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SRAM

SRAM只要儲存器保持通電，里面儲存的數據就可以保持不變。我們也把它叫做雙穩定態，即使有干擾，當干擾消除的時候，電路就會恢復穩定值。它的每個單元都是由六個晶體管電路來實現。如下圖。

DRAM芯片中的單元被分成d個超單元，每個超單元都由w個DRAM單元組成。一個d*w的DRAM總共就是存儲dw位的信息了。（在這里我覺得《深入理解計算機原理》的作者翻譯有問題，本書很多地方的翻譯都讓人讀的不夠順暢，這里的有三個‘單元’，其實可以完全還另外一種說法，簡單的說就是一個塊被分成d個組，每個組都是w個DRAM單元。）超單元被組織成r行c列的長方形陣列，這里d=rc。每個超單元都有形如（i,j）的地址，這里i表示行，j表示列。

如上圖，每個RDAM芯片被連接到某個稱為存儲寄存器的電路，它的2個addr引腳，攜帶２位的行和列超單元引腳。當要訪問一個超單元時，行地址i稱為RAS（Row Access Strobe，行訪問選通脈沖）請求。列地址j稱為CAS（Column Access Strobe，列訪問選通脈沖）請求。兩者共享相同的DRAM地址引腳。具體讀取過程如下圖。

DRAM每個單元是由一個電容和一個訪問晶體管組成的，每一位存儲就是對一個電容充電。利用電容內部存儲電荷的多少來代表這一位是0還是1。但是由于電容有漏電的現象，當有干擾存在時，可能會導致電壓被擾亂，從而使數據丟失。所以它需要周期性的充電。由于多種原因導致的漏電，DRAM單元會在10～100毫秒時間內失去電荷。例如由于電容暴露在陽光下會導致電壓的改變，利用這一特性，數碼相機和攝像機的傳感器本質就是DRAM的單元陣列。下表是SRAM和DRAM的對比。

ROM與閃存(flash memory)

ROM(Read OnlyMemory，只讀存儲器)有的類型是可以讀也可以寫，但是由于歷史原因，統稱為只讀存儲器 。它存放的數據非常穩定，斷電后所存的數據也不會改變，它的結構相對較簡單，讀出方便，因而常用于存儲各種固定程序與數據。存放在ROM設備中的程序通常稱為固件(firmware)。比如我們計算機的BIOS，就是存放在ROM中的。

PROM(ProgrammableROM，可編程ROM) 只能被編程一次。PROM的每個存儲器單元有一種熔絲，它只能用高電流熔斷一次。

EPROM (ErasableProgrammable ROM，可擦寫可編程ROM)有一個透明的石英窗口，允許光到達存儲單元。紫外線光通過窗口照射進來，EPROM單元就被清楚為0。EEPROM(Electrically Erasable ROM，電子可擦寫ROM)類似于EPROM，但是它不需要一個物理上獨立的編程設備，因此可以直接在印制電路卡上編程。

3.磁盤

磁盤包括硬盤和軟盤，這里我們以硬盤為例，硬盤是我們最長接觸到的存儲器之一，拆開后它就長下面這個樣子

如果把它的結構圖花下來，它就是下面這個樣子的。它是由盤片、磁頭、盤片主軸、控制電機、磁頭控制器、數據轉換器、接口、緩存等部分組成的。

下面介紹最重要的幾個概念，扇區、磁道、柱面、盤面。

1、盤面

硬盤的盤片一般用鋁合金材料做基片，高速硬盤也可能用玻璃做基片。硬盤的每一個盤片都有兩個盤面（Side），即上、下盤面，一般每個盤面都會利用，都可以存儲數據，成為有效盤片，也有極個別的硬盤盤面數為單數。每一個這樣的有效盤面都有一個盤面號，按順序從上至下從“0”開始依次編號。在硬盤系統中，盤面號又叫磁頭號，因為每一個有效盤面都有一個對應的讀寫磁頭。硬盤的盤片組在2～14片不等，通常有2～3個盤片，故盤面號（磁頭號）為0～3或 0～5。

2、磁道

磁盤在格式化時被劃分成許多同心圓，這些同心圓軌跡叫做磁道（Track）。磁道從外向內從0開始順序編號。硬盤的每一個盤面有300～1 024個磁道，新式大容量硬盤每面的磁道數更多。信息以脈沖串的形式記錄在這些軌跡中，這些同心圓不是連續記錄數據，而是被劃分成一段段的圓弧，這些圓弧的角速度一樣。由于徑向長度不一樣，所以，線速度也不一樣，外圈的線速度較內圈的線速度大，即同樣的轉速下，外圈在同樣時間段里，劃過的圓弧長度要比內圈劃過的圓弧長度大。每段圓弧叫做一個扇區，扇區從“1”開始編號，每個扇區中的數據作為一個單元同時讀出或寫入。一個標準的3.5寸硬盤盤面通常有幾百到幾千條磁道。磁道是“看”不見的，只是盤面上以特殊形式磁化了的一些磁化區，在磁盤格式化時就已規劃完畢。

3、柱面

所有盤面上的同一磁道構成一個圓柱，通常稱做柱面（Cylinder），每個圓柱上的磁頭由上而下從“0”開始編號。數據的讀/寫按柱面進行，即磁頭讀/寫數據時首先在同一柱面內從“0”磁頭開始進行操作，依次向下在同一柱面的不同盤面即磁頭上進行操作，只在同一柱面所有的磁頭全部讀/寫完畢后磁頭才轉移到下一柱面（同心圓的再往里的柱面），因為選取磁頭只需通過電子切換即可，而選取柱面則必須通過機械切換。電子切換相當快，比在機械上磁頭向鄰近磁道移動快得多，所以，數據的讀/寫按柱面進行，而不按盤面進行。也就是說，一個磁道寫滿數據后，就在同一柱面的下一個盤面來寫，一個柱面寫滿后，才移到下一個扇區開始寫數據。讀數據也按照這種方式進行，這樣就提高了硬盤的讀/寫效率。一塊硬盤驅動器的圓柱數（或每個盤面的磁道數）既取決于每條磁道的寬窄（同樣，也與磁頭的大小有關），也取決于定位機構所決定的磁道間步距的大小。

4、扇區

操作系統以扇區（Sector）形式將信息存儲在硬盤上，每個扇區包括512個字節的數據和一些其他信息。一個扇區有兩個主要部分：存儲數據地點的標識符和存儲數據的數據段。

在最初的時候，將每個磁道都是分為數目相同的扇區的，扇區的數目都是由最靠近里面的磁道的扇區數來決定的。為了保證每個磁道具有固定的扇區數，那么越往外，它的數據密度就會越低，造成磁盤空間的浪費。現代大容量磁盤使用了一種稱為多區記錄的技術，說白了就是利用柱面，把相鄰的幾個柱面分成一個區，（盤面上的磁道都是一個個同心圓，我們將這些同心圓分組，相鄰的幾個同心圓為一組，擴展到柱面，也是這樣分。）一個區中的每個柱面中的每條磁道都有相同數量的扇區，這個扇區的數量是由該區中最里面的磁道所包含的扇區數所確定的。

磁盤操作

磁盤用讀/寫頭來讀寫存儲在磁性表面的位，而讀寫頭連接到一個傳動臂一端。通過沿著半徑軸前后移動這個傳動臂，驅動器可以將讀/寫頭定位到盤面上的任何磁道上。這樣的機械運動稱為尋道。

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在傳動臂末端的讀/寫頭在磁盤表面高度大約0.1微米處的一層薄薄的氣墊上飛翔，速度大約是80km/h。

磁盤以扇區大小的塊來讀寫數據。對扇區的訪問時間有三個主要的部分：尋道時間、旋轉時間和轉送時間。在訪問一個磁盤扇區時，時間主要花在尋道時間和旋轉時間，而且尋道時間和旋轉時間基本相等。

5.閃存（flash）和固態硬盤（SSD）

閃存(flash memory)是一類非易失性存儲器，基于EEPROM，可以對塊的存儲器單元進行擦寫和再編程。任何閃存器件的寫入操作只能在空或已擦除的單元內進行，所以在大多數情況下，在進行寫操作實現必須先執行擦除。閃存的存儲單元為三端器件，與場效應管有相同的名稱：源極、漏極和柵極。如下圖。

Flash我們分為NOR和NAND，這兩者的區別是什么呢？NAND型閃存的擦和寫均是基于隧道效應，電流穿過浮置柵極與硅基層之間的絕緣層，對浮置柵極進行充電(寫數據)或放電(擦除數據)。而NOR型閃存擦除數據仍是基于隧道效應(電流從浮置柵極到硅基層)，但在寫入數據時則是采用熱電子注入方式(電流從浮置柵極到源極)。NOR的讀速度比NAND稍快一些。NAND的寫入速度比NOR快很多。由于NAND的擦除單元更小，相應的擦除電路更少。而大多數寫入操作需要先進行擦除操作。所以NAND的4ms擦除速度遠比NOR的5s快得多。