)

如果 VICTRL<1.23V,則LED電流由RCS_LED和 VICTRL.這允許LED通過模擬電壓調暗。

pYYBAGQ-Ej-ACEKPAAAG375m520058.gif (公式28)

請注意,當 VICTRL= 1.23V,兩個方程相同。

開關 FET 電流檢測和斜率補償

當占空比大于50%時,負載瞬態會導致次諧波振蕩和環路不穩定,而無需斜率補償。為了保持環路穩定,添加一個電阻(R南卡羅來納州從CS到開關MOSFET的源極)。MAX16833內部有一個電流源,通過R供電電流南卡羅來納州創建電壓 V南卡羅來納州.該電壓與R兩端的電壓相加CS_FET并將結果與參考進行比較。

VCS = VSC + VCS_FET (公式29)

保持穩定性所需的最小斜率補償電壓為:

VSCMIN = 0.5 × (inductor current downslope - inductor current upslope) × RCS_FET (Eq. 30)

RCS_FET,FET 電流檢測電阻同時具有開關 MOSFET 電流和流過它的斜率補償電流。

poYBAGQ-EkCAD11sAAAjDVEMIw8210.gif


圖2.斜率補償。
斜率補償電壓定義如下:

pYYBAGQ-EkCARB9OAAAG0VcRfUU858.gif (Eq. 31)

為了計算最小必要的斜率補償電壓,假設最小電源電壓和最小電感值:

poYBAGQ-EkGAG74KAAAH8SWc9lU144.gif (Eq. 32)
pYYBAGQ-EkKAR2EFAAAIBnQ_n3I315.gif (Eq. 33)

因此:

poYBAGQ-EkOAFaLwAAAKDf8j2B8056.gif (Eq. 34)

包括系數 1.5 以提供足夠的保證金。

pYYBAGQ-EkSAZTnTAAAI0r00xhQ947.gif (Eq. 35)

確定RCS_FET后,RSC 的計算方法如下:

poYBAGQ-EkWAXZCsAAAIxkIC6zc873.gif (Eq. 36)

根據規定的設計規格,斜率補償和檢流電阻的計算方法如下:

pYYBAGQ-EkaAS0qdAAAHQdu34Sc433.gif (Eq. 37)
poYBAGQ-EkeAYSe3AAAIjKCHMfk576.gif (Eq. 38)

最接近的標準電阻值為75mΩ。

pYYBAGQ-EkeATxYZAAAIkZInhM4262.gif (Eq. 39)

誤差放大器補償

在降壓-升壓配置中,開關轉換器具有右半平面(RHP)零點,導致環路不穩定。環路補償的目標是確保環路增益>0dB(和足夠的相位裕量)的相移小于180°。通過增加左半平面(LHP)極點,環路增益可以在大約1/5 fZRHP時滾降到0dB,并且可以避免RHP零點引起的不穩定。誤差放大器必須進行補償,以確保在所有預期的工作條件下變化下的環路穩定性。最壞情況下的 RHP 零頻率計算如下:

poYBAGQ-EkiAe7-lAAAH5Gcre-U888.gif (Eq. 40)

開關轉換器的輸出端還有一個極點。輸出極點fP2的計算公式如下:

pYYBAGQ-EkmACn0KAAAGqcqFxWQ845.gif (Eq. 41)

其中,COUT是上面計算的大容量輸出電容,ROUT是有效輸出阻抗。

poYBAGQ-EkmAOdGXAAAI77x7TM8087.gif (Eq. 42)

其中 RLED 是 LED 串在工作電流下的動態阻抗,單位為歐姆。
通過從 COMP 到 SGND 添加串聯電阻和電容(RCOMP 和 CCOMP)來補償環路。RCOMP設置交越頻率,CCOMP設置積分器零頻率。為獲得最佳性能,請使用以下公式:

pYYBAGQ-EkqAQAezAAAJdqCSU80583.gif (Eq. 43)
poYBAGQ-EkuAMHztAAAHA1z4kkg150.gif (公式44)

CCOMP和誤差放大器的輸出阻抗根據以下公式設置主極點頻率:

pYYBAGQ-EkuAXdsyAAAG-jVSLzc035.gif (公式45)

假設 ROUTEA 比 RCOMP 大得多。MAX16833數據資料中未指定ROUTEA,但可以根據誤差放大器的跨導和開環增益計算得出。首先,將75dB的開環增益從分貝轉換為伏特/伏特。

pYYBAGQ-EkyAcjDfAAAIihGNx_I789.gif (公式46)

然后ROUTEA可以按如下方式計算:

poYBAGQ-Ek2AGJkLAAALI96_UuM674.gif (公式47)

以下設計示例:

poYBAGQ-Ek-AYsQvAAAIytOubFc980.gif (公式48)
pYYBAGQ-Ek-AW7-eAAAIXtbj2n4786.gif (公式49)
poYBAGQ-ElCAdREjAAAHWOVNv5E194.gif (公式50)
pYYBAGQ-ElGAVkYpAAAJGvRdvM8193.gif (公式51)

最接近的標準電阻值為82Ω。

poYBAGQ-ElKAInF6AAAHczJfvgM049.gif (公式52)

最接近的標準電容值為0.47μF。

pYYBAGQ-ElOAE5VxAAAHTM8yATo817.gif (公式53)

環路響應和相位裕量

我們可以近似相位裕量(ΦM) 如下:

poYBAGQ-ElOAdUvbAAAK1dUHupc038.gif (公式54)

通過將交越頻率設置為 f 的 1/5中聯,將積分器零 (f子) 在 f 處小二,并假設 f小二遠小于 fC,則公式簡化為以下內容:

ΦM = 90° - tan-1(0.2) = 79° (公式55)

圖3顯示了基于上述外部元件選擇的仿真波特。交越頻率為5.5kHz,相位裕量為79°。交越頻率略低于手動計算值,但完全在預期范圍內。

poYBAGQ-ElSABx-2AACDJEvNp8Y767.gif


圖3.波特圖模擬。

計算和仿真環路響應既是設計HB LED驅動器原型的好主意,也是重要步驟。但是,在原型組裝完成后,還應在實驗室中驗證環路響應。

使用網絡分析儀和變壓器將小信號注入環路并測量響應。有關典型的增益和相位測量設置,請參見圖4。

pYYBAGQ-ElWAZ5aJAABNe8Iyzy0353.gif


圖4.用于測量環路增益和相位響應的設置。

交流信號需要注入小電阻上的反饋路徑,并在電阻的兩側進行測量。由于該設計已經有一個100Ω電阻與ISENSE輸入串聯,因此無需斷開環路。交流信號可以在100Ω電阻兩端注入。

環路響應應在滿載電流下進行,并且沒有模擬或PWM調光,因此請確保PWMDIM和ICTRL在測試期間都很高。此外,測量應以最低預期輸入電壓進行。

檢查以確保網絡分析儀測量的交越頻率和相位裕量接近計算值。

設計電路以適應多種應用

很多時候,不希望為每個應用進行新設計。如果兩個應用之間的差異很小,系統設計人員可以選擇在兩個應用中使用相同的電路,并接受隨之而來的性能權衡。

建議設計人員評估并了解其電路在所有不同條件下的行為。這些條件包括最小和最大輸入電壓范圍、被驅動 LED 的最小和最大數量、LED 串的陰極是連接到 GND(升壓)還是 IN(降壓-升壓)等。

使用提供的電子表格計算器 (XLS),可以輕松插入上述方案,并查看哪一個指示最小組件值。

poYBAGQ-ElaAMxw4AAAgnjaHIgs365.gif


圖5.MAX16833通用方案,支持升壓或降壓-升壓配置。

輸出電容連接

降壓-升壓LED驅動器的輸出電容通常從肖特基二極管的陰極連接到PGND。但是,輸出電容也可以從肖特基二極管的陰極連接到V在.圖6顯示了連接降壓-升壓LED驅動器輸出電容的兩個選項。選項 A 是標準方法,通??商峁┳罴训?EMI 性能。但是,由于LED陰極連接到輸入端,因此LED電壓容易受到線路瞬態條件的影響。通過在LED兩端連接輸出電容,可以降低線路瞬態脆弱性。選項B的缺點是將輸入電流從連續變為不連續,從而增加輸入上的電壓紋波并損害EMI性能。

pYYBAGQ-EleAboPwAAAtoH9gRmQ982.gif


圖6.用于連接降壓-升壓 LED 驅動器輸出電容的兩種不同選項。

結論

完整的降壓-升壓LED驅動器原理圖如圖7所示。通過遵循本應用筆記中概述的分步設計流程,可以在項目的調試和測試階段節省大量時間。

poYBAGQ-EleAIPLjAAA9-_EabGw797.gif


圖7.基于示例計算的典型應用電路。

審核編輯:郭婷

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